STMicroelectronics et CMP (Circuits Multi-Projets) annoncent que la technologie CMOS H9A dans le nœud de 130 nm de STMicroelectronics, qui permet de réaliser un large éventail de produits analogiques et numériques, est à présent mise à la disposition des universités, des laboratoires de recherche et des entreprises de conception aux fins de prototypage par le biais des services de courtage de CMP. La diffusion des tranches de silicium aura lieu sur le site ST de Rousset, dans les Bouches-du-Rhône. Le coût de la technologie H9A CMOS a été fixé à 2200 euros par mm² …

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Le service multi-projets sur tranches silicium de CMP permet aux entreprises de réaliser des circuits intégrés avancés en petites quantités, typiquement entre quelques douzaines et quelques milliers d'unités.
ST met cette technologie de fabrication à la disposition de tierces parties en tant que service de fonderie pour une plate-forme analogique bien établie et pour de nouveaux développement dans les applications telles que les systèmes de capture d'énergie, d'intelligence autonome et de domotique.

L'introduction de la technologie CMOS H9A de ST (et sa version dérivée H9A_EH) dans le catalogue de CMP capitalise sur la collaboration qui a permis à des universités et des entreprises de conception d'accéder aux générations précédentes de la technologie CMOS, parmi lesquelles les géométries CMOS de 28 nm, 45 nm (introduction en 2008), 65 nm (2006), 90 nm (2004) et 130 nm (2003) par l'intermédiaire du site ST de Crolles. Les clients de CMP peuvent également accéder à la technologie FD-SOI (silicium sur isolant - entièrement déplété) en géométries de 28 nm, SOI (silicium sur isolant) en 65 nm et SOI en 130 nm, ainsi qu'à la technologie SiGe (Silicium Germanium) en 130 nm de STMicroelectronics.

Plus de 200 universités et entreprises ont reçu les règles de dessin et les kits de conception des processus CMOS SOI et en silicium massif en 65 nm de ST. Depuis que CMP propose la technologie CMOS en silicium massif 28 nm de ST en 2011, plus de 100 universités et sociétés de microélectronique ont reçu les règles de dessin et les kits de conception correspondants, et plus de 30 circuits intégrés ont déjà été fabriqués. De même, depuis que CMP propose la technologie FD-SOI 28 nm de ST, plus de 30 universités et sociétés de microélectronique ont reçu les règles de dessin et les kits de conception correspondants.

L’agence Reuters rapporte, sur la foi d’une source proche des deux entreprises, que des dirigeants d’Intel et d’Apple se sont bien rencontrés l’an passé pour négocier un accord de fonderie. Mais aucun accord n’a pu être conclu. La raison ? Personne ne sait qui dirigera Intel au cours des prochains mois pour remplacer Paul Otellini …

L’agence de presse reconnaît que ce partenariat serait parfait : Intel cherche à développer son activité de fonderie, -comme le prouve l’accord signé récemment avec Altera (voir notre article)-, pour poursuivre sa course en tête dans les investissements technologiques ; de son côté, Apple doit réduire sa dépendance envers son rival Samsung, sans s’aliéner à TSMC. Mais voilà : quelle direction voudra donner à Intel le futur remplaçant de Paul Otellini ? Pour Apple, pas question de signer un accord sans savoir avec qui. Quant au conseil d’administration d’Intel, il aurait récemment réorienté ses recherches pour trouver un nouveau p-dg à l’extérieur de l’entreprise, croit savoir Reuters …

Il est donc urgent d’attendre la fumée blanche …

L’Américain GT Advanced Technologies et Soitec annoncent la signature d'un accord de développement et de licence qui doit permettre à GT Advanced Technologies de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures de gallium (HVPE). Cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes et dans d'autres applications industrielles, telles que dans l'électronique de puissance …

La grande vitesse de croissance cristalline du GaN et l'amélioration des propriétés du matériau rendues possibles par cette technologie d'HVPE devraient entraîner une baisse considérable des coûts de ces films tout en boostant les performances des DEL ainsi produites en particulier par rapport à la filière MOCVD (épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur à base de précurseurs organométalliques) plus traditionnelle. Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées.

GT développera, fabriquera et commercialisera cet équipement d'HVPE en y incorporant les éléments technologiques particuliers et originaux développés par Soitec Phoenix Labs (filiale de Soitec), et notamment un système d'injection de la source de gallium, qui devrait notamment abaisser le coût des précurseurs ainsi fournis au réacteur d'HVPE. Cet équipement d'HVPE permettra de produire à grande échelle des couches de nitrure de gallium (GaN) sur saphir. La disponibilité commerciale de cet équipement est prévue au deuxième semestre 2014.

L’Américain Corning vient d’ouvrir une seconde unité de production de substrats de verre pour écrans LCD en Chine, destinée aux clients qui fabriquent des écrans LCD dans des usines de 8,5 génération, dont Beijing Optical Electronics (BOE). Ce projet avait été annoncé en 2010, mobilisant un investissement de 800 millions de dollars …

Corning possède déjà des unités de production de verre pour LCD aux Etats-Unis, au Japon, à Taïwan et en Corée.

Parallèlement, l’Américain annonce le rachat du Brésilien Bargoa, un fournisseur de solutions de connectivité pour le secteur brésilien des télécommunications. Le montant du rachat n’a pas été dévoilé.

En janvier, les commandes en équipements pour la fabrication des semiconducteurs ont enregistré un rebond par rapport à décembre pour les machines américaines, comme pour les équipements japonais. Leur niveau reste toutefois très inférieur à celui de janvier 2012. Les facturations ont continué de reculer, faisant retomber le book-to-bill américain à 1,14, soit un niveau supérieur à l’unité qui n’avait plus été atteint depuis mai 2012 …

Selon SEMI, les prises de commandes en équipements US pour la fabrication des semiconducteurs ont ainsi représenté 1,09 milliard de dollars en janvier 2013, soit 17,2% de plus qu’en décembre 2012 et 8,5% de moins qu’en janvier 2012. Les facturations ont pour leur part reculé de 5,4% en un mois, à 952,1 M$, et ont été inférieures de 23,2% à celles de janvier 2012. Le book-to-bill (rapport commandes sur facturations) des fabricants d’équipements américains est remonté à 1,14 en janvier, contre 0,92 en décembre, 0,79 en novembre, 0,75 en octobre, 0,78 en septembre et 0,82 en août.

Rappelons que selon la SEAJ (Semiconductor Equipment Association of Japan), les commandes en équipements pour SC japonais ont représenté 74,316 milliards de yens en janvier (794 M$), en hausse de 2,8% par rapport à décembre 2012, mais restent inférieures de 25,2% par rapport à janvier 2012. Les facturations ont, pour leur part, progressé de 6,8% en un mois, à 62,978 milliards de yens (673 M$) et ont été inférieures de 32,5% à celles de janvier 2012. Le book-to-bill japonais est ainsi redescendu à 1,18 en janvier, contre 1,23 en décembre, 0,89 en novembre, 0,70 en octobre, 0,65 en septembre et 0,74 en août 2012.

Intel tombe les masques et vient de signer un important accord de fonderie avec Altera, le deuxième fournisseur mondial de FPGA. L’incursion du numéro un mondial des semiconducteurs dans le pré-carré de TSMC a immédiatement fait réagir le Taïwanais. Le premier fondeur mondial a en effet publié un communiqué de presse commun avec Altera, réaffirmant son engagement à long terme avec le fournisseur de circuits logiques programmables, un client sans qui « TSMC n’en sera pas là où il en est aujourd’hui ». C’est dire …

Intel va donc fabriquer la future génération de FPGA d’Altera avec sa technologie 14 nm qui s’accompagne d’un changement radical dans la conception des transistors qui passent d’une structure planaire à une structure 3D appelée Tri-Gate. Ces composants programmables, dont la date de sortie n’est pas annoncée, promettent de niveaux de performances et de consommation électrique inégalés pour des applications très haut de gamme dans le militaire, les communications filaires, et le cloud computing et le stockage.

Actuellement, les FPGA les plus puissants d’Altera sont produits en technologie 28 nm par TSMC. Et c’est également le premier fondeur mondial qui fabriquera la future gamme de composants de l’Américain en technologie 20 nm.

En fonderie, Intel s’est jusqu’ici montré très discret. Tout juste avait–il annoncé en novembre 2010 un accord de fonderie avec la start-up américaine Achronix, un autre fabricant de FPGA. Achronix vient d’ailleurs d’échantillonner ses premiers FPGA Speedster22i réalisés par Intel en technologie 22 nm Tri-Gate. Mais ce n’est pas faire injure à Achronix en soulignant que l’accord avec Altera est d’une toute autre ampleur. Même si 2012 a été difficile pour Altera, la société a terminé son exercice sur un chiffre d’affaires annuel de 1,783 milliard de dollars, en recul de 13,6% par rapport à 2011. Son bénéfice net est passé de 771 M$, à 557M$.

Cette annonce relance en tout cas les supputations sur les ambitions réelles d’Intel dans les services de fonderie (voir notre article de début janvier). Les observateurs relancent ce matin la piste d’un prochain accord avec Apple. Si Intel ne parvient pas à imposer ses processeurs dans les tablettes et les smartphones, n’aurait-il pas intérêt à fabriquer les processeurs propriétaires d’Apple et à collaborer avec lui ? Pour Apple, ce serait la certitude de disposer de ce qui se fait de mieux en matière de technologies de production et de se passer de Samsung, son concurrent le plus redoutable dans les terminaux. Or le Coréen nourrit également de grandes ambitions dans les services de fonderie. Mais contrairement à Intel, Samsung serait déjà le troisième fondeur derrière TSMC et Globalfoundries (voir notre article). Selon IC Insights, Samsung posséderait même déjà le potentiel de réaliser un chiffre d’affaires annuel en services de fonderie de 5,4 milliards de dollars. TSMC, Samsung, Intel : faut-il chercher plus loin les acteurs majeurs du marché de la fonderie de la prochaine décennie ?