<

publicité

br> Toshiba a démarré cet été au Japon la construction d’une unité de production supplémentaire destinée à la fabrication de mémoires flash NAND de sa société commune avec l’Américain Sandisk ; la construction devrait être achevée au printemps 2011.

Samsung Electronics et Toshiba se sont par ailleurs engagés à développer la technologie de mémoire flash NAND haute performance la plus évoluée qui soit à l'heure actuelle, soit une mémoire flash DDR (taux de transfert double) avec une interface de 400 mégabits par seconde (Mbit/s), avec les spécifications DDR 2.0. Les deux sociétés soutiendront les spécifications du standard d'industrie pour permettre la plus large acceptation de cette nouvelle technologie haute vitesse.