Le Grenoblois Soitec, spécialiste mondial des tranches de SOI, et Sumitomo Electric Industries, l'un des premiers fournisseurs mondiaux de semiconducteurs composés, annoncent la signature d'un accord de licence et de transfert de technologie dans le cadre duquel Sumitomo Electric utilisera la technologie de transfert de couches Smart Cut, développée par Soitec, pour fabriquer des tranches avancées en nitrure de gallium (GaN) …

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Cette annonce marque une nouvelle étape clé dans l'alliance stratégique conclue par les deux entreprises en décembre 2010 pour développer le marché mondial des substrats en GaN utilisés dans les applications d'éclairage par diodes électroluminescentes (DEL).

Le programme de développement entre Soitec et Sumitomo Electric a déjà permis de démontrer la possibilité de fabriquer des substrats avancés GaN de 100 et 150 mm de diamètre dans le cadre d'un environnement de production pilote.

Cinq fabricants de semiconducteurs détiennent un tiers des capacités de production mondiales sur tranches de 300 mm de diamètre, selon IC Insights. Un classement dominé par Samsung, dont la capacité de production sur tranches de 300 mm de diamètre est supérieure de 61% à celle de son compatriote SK Hynix et de 74% à celle d’Intel. Quand Micron aura finalisé le rachat d’Elpida au premier semestre, le tandem deviendra le second fabricant en capacité de production sur tranches de 300 mm derrière Samsung …

Sur les dix premiers fabricants du classement, la moitié sont essentiellement des fabricants de mémoires, deux des fondeurs à 100% et un –Intel- un fabricant de microprocesseurs. IC Insights estime que Samsung conservera la tête du classement d’ici à 2017, mais que ce sont les fondeurs qui augmenteront le plus leurs capacités de production en 300 mm durant la période. TSMC, Globalfoundries, UMC et SMIC devraient ainsi collectivement plus que doubler leurs capacités de production sur tranches de 300 mm de diamètre d’ici 2017.

Le nouveau site internet du syndicat professionnel du Groupement des Fournisseurs de l'Industrie Electronique (GFIE) vient d’être mis en ligne. Le GFIE a également effectué une refonte du site complémentaire www.lignevirtuelle.com. Véritable moteur de recherche à la disposition de l’industrie électronique, le GFIE a édité ce site pour permettre à tous les protagonistes de la carte électronique français de retrouver facilement les fournisseurs membres du GFIE, suivant cinq métiers : assemblage en ligne, assemblage hors ligne, contrôle expertises, circuits imprimés et prototypes labo …


Le contenu du site du GFIE a été retravaillé, l’ergonomie repensée pour un accès facilité à l’ensemble des informations utiles au service des adhérents et des acteurs de la profession.

Nouvelles fonctionnalités du site www.gfie.fr :
• Plus d’actualités des adhérents, du syndicat, des vidéos, mise en avant dès la page d’accueil
• La publication en avant-première de l’indice mensuel GFIE, calculé mensuellement par ESCP Challenge
• Un accès pour tous aux travaux du Comité Technique réunissant des compétences diverses, des spécialistes de leurs domaines respectifs et membres du GFIE
• Un accès direct au moteur de recherche du GFIE www.lignevirtuelle.com
• Une zone réservée aux adhérents avec la possibilité de mettre à jour leur fiche détaillée

En janvier, les commandes en équipements pour la fabrication des semiconducteurs ont enregistré un léger rebond par rapport à décembre pour les machines japonaises. Leur niveau reste toutefois très inférieur à celui de janvier 2012. Les facturations ont progressé un peu plus vite, faisant retomber le boo-to-bill à 1,18 …

Selon la SEAJ (Semiconductor Equipment Association of Japan), les commandes en équipements pour SC japonais ont représenté 74,316 milliards de yens en janvier (794 M$), en hausse de 2,8% par rapport à décembre 2012, mais restent inférieures de 25,2% par rapport à janvier 2012. Les facturations ont, pour leur part, progressé de 6,8% en un mois, à 62,978 milliards de yens (673 M$) et ont été inférieures de 32,5% à celles de janvier 2012. Le book-to-bill japonais est ainsi redescendu à 1,18 en janvier, contre 1,23 en décembre, 0,89 en novembre, 0,70 en octobre, 0,65 en septembre et 0,74 en août 2012.

Le fabricant allemand de semiconducteurs Infineon Technologies déclare avoir franchi une étape décisive en ayant fabriqué ses premiers semiconducteurs de puissance sur tranche de 300 mm de diamètre amincie. Cette prouesse lui offre l’avantage concurrentiel de pouvoir réaliser plus de 2,5 fois de circuits de plus par tranche par rapport à un procédé sur tranches de 200 mm. La technologie a été qualifiée sur son site de Villach en Autriche et doit être transférée à Dresde, pour une production de volume …

Le procédé CoolMOS sur tranche 300 mm amincie (jusqu’à 40 µm d’épaisseur) a été développé à Villach, en Autriche. Le transfert de la technologie à Dresde (sur une ancienne ligne rachetée à Qimonda) se déroule comme prévu et la qualification du process pour une production de volume devrait être achevée en mars. Infineon aura investi d’ici à 2014 environ 250 millions d’euros dans cette technologie.

Pour la neuvième année de suite, l’Allemand Infineon Technologies avait conservé en 2011 son rang de premier fournisseur mondial de semiconducteurs de puissance, avec une part de 11,9% d’un marché qui a représenté 17,6 milliards de dollars en 2011, selon une étude publiée par IMS Research.

Avec une croissance de ses ventes de 21% sur ce secteur, Infineon avait ainsi progressé beaucoup plus vite que l’ensemble du marché des semiconducteurs de puissance (+8,3%). Le fabricant allemand précédait les Japonais Mitsubishi (8,3% du marché mondial) et Toshiba (6,6%).

STMicroelectronics annonce avoir franchi une nouvelle étape majeure dans les essais de sa plate-forme technologique FD-SOI en technologie de 28 nm : des cœurs de processeurs d'application fabriqués sur le site de Crolles ont pu fonctionner à la fréquence opérationnelle de 3 GHz avec une efficacité énergétique supérieure à d'autres filières à une fréquence donnée. Pour ST, le fait qu'un processeur d'application puisse atteindre la fréquence de cadencement de 3 GHz présage l'adoption de la filière FD-SOI dans des produits portables, appareils-photo numériques, consoles de jeu et circuits ASIC pour un large éventail d'applications …

Depuis une cinquantaine d'années, la Loi de Moore, selon laquelle le nombre de transistors incorporés sur un circuit intégré double tous les deux ans environ, a poussé l'industrie électronique à réduire la taille des transistors. Aujourd'hui, alors que ces transistors se dirigent vers des géométries nanométriques, la physique remet en question les avantages de vitesse élevée et de faible consommation traditionnellement offerts par la technologie CMOS planar fabriquée à l'aide de tranches de silicium massif. La technologie FD-SOI marque ainsi une percée importante dans la poursuite de la miniaturisation des circuits électroniques.

Confirmant la simplicité de cette technologie, ST assure que le portage de bibliothèques et de blocs de propriété intellectuelle physiques du CMOS massif en traits de 28 nm vers la filière FD-SOI de 28 nm s'effectue sans difficulté, de même que la conception de systèmes sur puce numériques avec des outils et des méthodes de CAO classiques en technologie FD-SOI, qui est identique au CMOS massif grâce à l'absence d'effet mémoire MOS (Metal Oxyde Semiconductor).

« Comme nous l'avons envisagé, la technologie FD-SOI a démontré sa capacité à allier vitesse, simplicité et faible dégagement de chaleur. Nous avions tablé sur une fréquence de cadencement atteignant 3 GHz, et l'approche de conception adoptée correspond tout à fait à ce que faisions avec la technologie CMOS massif. De plus, grâce aux avantages des canaux entièrement déplétés et de la technique de polarisation « back-bias », les exigences de basse consommation répondent également à nos attentes », a déclaré Jean-Marc Chery, Vice-président exécutif, Chief Manufacturing & Technology Officer et directeur général du secteur numérique de ST.

Rappelons que l’unité de production sur tranches de 300 mm de diamètre de Crolles est la seule usine du groupe à implémenter la technologie FD-SOI. Actuellement, l’usine est prête pour être équipée d’une capacité de production de 300 à 500 tranches par semaine en technologie FD-SOI, qui sera portée à 1000 tranches par semaine à la fin de l’année. En 2014, ST disposera ainsi en interne d’une capacité interne de 1000 tranches par semaine en FD-SOI, sans compter la fonderie. En juin dernier, ST avait passé un accord avec Globalfoundries dans ce domaine. Cette année, ST va investir dans le développement d’une technologie FD-SOI 14 nm, en vue de la livraison des premiers échantillons à la mi-2014. D’ici 2 à 3 ans, la technologie FD-SOI devrait représenter 1/3 de la production à Crolles.