International Rectifier lance les AUIRFN8459 et AUIRFN8458, des MOSFET de puissance COOLiRFET 40 V qualifiés pour l’automobile et délivrant une résistance à l’état passant (Rds(on)) à l’état de l’art pour les applications automobiles nécessitant un courant élevé dans un encombrement réduit, telles que la commande moteur des pompes et le contrôle des actionneurs …

publicité

• Les AUIRFN8459 et AUIRFN8458 sont les premiers membres d’une famille de double MOSFET de puissance pour le secteur automobile, en boîtier PQFN de 5x6 mm, et bénéficiant de la technologie en tranchées 40 V COOLiRFET la plus avancée d’IR. L’AUIRFN8459 présente une Rds(on) extrêmement faible de 5,9 mOhms par canal, tout en supportant des courants élevés jusqu’à 50 A.
• Les composants double COOLiRFET™ 40 V en PQFN 5x6 mm AUIRFN8459 et AUIRFN8458 présentent un encombrement réduit de plus de 50% par rapport aux boîtiers DPAK (TO-252) traditionnels ; combiné à une résistance et une inductance de boîtier et une Rds(on) très faibles, cela les positionne très favorablement pour les applications automobiles 12 V conventionnelles comme le contrôle moteur qui requièrent un rendement et une densité de puissance supérieurs dans un espace réduit.
• Ces nouveaux composants double COOLiRFET™ en boîtier PQFN mesurant 5x6 mm présentent également une faible empreinte thermique vers le circuit imprimé et de meilleures performances thermiques qu’un boîtier SO-8, et délivrent ainsi davantage de rendement et de densité de puissance pour un coût global du système inférieur.
• Les MOSFET automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques combinés à une inspection visuelle des tranches entièrement automatisée dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20% après un millier de cycles de test en température.

Référence : AUIRFN8459 et AUIRFN8458
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier vient de lancer la famille IRGP66xx d’IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) 600 V ultra-rapides à grille en tranchée et coupure de champ. Ces nouveaux composants durcis, fiables et à performances élevées, présentent des pertes en conduction et en commutation extrêmement faibles et sont optimisés pour les applications de soudure …

• Tirant parti d’une technologie de tranchées sur substrat fin pour réduire les pertes en conduction et en découpage, ces nouveaux composants sont encapsulés avec une diode à recouvrement doux à faible Qrr, et supportent une commutation ultra-rapide (8 à 30 kHz) et des courts-circuits de 5 µs.
• Ces IGBT 600 V offrent également une faible tension VCE(ON) et un coefficient de température positif simplifiant leur mise en parallèle.
• La famille d’IGBT IR66xx est aussi caractérisée par une fréquence de découpage élevée, une température de jonction maximale de 175 °C et de faibles émissions électromagnétiques (EMI), d’où une fiabilité accrue, un rendement système supérieur et des performances plus robustes en régime transitoire.

Référence : IRGP66xx
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier a étendu cet été son catalogue de MOSFET de puissance StrongIRFET 60 V, disponibles en divers boîtiers de puissance standards et de hautes performances. Dotés d’une très faible résistance à l’état passant (Rds(on)), ces nouveaux MOSFET sont conçus pour un large spectre d’applications industrielles incluant l’outillage électrique, les inverseurs pour véhicules électriques légers, les commandes de moteurs DC, la protection de batteries Li-ion et le redressement synchrone côté secondaire des alimentations à découpage …

• Disponibles en boîtiers traversants et CMS, cette famille étendue de StrongIRFET 60 V comprend l’IRF7580M. Encapsulé dans un boîtier DirectFET Medium Can (ME) ultra-compact et de faible épaisseur, il délivre une forte densité de courant tout en réduisant l’encombrement et le coût du système global, et convient aux applications industrielles compactes de forte puissance.
• Cette famille de 19 MOSFET de puissance StrongIRFET 60 V présente une résistance à l’état passant (Rds(on)) extrêmement faible, améliorant les performances en basses fréquences, une très forte capacité en courant, une diode intrinsèque douce et une tension de déclenchement typique de 3 V qui améliore l’immunité au bruit. Chacun de ces composants est testé à 100 % contre les niveaux de courant d’avalanche les plus élevés, afin d’offrir la solution la plus robuste aux applications industrielles exigeantes.
• Comme pour les autres membres de la famille DirectFET, l’IRF7580M en boîtier Medium Can présente une construction sans fils de liaison (wire bonding), d’où une meilleure fiabilité.

Référence : StrongIRFET 60 V
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier lance le MOSFET de puissance COOLiRFET AUIRFN8403 qualifié pour l’automobile, et destiné à des applications nécessitant une taille compacte et des performances élevées en courant telles que le contrôle de moteur de pompe et le contrôle de châssis automobile. Disponible en boîtier PQFN compact 5x6 mm, l’AUIRFN8403, premier membre d’une nouvelle famille de composants, utilise la technologie en tranchées 40 V COOLiRFET la plus avancée d’IR, et affiche une résistance à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3,3 mOhm tout en supportant des courants allant jusqu’à 95 A …

• Le boîtier PQFN présente une broche étamée étendue assurant une meilleure soudure et simplifiant l’inspection de celle-ci. L’AUIRFN8403 permet une réduction de l’encombrement de plus de 50% par rapport aux solutions conventionnelles en boîtier DPAK (TO-252), et des performances thermiques améliorées de manière significative par rapport au boîtier SO-8. Il constitue ainsi une solution ultra-compacte, à rendement et densité élevés pour les applications automobiles.
• Les MOSFET automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques, combinés à 100% d’inspection visuelle des wafers entièrement automatisée, dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20% après un millier de cycles de test en température.
• Ce nouveau composant est conforme aux standards AEC-Q101 et utilise des matériaux respectueux de l’environnement, sans plomb et conformes RoHS.

Référence : COOLiRFET AUIRFN8403
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de MOSFET super-jonction haut-rendement compacts avec des dispositifs spécifiés jusqu'à 650V. Ces MOSFET 650V sont idéaux pour les applications susceptibles de devoir tourner dans des environnements où la tension réseau est fluctuante, ou bien où les températures peuvent être très basses. Le support de tensions plus élevées permet aussi davantage de souplesse au niveau conception, en augmentant les marges de sécurité …

• Ces MOSFET de puissance 650V sont basés sur le processus super- jonction DTMOS IV de quatrième génération de la société, et sont disponibles en sept boîtiers compacts différents. Ces dispositifs peuvent être fournis avec une diode FRD (Fast Recovery Diode, ou diode de recyclage rapide) intégrée, qui permet de réduire le nombre de composants et l'empreinte sur carte dans le cas d'applications à commutation haute-fréquence.
• Les applications ciblées par ces MOSFET 650V sont notamment les alimentations à découpage, les ballasts d'éclairage, les convertisseurs d'énergie photovoltaïques et d'autres développements nécessitant une combinaison de haute-fréquence, de rendement élevé, et de faible bruit EMI (parasites électromagnétiques).
• Grâce à leur technologie DTMOS IV, ces nouveaux MOSFET offrent à la fois une résistance à l'état passant extrêmement faible, et une taille de puce réduite, qui autorise de très petits boîtiers, sans perte de puissance. Un avantage majeur du processus "deep trench" (tranchée profonde en français) par rapport à un processus super-jonction standard, est un plus faible coefficient thermique, favorable à un meilleur RDS(ON) en fonction de la température.
• La nouvelle gamme de dispositifs 650V est disponible en boîtiers D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS et TO-247. La valeur maximum de RDS(ON) est de 1.2Ohm à seulement 0.055Ohm.

Référence : MOSFET 650V
Fournisseur : Toshiba

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier vient d’étendre son catalogue de transistors IGBT 600 V à rendement élevé disponibles dans une large variété de boîtiers. Ces IGBT IRxx46xx sont optimisés pour un spectre exhaustif de puissances, allant des petits moteurs et faibles charges jusqu’à des applications industrielles telles que les alimentations sans interruption UPS, le solaire, le chauffage par induction, les moteurs industriels ou encore les postes à souder …

• Cette famille de 23 IGBT utilise une technologie en tranchées sur substrat fin à coupure de champ, pour réduire et équilibrer les pertes en conduction et en commutation.
• Encapsulés avec une diode à recouvrement doux et à faible Qrr, ces nouveaux composants sont optimisés pour le découpage ultra-rapide avec une tenue en court-circuit de 5 µs et, et présentent une faible tension VCE(ON) à coefficient de température positif pour simplifier la mise en parallèle.
• Ces nouveaux IGBT conviennent à une large plage de fréquences de découpage et délivrent un rendement système élevé et des performances transitoires robustes.
• En outre, la diode interne à recouvrement doux, améliore le rendement du système et diminue les émissions électromagnétiques pour une plus grande fiabilité.

Référence : IRxx46xx
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |