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R&D : 234 article(s).
Renouvellement de l’agrément CIR de Tronico

Sous traitance>France>R&D>Stratégie
13-12-2012 15:04:36 :

Le Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche (MESR) vient de notifier à Tronico le renouvellement pour une durée de 3 ans (2012, 2013 et 2014) de son agrément en tant que « organisme exécutant des travaux de recherche et de développement pour le compte d’entreprises ». Cet agrément reconnaît la capacité du sous-traitant à mener des travaux de R&D éligibles au titre du crédit d’impôt recherche (CIR)…
 
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De ce fait, il permet aux clients de Tronico d’imputer dans leur assiette de CIR les factures émises par le sous-traitant pour des travaux de R&D en électronique.

En parallèle, Tronico poursuit sa stratégie de développement de sa direction technique et s’enrichit de nouvelles compétences. L’équipe est aujourd’hui composée d’une cinquantaine de personnes, réparties sur ses deux sites de conception (Nantes et Grenoble) pour une surface totale de 700m².

Depuis 2002, Tronico est une filiale du groupe ALCEN qui travaille dans 4 domaines : la défense, l'énergie, les machines médicales, l'aéronautique. La société dispose de 2 sites de production (France pour les produits complexes – Maroc pour la production de produits matures à bas coûts) et 2 site de conception (St Philbert de Bouaine et Grenoble).

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Le Parlement européen approuve la réglementation sur le brevet unitaire

Filière électronique>Europe>R&D>Politique
12-12-2012 14:39:46 :

Les inventeurs de l'Union européenne vont disposer bientôt d'un brevet unitaire. Après plus de 30 ans de pourparlers, le nouveau régime va réduire jusqu'à 80% des coûts d'un brevet dans l'Union européenne et le rendre plus compétitif face aux États-Unis et au Japon. Lorsque le nouveau système fonctionnera à plein régime, un brevet européen pourrait coûter seulement 4725 euros, comparés aux 36 000 euros nécessaires actuellement, selon la Commission européenne…

Les députés ont réduit les coûts d’un brevet pour les petites entreprises et adapté le système à leur besoins, dans un compromis conclu avec le Conseil et approuvé par le Parlement ce mercredi. Le nouveau brevet sera moins onéreux et plus efficace que le système actuel en termes de protection des inventions des entreprises et des particuliers. Le nouveau système assurera une protection automatique du brevet unitaire dans les 25 États membres participants, réduira fortement les coûts des entreprises européennes, et contribuera à stimuler leur compétitivité.

L'accord international mettant sur pied la juridiction unifiée en matière de brevet entrera en vigueur le 1er janvier 2014 ou après sa ratification dans treize États contractants, à condition que le Royaume-Uni, la France et l'Allemagne en fassent partie. Les deux autres volets seront d'application à compter du 1er janvier 2014 ou à la date de l'entrée en vigueur de l'accord international, si celle-ci intervient après cette date. L'Espagne et l'Italie sont jusqu'à présent en dehors du nouveau régime, mais elles pourront participer, à tout moment, au processus de décision.

Questions-réponses sur le brevet européen

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ST est prêt pour lancer à Crolles une fabrication en technologie FD-SOI 28 nm

Semiconducteurs>Production>France>R&D>Stratégie
11-12-2012 16:12:58 :

En marge de son plan stratégique de repositionnement, STMicroelectronics annonce une nouvelle étape vers la disponibilité de sa plate-forme technologique FD-SOI (Fully Depleted-Silicon on Insulator) de 28 nm, qui est à présent disponible pour les opérations de pré-production dans son usine de 300 mm située à Crolles (Isère). Cette annonce confirme la capacité de ST à proposer sa technologie planaire totalement déplétée dans le noeud de 28 nm. Cette technologie validée sur silicium conjugue une vitesse en hausse de 30% et une baisse de la consommation pouvant atteindre 50% par rapport à une technologie équivalente sur silicium massif…

La plate-forme technologique FD-SOI prévoit la disponibilité d'une plate-forme de conception dotée de toutes les fonctionnalités requises et validée sur silicium, avec le jeu complet de bibliothèques de base (circuits précaractérisés, générateurs de mémoire, entrées/sorties, blocs de propriété intellectuelle AMS et interfaces à haut débit) et un flux de conception pour développer des produits ultra-rapides et économes en énergie.

La technologie FD-SOI de ST a déjà été choisie par ST-Ericsson, -dont ST va se séparer d’ici ai 3e trimestre 2013-, pour être utilisée dans ses futures plates-formes mobiles.
Cette évolution est déterminante pour répondre aux attentes du marché des applications multimédias et portables dont les processeurs embarqués doivent être capables de répondre aux exigences de performances et de consommation les plus strictes.

« En permettant à la technologie FD-SOI de franchir le stade de la fabricabilité, ST se positionne à la pointe de l'innovation et comme un leader dans le développement et la fabrication de circuits intégrés », a déclaré Jean-Marc Chery, Vice-président exécutif, Chief Manufacturing & Technology Officer, directeur général du secteur numérique de ST.

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ST et le Léti récompensés pour leurs travaux sur le FD-SOI

Semiconducteurs>France>R&D
06-12-2012 15:24:48 :

Quatre chercheurs du CEA-Léti et de STMicroelectronics reçoivent le Grand prix de l'électronique du Général Ferrié 2012 pour leurs travaux sur le FD-SOI. Le prix a en effet été attribué à Claire Fenouillet-Beranger et Olivier Faynot pour le CEA-Léti, et Stéphane Monfray et Frédéric Boeuf pour STMicroelectronics. Cette récompense de prestige honore un ingénieur ou une équipe scientifique dont les travaux ont contribué d'une manière importante aux progrès de l'électronique et de ses applications…

Grâce à leurs travaux sur la technologie FD-SOI qui permet de réaliser des transistors sur un substrat de silicium ultra mince reposant sur un isolant, ces quatre chercheurs ont trouvé une rupture technologique majeure pour la poursuite de la miniaturisation des circuits électroniques. Cette technologie dite planaire, qui s'appelle FD-SOI pour Fully-Depleted-Silicon-On-Insulator, permet de réutiliser les procédés de fabrication des technologies conventionnelles, contrairement aux transistors dits FinFET, parfois appelés également « transistors 3D ».

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Qualcomm investit 120 M$ dans Sharp

Télécoms>Semiconducteurs>Afficheurs>Etats Unis>Japon>Accords>R&D>Financement
05-12-2012 15:52:02 :

Qualcomm vient à la rescousse de Sharp en annonçant un investissement de 120 M$ pour prendre une participation minoritaire au capital du fabricant japonais d’écrans LCD en grandes difficultés financières. L’accord, conclu hier, se double d’un partenariat technologique associant Sharp et Pixtronix, une filiale de Qualcomm, afin d’accélérer la commercialisation d’écrans basse consommation à base de mems de Pixtronix faisant appel à la technologie IGSO (Indium Gallium Zinc Oxide) de Sharp…

Sharp et Pixtronix sont engagés dans des développements communs dans les afficheurs depuis 18 mois. L’objectif des deux partenaires est de pouvoir faire appel aux infrastructures actuelles de fabrication de LCD pour produire des écrans ultrafins et basse consommation associant la technologie mems de Pixtronix et la technologie IGSO de Sharp. Qualcomm et Sharp vont également étudier d’autres collaborations associant les jeux de circuits de l’Américain et la technologie d’affichage basse consommation du Japonais pour des terminaux mobiles, de type smartphones et tablettes.

Avec cet accord stratégique, Sharp compte baser sa stratégie de croissance sur les écrans petits et moyens formats, avec au cœur la technologie IGSO.

Qualcomm, qui devrait cette année devenir le troisième fabricant mondial de semiconducteurs, est donc le premier des géants mondiaux à sauter le pas pour entrer au capital de Sharp et participer au sauvetage de l’entreprise (des rumeurs avaient également pressenti Intel, Apple, Google, voire Microsoft comme de possibles investisseurs dans Sharp). Car si le groupe japonais est financièrement mal en point, il fait toujours figure d’innovateur technologique de premier plan dans les écrans plats.

Par ailleurs, la presse japonaise croit savoir que les négociations avec Hon Hai Foxconn qui traînaient en longueur depuis des mois on finalement été abandonnées.

Sharp avait annoncé récemment que 2960 salariés avaient répondu favorablement au plan de départ volontaire décidé cet été, soit près de 1000 personnes de plus que prévu initialement. Ces salariés quitteront l’entreprise le 15 décembre prochain. Sharp va comptabiliser une perte exceptionnelle de 25,3 milliards de yens (243 millions d’euros). Pour son trimestre fiscal clos fin septembre, Sharp a réalisé un chiffre d’affaires de 645,5 milliards de yens (8 milliards de dollars), en baisse de 4% sur un an, avec une perte nette de 249,1 milliards de yens (3,1 milliards de dollars). Sharp prévoit que sa perte nette annuelle pour l’exercice clos fin mars 2013 atteindra 450 milliards de yens (5,6 milliards de dollars), soit près du double de sa prévision initiale d’une perte de 250 milliards.

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Les pôles de compétitivité doivent devenir des « usines à produits d’avenir »

Filière électronique>France>R&D>Politique
05-12-2012 15:48:49 :

Lors de la onzième journée des pôles de compétitivité organisée hier à Bercy, le gouvernement a dressé la feuille de route des pôles de compétitivité pour les années à venir. Sans être aussi iconoclaste que le rapport de l’Institut de l’entreprise présenté à cette occasion et qui préconise de réduire le nombre de pôle à une dizaine, voire une quinzaine, contre 71 actuellement, les pouvoirs publics souhaitent désormais que les pôles de compétitivité focalisent leur énergie sur les retombées économiques, l’industrialisation et la diffusion des innovations dans les produits et services…

Arnaud Montebourg, ministre du Redressement productif, et Fleur Pellerin, ministre déléguée chargée des petites et moyennes entreprises, de l’innovation et de l’économie numérique ont ainsi détaillé l’ambition assignée par le gouvernement aux pôles de compétitivité, ambition annoncée par la mesure numéro 10 du pacte pour la croissance, la compétitivité et l’emploi.

« La réussite des pôles de compétitivité dans le travail coopératif et l'émergence de programmes de recherche et développement doivent leur permettre d’évoluer vers la création d’usines à produits d’avenir, outils déterminants dans la compétitivité de l'industrie française », ont exhorté les ministres. Les régions seront également davantage impliquées dans la gouvernance de cette politique.

Arnaud Montebourg a précisé que les pôles doivent s’organiser pour mieux convertir leurs projets de R&D en programmes industriels et devenir ainsi de véritables usines à produits d’avenir. Les pôles de compétitivité travailleront aussi en plus étroite collaboration avec les filières industrielles du Conseil National de l’Industrie. Fleur Pellerin a expliqué que les pôles de compétitivité doivent accroître leur effort d’accompagnement des PME, notamment pour l’accès au financement et l’exportation. Elle a insisté sur la mobilisation des directions des achats des grands groupes pour renforcer les collaborations dans le tissu industriel français.

Le rapport d’évaluation des pôles présenté par l’Institut de l’entreprise était particulièrement cinglant : seul un quart des projets accompagnés par les pôles génère effectivement une innovation. En France en 2012, les pôles représentent seulement : 1,5% des brevets ; 4,5% des dépenses de R&D ; 5% des créations d’entreprises innovantes.

L’institut a fait trois propositions (qui n’engagent pas le gouvernement) :
Proposition 1 : Réduire le nombre de pôles existants et les concentrer sur les secteurs à fort potentiel
La France compte aujourd’hui 71 pôles de compétitivité (contre 15 clusters d’excellence en Allemagne et 6 seulement en Finlande). 62 d’entre eux se partagent 50% du financement global disponible. De plus, ces pôles concernent peu les secteurs à plus fort potentiel et ne couvrent que 13 des 85 « technologies d’avenir ». Il est nécessaire de mettre fin à cette logique du « saupoudrage » en ramenant ce nombre à une dizaine, voire une quinzaine de pôles capables d’atteindre une taille critique et de se concentrer sur les secteurs à plus fort potentiel.

Proposition 2 : Renforcer la capacité des pôles à accompagner l’innovation et la mise sur le marché des projets
Les pôles de compétitivité sont encore majoritairement pilotés par l’État et très concentrés sur l’innovation «amont». Axés sur le développement de nouvelles technologies, ils soutiennent en priorité des programmes de R&D à forte composante publique. Or, la France accuse un plus grand retard en innovation «aval» qu’au niveau «amont». Selon l’OCDE, si la dépense de R&D française est en ligne avec la moyenne des pays développés, seules 23% des entreprises françaises ont recours à l’innovation non-technologique (contre 47% en Allemagne). Les pôles doivent donc renforcer leur capacité à proposer des services en matière de commercialisation, de design, de mise en place de nouveaux business models.

Proposition 3 : Impliquer davantage les grandes entreprises
Les pôles de compétitivité, à l’origine conçus dans une perspective de R&D plutôt que de mise sur le marché, impliquent peu les grands groupes. Alors qu’elles représentent 62% de l’effort de R&D français, les grandes entreprises n’ont bénéficié que de 10% environ de la politique des pôles de compétitivité. Pour ne pas priver les pôles de compétitivité de vecteurs de développement majeurs, il est impératif d’intégrer davantage les grands groupes à ces dispositifs grâce à une offre de services adaptée à leurs besoins et à leur forte orientation internationale, demande l’Institut.

Cliquer sur l’image pour télécharger le rapport de complet de 50 pages.

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