Le programme SOGRID, lancé officiellement hier à Toulouse, rassemble 10 partenaires autour d’ERDF et de STMicroelectronics au sein d’un consortium. Le projet consiste à construire la chaîne de communication globale qui permettra à tous les équipements placés sur les réseaux basse et moyenne tension de communiquer directement via le réseau électrique. Concrètement, le consortium va développer une puce électronique de nouvelle génération, les équipements qui embarqueront cette puce et les logiciels qui y seront intégrés. Ce système global sera développé selon un nouveau protocole de communication CPL, -courant porteur en ligne-, qui permet de transmettre des informations numériques sur le réseau électrique …

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Aujourd’hui, il existe déjà des éléments d’intelligence sur le réseau de distribution électrique, en particulier sur le réseau moyenne tension. Mais pour l’heure, il s’agit de développer un système global de communication qui va permettre aux différents équipements installés sur le réseau de communiquer entre eux. La mise en place du compteur communicant au plus près du client en sera la première brique. SOGRID permettra de passer de ces éléments d’intelligence sur le réseau à un réseau intégralement intelligent.

Le projet SOGRID doit permettre de développer une puce électronique de nouvelle génération qui équipera les millions de matériels connectés au réseau électrique et qui leur permettra de communiquer entre eux et ainsi de constituer un réseau intelligent. Avec SOGRID, les partenaires du consortium ont l’ambition de définir un standard international de communication autour du protocole courant porteur en ligne (CPL), qui permettra le renforcement d’une filière industrielle d’excellence en France.

Par son aspect technologique innovant, le projet SOGRID porte en effet une ambition industrielle et économique majeure : celle de définir un standard international à même d’être exporté. Le projet doit favoriser le renforcement d’une filière industrielle française des semiconducteurs dans le cadre du développement des smart grids. En France, plus de 35 millions de compteurs communicants seront mis en service d’ici à 2020. A l’international, il se dessine un marché de 1,7 milliard de matériels électriques intelligents, dont 253 millions pour la seule Europe et 150 millions en Afrique et au Moyen-Orient.
Autour d’ERDF et STMicroelectronics le consortium réunit des industriels (Nexans, Sagemcom, Landis+Gyr, Capgemini), des PME innovantes (Trialog, LAN), et des partenaires universitaires et recherche : Grenoble INP (laboratoires G2Elab et LIG) en lien avec le LAAS-CNRS de Toulouse, et l’École polytechnique (Laboratoire d’informatique LIX).
Le budget total de SOGRID est de 27 millions d’euros et le projet mobilisera plus d’une centaine d’acteurs, chercheurs et industriels jusqu’à fin 2015. Le projet SOGRID a été conçu en réponse à l’Appel à Manifestation d’Intérêt (AMI) de l’ADEME (Agence De l’Environnement et de la Maîtrise de l’Energie) sur les réseaux électriques intelligents lancé dans le cadre du Programme des Investissements d’Avenir en 2011 et a été validé par l’Etat en 2012. Il bénéficie d’un soutien financier de l’ADEME à hauteur de 12 M€.

Une expérimentation grandeur nature sur Toulouse Métropole
Dans une seconde phase, le projet sera testé sur le terrain auprès des clients d’ERDF sur un démonstrateur de 1000 équipements, capteurs et coupleurs situés sur le territoire de Toulouse Métropole, à la fois en zone urbaine et en zone rurale. Cette expérimentation grandeur nature sur l’ensemble de la chaîne de distribution électrique, qui durera au moins six mois, aura pour objectif de valider la pertinence technique de cette infrastructure pour le gestionnaire de réseau de distribution, de comprendre le comportement des clients et de montrer comment fonctionnera le réseau de demain. Cette phase testera plus particulièrement les capacités de surveillance (état du réseau, localisation des défauts…) de pilotage et d’intervention (localisation des pannes, modulation de puissance…) en temps réel sur le réseau permises par la nouvelle chaîne de communication.

Calendrier du projet
11 avril 2013
• Lancement officiel du programme et signature de l’accord de consortium par les dix partenaires
2013
• Phase de conceptualisation des différents composants et travail sur les prototypes
2014
• Intégration des compteurs, capteurs et concentrateurs dans un réseau entièrement CPL, essais en laboratoire
2014-2015
• Mise en œuvre du démonstrateur auprès de 1000 clients sur le territoire de Toulouse Métropole.
À partir de 2016
• Intégration progressive du nouveau système dans le réseau et commercialisation des équipements développés par le programme (puce, capteurs, coupleurs, concentrateurs intelligence logicielle)

Le Britannique ARM et le spécialiste américain de la CAO électronique Cadence annoncent les détails de leur collaboration en vue de la mise en œuvre du premier processeur ARM Cortex-A57 sur un processus de fabrication 16 nm FinFET du fondeurs taïwanais TSMC. Le processeur Cortex-A57 est le processeur le plus performant de ARM à ce jour, et est basé sur la nouvelle architecture ARMv8, conçu pour des applications de calcul, de mise en réseau et mobiles qui exigent plus de performance pour moins de puissance dissipée …

La puce de test a été mise en œuvre à l'aide du flot complet de RTL-to-signoff de Cadence, la plate-forme de conception custom Cadence Virtuoso, les bibliothèques de cellules standard ARM Artisan et les macros de mémoire de TSMC.

Cadence a également annoncé l’existence d’un contrat pluriannuel avec TSMC, portant sur le développement de l'infrastructure de conception destinée à la technologie FinFET 16 nanomètres (nm) et ciblant les conceptions avancées pour des applications mobile, réseau, serveur et de circuits logiques programmables (FPGA).

Les FinFET offrent des avantages en matière de puissance, de performance et de superficie : à l'inverse d'un transistor à effet de champ (FET), plan, le FinFET fait appel à une structure semblable à une ailette verticale qui dépasse du substrat avec la porte qui s'enroule autour des côtés et du sommet de l'ailette, produisant ainsi des transistors à faibles courants de fuite et de performance de commutation rapide, précise Cadence.
« L'étroite collaboration, commençant plus tôt que d'habitude dans le processus de conception, permettra de relever efficacement les défis spécifiques à l’utilisation de la technologie FinFET - de l'analyse du circuit jusqu'à la phase de validation - et d'offrir l'infrastructure nécessaire à la production de puces à hautes performances et de puissance ultra-faible », selon le communiqué du spécialiste américain de la CAO électronique.

Le Taïwanais TSMC, premier fondeur mondial, a réalisé en mars un chiffre d’affaires de 44,13 milliards de dollars taïwanais (1469 M$), en hausse de 7,2% par rapport à février 2013, et en progression de 18,9% par rapport à mars 2012. Sur les trois premiers mois de l’année, TSMC affiche ainsi des ventes en hausse de 25,7%, à 132,76 milliards de dollars taïwanais (4,42 milliards de dollars) par rapport au premier trimestre 2012 …

Selon la presse taïwanaise, TSMC viserait ainsi une hausse de 15% à 20% de son chiffre d’affaires pour l’ensemble de 2013.

De son côté, son compatriote UMC affiche pour le mois de mars un chiffre d’affaires de 9,6 milliards de dollars taïwanais (320 M$), en hausse de 6,86% par rapport à mars 2012. Au premier trimestre, UMC affiche ainsi des ventes en hausse de 5,76%, à 27,78 milliards de dollars taïwanais (925 M$), par rapport à janvier-mars 2012.

Le quatrième trimestre a été meilleur que prévu pour IHS iSuppli, qui dresse à son tour le bilan de l’année 2012. Pour le cabinet d’études, après trois trimestres de baisse par rapport au même trimestre de l’année précédente, le quatrième trimestre a vu les ventes mondiales de semiconducteurs progresser de 2,8% par rapport aux trois derniers mois de 2012. IHS y voit l’amorce d’un nouveau cycle vertueux pour l’industrie mondiale des semiconducteurs qui devrait croître de 5,6% en 2013, effaçant ainsi la baisse de 2,2% de 2012, à 304,14 milliards de dollars …

L’an passé, les imageurs CMOS (+38,8% par rapport à 2011), les Asic logiques (+19%), les DEL (+11,9%), les circuits de commande d’écrans (+6,9%) et les capteurs et actuateurs (+6,1%) ont le mieux résisté à la crise. Les seules autres familles à avoir progressé ont été les circuits logiques dédiés et les circuits logiques standards.

Le classement des 25 premiers fabricants mondiaux établi par IHS montre que seulement huit fournisseurs ont enregistré une croissance en 2012 (Samsung, Qualcomm, Broadcom, Sony, NXP, nVidia, MediaTek et LSI). Parmi les autres, neuf fabricants ont enregistré une chute de leurs ventes supérieure à 10% (Texas Instruments, Toshiba, Renesas, STMicroelectronics, Advanced Micro Devices, Freescale, Elpida, Panasonic et On Semiconductor).

Selon le bilan définitif de Gartner, les 25 premiers fabricants mondiaux de semiconducteurs –hors fondeurs type TSMC- ont vu leurs ventes cumulées diminuer de 2,8%, soit légèrement plus que l’ensemble du marché des semiconducteurs qui a reculé de 2,6%, à 299,9 milliards de dollars. Leur part de marché est ainsi descendue de 69% à 68,9% …

Les ressorts traditionnels de la croissance des ventes de semiconducteurs que sont les marchés de l’informatique, du sans fil, de l’électronique grand public et de l’automobile ont beaucoup souffert l’an passé, tandis que les marchés de l’industriel, du médical, des télécommunications filaires, de l’aéronautique et de la défense, traditionnellement moins exposés à la conjoncture des dépenses des ménages ont également réduit leur consommation de semiconducteurs, explique le cabinet d’études américain. Gartner met également en avant l’excès de stocks de composants comme un frein à la croissance.
Dans ce contexte, la société fabless américaine Qualcomm, fournisseur de circuits pour téléphones mobiles, a tiré son épingle du jeu pour s’emparer du troisième rang mondial. Gartner estime également que NXP s’est bien comporté, alors qu’à l’inverse, Freescale, STMicroelectronics et AMD ont « sous-performé ».

En excluant les fondeurs, ce classement diffère peu de celui d’IC Insights.

Le fabricant britannique Plessey annonce l’échantillonnage de ses premières diodes électroluminescentes haute luminosité en nitrure de gallium sur silicium réalisées sur tranches de 150 mm de diamètre. Ces DELs seront produites dans l’usine de Plymouth de Plessey. Selon le fabricant britannique, la solution GaN-Si permettrait de réduire les coûts de 80% par rapport aux solutions de production de DELs en technologie SiC ou corindon …

Le procédé de fabrication « 6-inch MAGIC » de Plessey a été développée grâce au rachat en février 2012 de son compatriote CamGaN, une entreprise créée en 2010 et issue de l’université de Cambridge, qui avait développé cette technologie de GaN sur silicium. Actuellement, le fabricant britannique revendique des rendements de plus de 95% avec ce procédé. L’entreprise britannique a bénéficié d’une subvention de 3,5 M£ pour industrialiser cette technologie qui lui a permis de créer une centaine d’emplois dans la région de Plymouth.