Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer que sa technologie MOSFET de puissance DTMOS-IV SJ (superjonction) de nouvelle génération était pour la première fois disponible en petit boîtier DFN miniature bas-profil. Les transistors MOSFET DTMOS-IV 600V en boîtier DFN seront destinés aux applications de commutation rapide, dans les alimentations, les ballasts d'éclairage ou d'autres applications nécessitant une solution moins encombrante qu'un boîtier D2PAK ou DPAK conventionnels …

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• Avec des courants nominaux allant de 9,7A à plus de 30A, les nouveaux MOSFET 600V de la famille TKxV60W offrent des résistances à l'état passant (RDS(ON)) allant de 0,38 Ohm à seulement 0,098 Ohm.
• Le facteur de mérite RDS(ON) Qg assure une commutation à haut-rendement, tandis que la faible capacitance de sortie (Coss) permet un fonctionnement optimal avec de faibles charges. Chaque dispositif intègre également une broche de détection pour la connexion directe d'un driver.
• Avec ses 8 x 8 mm, l'encombrement du module DFN est 20% plus faible que celui d'un module D2PAK. Son épaisseur de 0,85 mm seulement est près de trois fois inférieure à celle d'un DPAK classique, et plus de cinq fois inférieure à celle d'un D2PAK.

Référence : par exemple DTMOS-IV SJ
Fournisseur : Toshiba

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