Le Grenoblois Soitec et le fabricant américain de tranches de silicium SunEdison (anciennement MEMC) annoncent la conclusion d’un accord de licences croisées relatif à leurs brevets liés aux substrats de silicium-sur-isolant (SOI). L'accord permet à chaque entreprise un accès au portefeuille de l'autre en matière de brevets pour les technologies SOI et il met fin à tous les litiges en suspens entre elles …

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L'accord, donne accès à un portefeuille de brevets des deux sociétés, couvre la fabrication de substrats existants tels que le SOI partiellement déplété (PD- SOI), le SOI totalement déplété (FD- SOI) et le SOI pour applications radiofréquence (RF- SOI) ainsi que les produits avancés FinFET.

Outre les technologies actuelles inclues dans l'accord, Soitec et SunEdison ont convenu de s'accorder mutuellement le droit d'utiliser leurs brevets respectifs en propriété exclusive à des fins de recherche et de développement pour des applications au-delà du noeud 10 nm. Cela permettra aux deux entreprises de développer des produits dans lesquels la couche active (dans laquelle les dispositifs sont fabriqués) est constituée d'un matériau semiconducteur autre que du silicium simple et non contraint, tel qu'un composé de silicium-germanium, du germanium ou des matériaux III-V. Ces matériaux semi-conducteurs avancés permettent la fabrication de transistors à canal à haute mobilité pour les applications numériques de prochaines générations.

Les autres conditions de l'accord ne sont pas divulguées.