International Rectifier étend sa famille StrongIRFET pour lui adjoindre des modèles 20-30 V destinés à des applications telles que l’informatique et les communications hautes performances. A la tête de cette famille se trouve le DirectFET 20 V IRL6283M qui présente une résistance à l’état passant Rds(on) ultra-faible …

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• L’IRL6283M offre une Rds(on) typique de seulement 500 µOhms dans un boîtier fin DirectFET Medium Can de 30 mm², ce qui réduit les pertes en conduction de manière significative. Il convient aux applications d’ORing actif et de fusible électronique (eFuse).
• Ce nouveau composant peut fonctionner à partir de Bus 3,3 V, 5 V ou 12 V et offre à 20 A des pertes inférieures de 15% aux meilleures alternatives PQFN mesurant également 30 mm², permettant ainsi aux concepteurs de réduire le nombre de composants dans les applications à courant élevé.
• Comme pour le reste de la famille DirectFET, l’IRL6283M permet un refroidissement par le dessus pour de meilleures performances électriques et thermiques, et sa construction sans fils de liaison (wire bonding) renforce la fiabilité du montage.
• En outre, le boîtier DirectFET répond aux normes RoHS avec notamment une nomenclature entièrement sans plomb, et convient donc aux applications à longue durée de vie. Les boîtiers hautes performances concurrents peuvent, eux, avoir recours à des fixations au plomb couvertes par l’exemption 7(a) de la norme RoHS, exemption qui prendra fin en 2016.

Référence : DirectFET 20 V IRL6283M
Fournisseur : International Rectifier

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Le dernier MOSFET de puissance FastIRFET 100V IRFH7185TRPbF d’International Rectifier offre des performances de pointe aux alimentations DC-DC utilisées dans les applications télécoms. Il exploite la nouvelle technologie de fabrication 100V FastIRFET pour présenter un facteur de mérite Rds(on)*Qg à l’état de l’art, ce qui améliore le rendement et la densité de puissance ainsi que la fiabilité du système …

• L’IRFH7185TRPbF combine une résistance à l’état passant Rds(on) extrêmement faible et une charge de grille réduite, afin de délivrer des performances élevées, que la charge soit faible ou importante.
• Sa nouvelle structure FastIRFET 100V améliore de 20% la densité de courant d’avalanche, ce qui en fait une solution robuste pour les alimentations télécoms DC-DC.
• Les composants FastIRFET d’IR fonctionnent avec tout contrôleur ou pilote pour une conception plus souple, tout en atteignant un courant, un rendement et une fréquence de fonctionnement supérieurs et cela dans un encombrement réduit.
• L’IRFH7185TRPbF est conforme au standard industriel de sensibilité à l’humidité MSL1, et est encapsulé dans un boîtier PQFN standard de 5x6 mm constitué de matériaux sans plomb, respectueux de l’environnement et conformes RoHS.

Référence : IRFH7185TRPbF
Fournisseur : International Rectifier

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Le Suisse CT-Concept Technologie, une société du groupe Power Integrations spécialisée en technologies de commande d’IGBT, a livré ses premiers produits à jeu de circuits SCALE-2+. La technologie de commande de grille SCALE-2+ met en œuvre un arrêt progressif ou « soft shutdown » (SSD) en cas de court-circuit, sans nécessiter de composants additionnels. Elle est particulièrement bénéfique dans les applications à basse inductance parasite, qui n’ont pas besoin de la fonction de limitation active Advanced Active Clamping développée par Concept pour contrôler la mise hors tension d’IGBT ou de MOSFET dans des conditions difficiles …

• Les cœurs ASIC de commande d’IGBT SCALE-2 de Concept apportent des avantages de coût, performance, taille et fiabilité. La génération SCALE-2+ renforce l’intégration de la solution car elle incorpore un mécanisme de déclenchement qui limite la tension collecteur-émetteur des IGBT ou la tension source-drain des MOSFET en cas de court-circuit.
• Le premier produit à jeu de circuit SCALE-2+ livré par Concept est le circuit 2SC0106T2A0-12, une commande de grille d’IGBT / MOSFET haute performance à deux canaux pour IGBT 1200 V de 37 kW à 110 kW.
• Le 2SC0106T2A0-12 est idéal pour les servocommandes utilisées dans les applications industrielles, d’alimentations ininterruptibles et d’onduleurs solaires. Il respecte les standards CEI 61800-5-1 et CEI 60664-1 pour une isolation renforcée.

Référence : 2SC0106T2A0-12
Fournisseur : CT-Concept Technologie

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International Rectifier vient de lancer un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) en tranchées 1400 V robuste, fiable et ultrarapide, optimisé pour les applications à découpage soft comme les tables de cuisine à induction et les fours à micro-ondes …

• Encapsulé avec une diode à très faible tension inverse, l’IRG7PK35UD1PbF exploite la technologie de tranchées sur substrat fin de septième génération d’IR, pour délivrer une tension VCE(ON) extrêmement faible et une commutation ultrarapide.
• Ceci permet de réduire au minimum les pertes en conduction et en découpage, ce qui améliore le rendement du système dans les applications de chauffage à induction.
• L’extension de la gamme de tension du composant jusqu’à 1400 V permet de concevoir des convertisseurs à résonnance parallèle à sortie unique délivrant une puissance supérieure, et offre davantage de marge de sécurité pour les systèmes les plus robustes.
• L’IRG7PK35UD1PbF étend à 1400 V la famille d’IGBT d’IR pour les applications de découpage soft, augmentant ainsi la gamme de puissance des systèmes de chauffage par induction.

Référence : IRG7PK35UD1PbF
Fournisseur : International Rectifier

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STMicroelectronics compte parmi les premières entreprises à commercialiser un MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en tensions élevées, et a atteint la tenue en température la plus élevée de l'industrie, à savoir 200°C. Les propriétés du carbure de silicium permettent d'économiser au moins 50% de l'énergie habituellement perdue en traversant les transistors de puissance classiques en silicium. Ce MOSFET de puissance permet aux concepteurs d'alimentations d'augmenter l'efficacité énergétique d'applications telles que les onduleurs solaires, les véhicules électriques, l'informatique d'entreprise et les circuits de commande de moteurs industriels …

• Ces appareils peuvent également être physiquement plus compacts et afficher une tension de claquage élevée. La technologie SiC est considérée comme essentielle dans l'amélioration continue du rendement énergétique, de la miniaturisation et du coût des systèmes.
• L'augmentation de la tenue en température des composants SiC de ST (200°C) par rapport aux MOSFET SiC ordinaires en silicium permettra notamment de simplifier la conception du système de refroidissement des véhicules.
• Annoncé sous la référence SCT30N120, le nouveau MOSFET de puissance SiC 1 200 V de ST est en cours d'échantillonnage et sera fabriqué en volume en juin 2014.
• Il est disponible en boîtier HiP247 propriétaire de ST, qui dispose d'un profil standard et est optimisé pour des performances thermiques élevées. Son prix unitaire est de 35 dollars par 1 000 pièces.

Référence : SCT30N120
Fournisseur : STMicroelectronics

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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer deux MOSFET ultra-compacts en boîtiers très dissipatifs, spécifiquement développés pour répondre aux besoins de recharge à courant élevé des tout derniers appareils portables. Les MOSFET SSM6K781G canal-N et SSM6J771G canal-P, se présentent tous deux en boîtier WCSP6C miniature de 1,5 x 1,0 mm offrant une dissipation thermique (PD) nominale de 1,2W …

• Le boîtier WCSP6C est le meilleur choix pour les applications ne disposant que d'un espace sur carte minimum, dans la mesure où le rapport [encombrement/puissance dissipable] de ce type de boîtier est bien supérieur à celui d'un boîtier moulé conventionnel. Ceci fait de ces MOSFET des candidats adaptés à la commutation de puissance dans les circuits de charge des téléphones portables, tablettes et autres appareils portables compacts, qui nécessitent des courants élevés pour réduire les temps de charge.
• Ces nouveaux dispositifs Toshiba combinent une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) et une très faible capacité, ce qui permet leur utilisation dans les circuits de charge et les convertisseurs DC-DC.
• Les valeurs nominales de RDS(ON) sont typiquement de 14 mOhm (VGSS = 4,5V) pour le SSM6K781G canal-N, et de 26 mOhm (VGSS = -4,5V) pour la version SSM6J771G canal-P.
• Le MOSFET SSM6K781G offre un courant DC maximum de 7A nominal, tandis que le SSM6J771G peut accepter jusqu'à -5A, ce qui rend ce dernier particulièrement adapté aux applications de recharge à double cellule, grâce à sa tension de grille maximum VGSS = +/-12V.

Référence : SSM6K781G et SSM6J771G
Fournisseur : Toshiba

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