Pour la première fois depuis trois ans, le marché mondial des matériaux pour la fabrication des semiconducteurs a reculé en 2012, affichant une baisse de 2% à 47,11 milliards de dollars, selon SEMI. L’organisation professionnelle rappelle que dans le même temps le marché mondial des semiconducteurs a reculé de 3% …

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Le marché des matériaux pour les opérations de fabrication au niveau de la tranche a reculé de 24,22 milliards à 23,38 milliards, principalement à cause de la baisse de la consommation de silicium. Le marché des matériaux de packaging s’est mieux comporté, enregistrant une légère croissance pour passer de 23,62 milliards de dollars en 2011, à 23,74 milliards en 2012.

Pour la troisième année de suite, Taïwan est resté le plus grand consommateur de matériaux pour la fabrication des semiconducteurs (10,32 milliards), grâce à sa base installée de fondeurs et de prestataires de services de mise en boîtiers. Le plus fort recul concerne l’Europe, dont la consommation de matériaux pour la fabrication des semiconducteurs est descendue à 3,03 milliards de dollars (-8%) pour ne plus représenter que 6,4% du total mondial.

Exprimées en euros, les ventes de semiconducteurs en Europe ont représenté 2,023 milliards d’euros en février, soit le même montant qu’en janvier 2013, mais un niveau inférieur de 2,7% à celui de février 2012, selon les statistiques du WSTS publiées par l’ESIA. Sur les deux premiers mois de l’année, le marché européen des semiconducteurs affiche ainsi un retard de 0,2% par rapport à janvier-février 2012 …

Rappelons qu’en dollars, les ventes de semiconducteurs de février en Europe ont été inférieures de 1,5% par rapport à celles de février 2012, mais supérieures de 1,4% à celles de janvier 2013. Soit une hausse de 2% pour les deux premiers mois de l’année. L’ESIA souligne la bonne tenue des ventes de février dans les discrets, l’optoélectronique, les circuits analogiques, les circuits logiques, les microcontrôleurs, les mémoires ainsi que les circuits dédiés analogiques et les circuits logiques dédiés à une application.

Par rapport à janvier-février 2012, les ventes mondiales ont également progressé de 2% sur les deux premiers mois de l’année. En février, elles ont ainsi atteint 23,25 milliards de dollars, soit 1,4% de plus qu’en février 2012, mais 3,8% de moins qu’en janvier 2013.

Dans son usine américaine de Saratoga County, le fondeur Globalfoundries vient de réaliser ses premiers circuits fonctionnels en technologie 20 nm avec vias silicium traversants intégrés. Ce procédé de fabrication 20 nm sur tranches de 200 mm de diamètre permet ainsi de réaliser des empilages de puces 3D pour accroître la miniaturisation …

Altis Semiconductor, le fondeur de spécialités de Corbeil-Essonnes (91), annonce la nouvelle génération de sa technologie CBRAM embarquée (eCBRAM), dont les échantillons de démonstration seront disponibles dès ce trimestre. Cette nouvelle technologie facilite la conception et la production, améliore la fiabilité et permet de meilleurs temps d’écriture des composants, selon le fondeur. La technologie eCBRAM est le résultat du partenariat entre Altis et Adesto Technologies. Elle renforcera l’offre NVM (mémoires non-volatiles) d’Altis, basée actuellement sur des technologies CMOS 130nm …

La technologie eCBRAM est adaptée aux applications grand public, communication sans-fil, sans-contact et sécurité qui demandent de très faibles tensions d’alimentation et des temps d’accès très rapides.

L’eCBRAM est une mémoire embarquée, associant la flexibilité d’une mémoire EEPROM à la densité d’une mémoire flash embarquée (voir notre article). La technologie eCBRAM proposée par Altis est entièrement compatible avec sa plateforme 130nm « basse consommation ». Afin de réduire les coûts de développement de ses clients pour leurs nouveaux produits, Altis leur propose de participer à son programme de prototypage multi-produits.

« De nombreux projets ont été déployés par nos clients depuis le démarrage de cette technologie eCBRAM en juin 2012. Grace à notre partenariat avec Adesto et à l’expertise d’Altis dans le développement de nouvelles technologies, cette nouvelle génération d’eCBRAM apportera une avancée technologique significative pour les applications nécessitant une faible consommation d'énergie», commente Pascal Louis, Directeur de la R&D d’Altis.

Cryptography Research, une division de Rambus, et StarChip, une jeune pousse française spécialisée dans la conception et la qualification de circuits intégrés pour cartes à puce, annoncent aujourd’hui la signature d’un accord de licence concernant l’utilisation des brevets de Cryptography Research dans les produits de StarChip. Les produits StarChip, implanté à Meyreuil, dans les Bouches-du-Rhône, sont basés sur des architectures flash 32-bits …

La mise en place des contre-mesures brevetées de Cryptography Research dans les produits de StarChip va leur permettre d’être protégés contre le DPA (analyse des différences de charges) et les attaques liées. La licence couvre les contre-mesures matérielles et logicielles développées par StarChip et par ses clients.

Le DPA est un type d’attaque qui utilise la surveillance des fluctuations de la consommation de courant électrique du dispositif ciblé et l’application de méthodes statistiques permettant d’extraire les clés cryptographiques secrètes. « Des contre-mesures efficaces contre le DPA sont nécessaires pour protéger les secrets détenus dans des applications comme les dispositifs mobiles, les moyens de paiement bancaires, la télévision payante, les documents d’identité sécurisés, les moyens de stockage sécurisés, les produits anti-contrefaçon et d’autres systèmes et composants électroniques », explique la filiale de Rambus. De nombreux standards de sécurité reconnus au niveau mondial requièrent la protection contre les attaques DPA et les attaques similaires. Cryptography Research détient un portefeuille de plus de 60 brevets couvrant les contre-mesures aux attaques DPA. Chaque année, plus de 6 milliards de produits sécurisés intègrent la technologie de Cryptography Research.

STMicroelectronics a entamé sa collaboration avec des partenaires du domaine de la recherche en vue de développer une ligne-pilote pour dispositifs mems de prochaine génération, qui sera enrichie par des technologies de pointe telles que les matériaux piézoélectriques ou magnétiques, et des conditionnements en 3D. Pour coordonner le projet Lab4MEMS, dont la durée est de 30 mois et la valeur de 28 millions d'euros, ST collaborera avec des universités, des instituts de recherche et des entreprises de haute technologie appartenant à neuf pays européens …

Ce projet est l'un des projets de lignes-pilotes de fabrication de technologies clés (KET) lancés dans le cadre d'un partenariat public-privé (Joint Undertaking - JU) de l'ENIAC, le conseil consultatif pour l'initiative européenne des nanotechnologies. Il bénéficie des installations de production de mems dont dispose ST en France, en Italie et à Malte pour mettre en place un ensemble complet de compétences en fabrication de produits de nouvelle génération, de la conception et la fabrication jusqu'aux tests et au conditionnement.

Avec plus de 800 brevets liés aux technologies mems, plus de trois milliards de produits livrés et d'importants moyens de fabrication internes capables de produire actuellement plus de 4 millions de mems par jour, ST dispose d’atouts solides pour diriger les travaux du projet Lab4MEMS et produire des circuits de prochaine génération. Le projet a pour vocation de développer des technologies telles que les couches minces piézoélectriques (PZT) afin d'améliorer les actuels mems qui font uniquement appel au silicium. Résultat, des améliorations telles que des déplacements plus importants, de meilleures capacités de détection et une plus grande densité d'énergie. Ces améliorations sont nécessaires pour créer des capteurs intelligents, des actionneurs, des micro-pompes et des systèmes de capture d'énergie qui répondent aux exigences des futures applications : stockage de données, impression à jet d'encre, santé, automobile, commande industrielle et immotique, et autres applications grand public telles que les smartphones ou les appareils de navigation.

Le projet permettra par ailleurs de développer des technologies de packaging de pointe et des interconnexions verticales de type flip-chip, vias traversants (TSV - Through-Silicon Vias) et TMV (Through-Mold Vias), en vue de réaliser des circuits 3D intégrés pour des applications telles que les capteurs corporels ou de télésurveillance. L'un des objectifs-clés consiste à mettre au point un procédé de dépôt de matériaux piézoélectriques (PZT) compatible avec la production en volume et de l'intégrer dans des processus mems afin de réaliser des actionneurs et des capteurs montés sur des systèmes sur puce industriels.

L'entreprise commune ENIAC-JU est un partenariat public-privé impliquant des États membres de l'ENIAC, l'Union européenne et l'Association pour les activités européennes dans le domaine de la nanoélectronique (AENEAS). Elle participe actuellement à hauteur de quelque 1,8 milliard d'euros au budget des projets de R&D, qu'elle sélectionne dans le cadre de ses appels à propositions. Le projet Lab4MEMS, coordonné par ST, a été sélectionné en 2012 et ses travaux ont débuté en janvier 2013.