Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer des extensions à sa famille de MOSFET à rendement ultra-élevé UMOS VIII-H. Les 32 nouveaux dispositifs permettront aux concepteurs d'économiser de la place et de réduire les pertes, dans le cas d'applications de redressement synchrone ou de commutation au primaire ou au secondaire, et plus généralement dans le cas de circuits nécessitant des dispositifs de tension nominale allant de 60V à 250V …

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• Ces MOSFET offrent des tensions nominales de 60V, 80V, 100V, 150V, 200V ou 250V, et sont tous disponibles en boîtier CMS plat, TSON ou SOP. Les empreintes sur carte sont respectivement de seulement 3 x 3 mm et 5 x 6 mm.
• Les valeurs de résistance à l'état passant (RDS(ON)) de cette famille sont les meilleures dans leurs catégories. Par exemple, le TPH4R50ANH 100V (RDS(ON) maximum de 4,5 mΩ à VGS = 10V) et le TPH2900ENH 200V (RDS(ON) maximum de 29 mΩ à VGS = 10V) associent les valeurs de RDS(ON) les plus basses, à une charge de grille (Qg) et à une capacité d'entrée (Ciss) très basses.
• Les nouveaux transistors MOSFET UMOS VIII-H Toshiba s'appuient sur le processus de production de semiconducteurs de huitième génération, UMOS, de la société. Ce processus offre des améliorations significatives au niveau des caractéristiques RDS(ON) et Ciss, qui permettent d'optimiser le rendement et les vitesses de commutation, tout en réduisant le bruit rayonné à un niveau minimum.
• Les applications cible de ces MOSFET CMS 60 à 250V sont notamment la conversion AC/DC et DC/DC dans les systèmes industriels, les appareils ménagers numériques, l'équipement informatique et les consoles de jeu. Les dispositifs 80 à 150V seront particulièrement bien adaptés aux alimentations de nombreux systèmes de télécommunications.

Référence : UMOS VIII-H
Fournisseur : Toshiba

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Le dernier circuit de commande de grille ultra-compact d’International Rectifier qualifié pour l’automobile, l’AUIR08152S, délivre un courant de sortie dépassant les 10 A qui permet de réduire la taille du système et d’en améliorer les performances dans les applications de commutation de puissance automobiles et industrielles …

• Le pilote de grille à tampon (buffer) AUIR08152S permet d’utiliser n’importe quel isolateur Cmos, optocoupleur ou pilote de grille standard à faible courant pour commander des MOSFET ou des IGBT dans les applications de commutation, et ainsi de faire évoluer de manière efficace un étage de commande de faible puissance ou sous-dimensionné en système de commande à courant élevé.
• Disponible en boîtier compact SO-8, ce circuit tampon intégré remplace jusqu’à dix composants discrets pour un montage système plus simple, compact et robuste.
• Les très faibles impédances de sortie et pertes de puissance de ce nouveau circuit rendent possible son utilisation dans des environnements difficiles et sous haute température.
• L’AUIR08152S peut en outre commander une tension Vgs négative et rester à l’état passant en continu grâce à la sortie PMos intégrée en parallèle de la sortie NMos de tirage (pull-up) côté haut.

Référence : AUIR08152S
Fournisseur : International Rectifier

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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de diodes SBD (Schottky Barrier Diode, ou diode à barrière de Schottky) avec une nouvelle diode CxS15S30, qui améliore les performances en matière de tension directe et de courant inverse. La diode SBD CxS15S30 est spécifiée pour un courant redressé moyen de 1,5 A et une tension inverse de 30 V maximum …

• Les types de boîtier disponibles sont un boîtier CST2C ultra-compact de type LGA (CCS15S30) de seulement 1,6 x 0,8 x 0,48 mm, et un boîtier à la norme SOD-323 (CUS15S30).
• Cette diode est particulièrement bien adaptée aux applications où l'encombrement est limité, lorsqu'une intensité élevée et une tension directe (VF) faible sont absolument nécessaires.
• Le CxS15S30 fournit le rendement élevé qu'exigent les appareils alimentés par batterie ou dont la consommation doit être maîtrisée. La faible tension directe VF = 0,39 V à 1,5 A, et le courant inverse typique de seulement 200 µA, garantit les plus faibles pertes à la plupart des applications courantes, comme les circuits de rétro-éclairage à LED ou de protection contre les retours de courant dans les circuits de charge de batterie.
• Grâce à sa capacité intrinsèque typique de seulement 200 pF, la CxS15S30 peut aussi servir à toutes les applications courantes à commutation rapide.

Référence : CxS15S30
Fournisseur : Toshiba

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Power Integrations complète sa famille de circuits intégrés de commande de LED LYTSwitch-4 avec des modèles optimisés pour les applications haute tension. Les puces LYTSwitch-4 délivrent un courant de sortie précis et un rendement élevé dans les applications d’ampoules, de tubes et d’éclairage en hauteur. Ces dispositifs simplifient la conception et réduisent le coût tout en assurant un éclairage uniforme et une performance élevée en gradation à TRIAC …

• La topologie des puces LYTSwitch-4 combine en un seul étage la correction de facteur de puissance et la conversion à courant constant, pour obtenir un facteur de puissance supérieur à 0,95 et des rendements de plus de 90% dans les applications typiques.
• Les conceptions se conforment aisément à la norme de distorsion harmonique totale (THD) EN61000-3-2C ; elles atteignent une THD de moins de 10% une fois optimisées.
• La régulation est meilleure que +/- 5% sur toute la plage de charge et de production, évitant d’avoir à surdimensionner pour atteindre l’objectif de luminance minimum, ce qui réduit le coût système.
• La fréquence de commutation élevée, de 132 kHz, permet d’utiliser des composants magnétiques plus compacts et moins chers, et la gigue de fréquence réduit les besoins en filtrage EMI. Grâce à tout cela, les commandes de LED s’intègrent aisément dans des ampoules de dimensions restreintes.

Référence : LYTSwitch-4
Fournisseur : Power Integrations

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STMicroelectronics lance sous la référence ISO8200B un commutateur de puissance isolé, permettant de réaliser des contrôleurs plus robustes, plus sobres et plus compacts destinés au marché de l'automatisation industrielle. Un large éventail d'équipements d'automatisation industrielle, ainsi que d'applications utilisant un contrôleur logique programmable (PLC), bénéficieront des économies d'espace additionnelles, de la sécurité d'utilisation, de l'immunité au bruit, de la fiabilité et du rendement énergétique qu'offre cette nouvelle référence …

• Le commutateur « high-side » isolé ISO8200B est le premier dispositif intégré de ST à réunir dans le même boîtier une alimentation à isolation galvanique et un circuit logique, ce qui permet de réaliser des contrôleurs plus compacts et d'abaisser le coût de possession.
• En étant le premier dispositif de ce type à utiliser une liaison RF pure permettant de communiquer à travers la couche d'isolation, l'ISO8200B offre une meilleure immunité au bruit avec à la clé un fonctionnement ultra-robuste et fiable.
• À l'intérieur de l'ISO8200B, les circuits de logique et d'alimentation sont séparés et empilés, une couche intercalaire assurant un très haut niveau d'isolation.
• Les entrées sont directement connectées à un microcontrôleur ou un circuit logique programmable sur site (FPGA), et le circuit peut attaquer huit canaux de sortie reliés à tous types de charges reliées à la masse, qu’elles soient inductives, capacitives ou résistives. L'ISO8200B répond à la norme d'immunité aux champs électromagnétiques rayonnés aux fréquences radioélectriques CEI 61000-4-3.

Référence : ISO8200B
Fournisseur : STMicroelectronics

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International Rectifier lance le MOSFET de puissance DirectFET 2 AUIRF8736M2 destiné aux applications automobiles à charge élevée comme la direction assistée, le freinage et les pompes à commande électrique qui nécessitent une densité de puissance supérieure dans un encombrement compact …

• Tirant le meilleur de la technologie silicium COOLiRFET d’IR, le MOSFET 40 V AUIRF8736M2 présente une résistance à l’état passant (Rds(on)) améliorée de 40% par rapport aux composants de la génération précédente, ce qui minimise les pertes en conduction.
• Ce circuit est conforme aux standards AEC-Q101. Il utilise des matériaux conformes RoHS, 10 % sans plomb et respectueux de l’environnement, et fait partie de l’initiative de qualité automobile d’IR visant le zéro défaut.

Référence : par exemple DirectFET 2 AUIRF8736M2
Fournisseur : International Rectifier

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