Fujitsu Semiconductor vient d’annoncer un accord avec l’Américain Transphorm pour intégrer leurs activités respectives dans les circuits de puissance en nitrure de gallium (GaN). En rassemblant leurs technologies sous la bannière de Transphorm, les deux partenaires veulent accélérer l’établissement d’une source de production de volume de circuits GaN de haute fiabilité et de hautes performances …

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Fujitsu Semiconductor et sa maison-mère Fujitsu vont également prendre une participation minoritaire au capital de Transphorm. Dans la pratique, Fujitsu Semiconductor et sa maison-mère Fujitsu vont rassembler leurs activités GaN dans une société commune au Japon, qui deviendra une filiale à 100% de Transphorm. Ce dernier mènera ainsi ses travaux de R&D en GaN aux Etats-Unis et au Japon et fera appel à l’usine de Fujitsu Semiconductor d’Aizu-Wakamatsu pour la production.

Le Parisien Sequans Communications, spécialisé dans les circuits intégrés 4G, vient d’annoncer une collaboration avec le Chinois Huawei, un fournisseur d’infrastructure de réseaux 4G qui a le vent en poupe, dans le but de développer la maturité de la technologie eMBMS (evolved multimedia broadcast multicast service), également connue sous le nom de Broadcast LTE …

Cette technologie permet aux opérateurs de réseaux mobiles de réduire le coût de la fourniture de contenus qui réclament beaucoup de bande passante (vidéos notamment) en effectuant la transmission en une seule fois à de multiples utilisateurs sur les réseaux 4G.
Les deux partenaires viennent de conduire des tests d’interopérabilité faisant appels aux équipements d’infrastructures de l’équipementier chinois et aux semiconducteurs LTE « eMBMS-capable » de Sequans.

Rappelons que la banque publique d’investissement vient d’investir 8,6 millions de dollars dans Sequans Communications, cette nouvelle opération portant sa participation autour de 10% dans le capital de la start-up. Au troisième trimestre, Sequans a réalisé un chiffre d’affaires de 4,1 M$, en hausse de 73% en trois mois, mais en baisse de près de moitié par rapport au troisième trimestre 2012. Sa perte nette a atteint 8,8 M$, contre 9,1 M$ au deuxième trimestre 2013 et 5,8 M$, il y a un an.

Le fabricant de semiconducteurs néerlandais NXP Semiconductors vient d’annoncer la création d’une société commune avec Datang Telecom Technology, une société d’Etat chinoise. Baptisée Datang NXP Semiconductors, la nouvelle entreprise, considérée par NXP comme la première « vraie » entreprise de semiconducteurs pour l’automobile en Chine, se focalisera sur le développement et la vente de semiconducteurs pour le marché chinois des véhicules électriques et hybrides, une priorité pour le plan à cinq ans du gouvernent chinois …

NXP détiendra 49% de la co-entreprise et Datang Telecom 51%. Datang Telecom est spécialisé dans le développement de circuits intégrés, de logiciels, de terminaux et d’équipements de télécommunications mobiles.

Installée à Natong, près de Shanghia, cette entreprise fabless bénéficiera de transferts de technologies de la part de NXP, notamment en puissance dans le domaine de la gestion des accumulateurs. La co-entreprise développera et vendra des circuits intégrés dédiés pour l’automobile appartenant à la catégorie HPMS (High Performance Mixed Signal technology), selon le jargon de NXP.

NXP est considéré comme le premier fournisseur de semiconducteurs pour le marché automobile chinois, selon Strategy Analytics. Globalement, NXP devrait réaliser un chiffre d’affaires de 1009 M$ dans l’automobile cette année (+8% par rapport à 2012) et adresse un marché qu’il évalue à 3063 M$.

Le Grenoblois Soitec et le fabricant américain de tranches de silicium SunEdison (anciennement MEMC) annoncent la conclusion d’un accord de licences croisées relatif à leurs brevets liés aux substrats de silicium-sur-isolant (SOI). L'accord permet à chaque entreprise un accès au portefeuille de l'autre en matière de brevets pour les technologies SOI et il met fin à tous les litiges en suspens entre elles …

L'accord, donne accès à un portefeuille de brevets des deux sociétés, couvre la fabrication de substrats existants tels que le SOI partiellement déplété (PD- SOI), le SOI totalement déplété (FD- SOI) et le SOI pour applications radiofréquence (RF- SOI) ainsi que les produits avancés FinFET.

Outre les technologies actuelles inclues dans l'accord, Soitec et SunEdison ont convenu de s'accorder mutuellement le droit d'utiliser leurs brevets respectifs en propriété exclusive à des fins de recherche et de développement pour des applications au-delà du noeud 10 nm. Cela permettra aux deux entreprises de développer des produits dans lesquels la couche active (dans laquelle les dispositifs sont fabriqués) est constituée d'un matériau semiconducteur autre que du silicium simple et non contraint, tel qu'un composé de silicium-germanium, du germanium ou des matériaux III-V. Ces matériaux semi-conducteurs avancés permettent la fabrication de transistors à canal à haute mobilité pour les applications numériques de prochaines générations.

Les autres conditions de l'accord ne sont pas divulguées.

La presse japonaise, par la voix du Nikkei, croit savoir qu’une grande alliance est en préparation associant une vingtaine d’entreprises pour perfectionner le développement de mémoires MRAM, avant d’en lancer une production de masse à partir de 2018 dans l’espoir de supplanter les mémoires Drams. Cette alliance, qui n’a pas encore été officialisée, associerait le fabricant de mémoires américain Micron Technology (qui a racheté cette année le Japonais Elpida Memory), à plusieurs ténors japonais, dont Renesas Electronics, Hitachi, Tokyo Electron, Shin-Etsu Handotai, etc …

Selon la presse nippone, l’objectif des supposés partenaires est de parfaire le développement de mémoires MRAM (Magnetic Random Access Memories ou mémoires magnétiques à accès aléatoire), afin de les rendre capables de réduire la consommation des deux-tiers par rapport aux Drams existantes, avec un potentiel de densité de stockage dix fois supérieur.
Les mémoires MRAM sont des sujets de recherche partout dans le monde. Le Nikkei cite notamment les projets de Samsung et du tandem Toshiba/SK Hynix (voir leur communiqué de juillet 2011 dans ce domaine). Ajoutons qu’en France, la start-up d’origine grenobloise Crocus Technology est également sur les rangs.

Crée en 2004 par essaimage du Spintec, -un laboratoire commun au CNRS et au CEA-, Crocus a signé en mai dernier un accord de licence et de promotion conjointe avec le fondeur de spécialité israélien TowerJazz. Cet accord permet à TowerJazz d’utiliser la technologie MLU (Magnetic Logic Unit) de Crocus pour les applications embarquées SoC de ses clients. Crocus prévoit également d’utiliser les capacités de production du fondeur pour mettre sur le marché dans le courant de l’année ses propres capteurs magnétiques et mémoires non volatiles. Crocus est dirigé par Bertrand Cambou.

Faurecia et Magneti Marelli annoncent la signature d'un accord de coopération pour la conception, le développement et la fabrication de produits d'interface homme-machine (IHM) pour l'intérieur véhicule. Grâce à cet accord, Faurecia et Magneti Marelli ambitionnent d'élargir leur offre de systèmes d'intérieur, en y ajoutant des solutions d'interface homme-machine à une gamme de produits tels que des façades centrales, commandes de plafonnier et écrans tactiles rétractables ou à l'intégration physique d'appareils nomades tels que smartphones et tablettes numériques …

Le partenariat s'appuie sur l'expertise combinée de Faurecia et de Magneti Marelli. Faurecia apporte son expertise dans les architectures et solutions d'intérieur véhicule, tandis que Magneti Marelli apporte ses compétences étendues dans les domaines des écrans, de l'électronique, des commutateurs et des fonctions tactiles. En joignant leurs compétences et leur savoir-faire les partenaires comptent fournir une large gamme de solutions avec des matériaux innovants, de la mécatronique et des interfaces naturelles.

« Cet accord conduit à une nouvelle ère de solutions intégrées d'interface homme-machine, dans laquelle l'expérience de l'utilisateur de recevoir, gérer et partager des informations à l'intérieur de la voiture, se déplace vers une interface unique, interactive et élargie, où la fusion entre les plastiques et l'électronique est cruciale », souligne Eugenio Razelli, Directeur Général de Magneti Marelli.

« Il s'agit d'une étape importante dans l'évolution de notre offre de systèmes d'intérieur afin de répondre aux besoins des constructeurs automobiles pour une connectivité accrue et une utilisation intelligente de l'architecture intérieure », a déclaré Yann Delabrière, Président-directeur général de Faurecia.

Faurecia vise à renforcer son leadership mondial dans l'intérieur véhicule en proposant l'intégration physique des appareils mobiles, tels que les smartphones, tablettes et autres appareils. Faurecia propose déjà des composants de recharge sans-fil grâce à son partenariat avec PLDS (Philips & Lite-On Digital Solutions).

Magneti Marelli vise à renforcer sa position de leader dans l'électronique automobile grâce à sa capacité à mettre en œuvre des solutions complètes d'IHM (voix, toucher, affichage) capables d'accompagner les constructeurs automobiles en termes de style, de fonctionnalités et d'intégration physique des appareils grand-public.

Faurecia est le sixième équipementier automobile mondial dans quatre activités clés : sièges d'automobile, technologies de contrôle des émissions, systèmes d'intérieur et extérieurs d'automobile. Le groupe a réalisé en 2012 un chiffre d'affaires de 17,4 milliards d'euros. Au 31 décembre 2012, Faurecia employait 94 000 personnes dans 34 pays sur 320 sites, dont 30 centres de R&D.

L’Italien Magneti Marelli est un groupe international engagé dans la conception et la production de systèmes et de composants de haute technologie pour le secteur automobile. Avec environ de 37 000 employés, 86 usines, 12 centres de R & D et 26 centres d'application, le groupe est présent dans 19 pays.