Le Grenoblois Soitec, leader mondial des tranches SOI et spécialiste du photovoltaïque à concentration, annonce un chiffre d'affaires annuel au titre de l'exercice 2012-2013 de 262,9 millions d'euros, en baisse de 18,7% par rapport à l'exercice précédent, sous l'effet de la chute plus rapide que prévu, sur le marché électronique, des ventes de PC et autres ventes connexes. Le repli notable de la demande pour les tranches en 300 mm, la faible utilisation des capacités industrielles et la poursuite des investissements dans la R&D, ajoutés aux performances du segment énergie solaire, se sont soldés par une perte opérationnelle courante de 123,0 millions d'euros, contre 45,9 millions d'euros pour l'exercice précédent. La perte nette (part du groupe) atteint 209,5 millions d'euros après une perte de 56,3 millions d'euros pour l'exercice 2011-2012 …

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Sur l'ensemble de l'exercice, le chiffre d'affaires du segment électronique a reculé de 18,8 % à 257,1 millions d'euros. Le chiffre d'affaires du segment énergie solaire s'est inscrit à 5,8 millions d'euros, contre 6,8 M€ un an plus tôt.

La trésorerie disponible du groupe s'inscrivait à 130,1 millions d'euros au 31 mars 2013. Les investissements stratégiques déjà annoncés, en particulier la création d'installations de fabrication et autres structures opérationnelles pour le segment énergie solaire sont désormais terminés et Soitec ne pense pas réaliser d'autres investissements d'envergure au cours de l'exercice 2013-2014.

Soitec compte enregistrer une solide croissance à deux chiffres sur l'exercice 2013-2014. Il prévoit en effet une contribution plus équilibrée aux recettes des segments électronique et énergie solaire. S'agissant du segment électronique, la demande de produits mobiles (tablettes, téléphones mobiles) devrait, selon ses prévisions, compenser en partie le repli attendu des ventes dédiées aux PC et aux consoles de jeux. Le segment énergie solaire devrait apporter une contribution « notable » au chiffre d'affaires total du groupe.
Soitec compte poursuivre l'optimisation de sa structure des coûts en lien avec les tendances de marchés sous un programme stratégique « Soitec 2015 ». Ce programme doit conduire à un retour à la profitabilité au cours de la période.

Même si elles sont encore très loin de leur niveau d’il y a un an, les commandes des équipements pour la fabrication des semiconducteurs poursuivent leur remontée en avril, tant pour les machines américaines que japonaises. Elles ont de plus été supérieures aux facturations, signe que l’amélioration devrait se poursuivre …

Selon SEMI, les prises de commandes en équipements US pour la fabrication des semiconducteurs ont ainsi représenté 1,17 milliard de dollars en avril 2013, soit 6,4% de plus qu’en mars 2013 et 26,8% de moins qu’en avril 2012. Les facturations ont pour leur part augmenté de 9,3% en un mois, à 1080 M$, et ont été inférieures de 25,7% à celles d’avril 2012. Le book-to-bill (rapport commandes sur facturations) des fabricants d’équipements américains est descendu à 1,08, contre 1,11 en mars, 1,10 en février, 1,11 en janvier, 0,92 en décembre et 0,79 en novembre 2012.

Selon la SEAJ (Semiconductor Equipment Association of Japan), les commandes en équipements pour SC japonais ont représenté 97,100 milliards de yens en mars (944 M$), en hausse de 10% par rapport à mars 2013, mais restent inférieures de 7,5% à celles d’avril 2012. Les facturations ont, pour leur part, reculé de 5% en un mois, à 87,47 milliards de yens (850 M$) et ont été inférieures de 26,7% à celles d’avril 2012. Le book-to-bill japonais est repassé au-dessus de l’unité, à 1,11, contre 0,96 en mars, 1,17 en février, 1,18 en janvier, 1,23 en décembre et 0,89 en novembre 2012.

Le Japonais Toshiba vient d’annoncer la mise en production de volume d’une seconde génération de procédé en technologie 19 nm, afin de fabriquer des puces de mémoires flash NAND à 2 bits par cellule de 64 Gbits. Cette génération de puces de mémoires flash de seulement 94 mm2 permet une vitesse d’écriture de 25 Mo/s. Toshiba utilisera également ce procédé technologique pour lancer en production lors du prochain trimestre, des puces de flash NAND à trois bits par cellule …

Parallèlement, Toshiba vient d’annoncer la cession de son unité d’assemblage et de test de semiconducteurs de Wuxi en Chine, au Taïwanais Advanced Semiconductor Engineering (ASE), un spécialiste des services d’encapsulation (ASE a réalisé un chiffre d’affaires de 6,6 milliards de dollars avec un effectif mondial de 56 000 personnes en 2012). Le montant de l’’acquisition de cette usine de 250 personnes est d’environ 8,8 millions d’euros. Toshiba poursuit ainsi sa stratégie d’externalisation de prestations d’assemblage et de test (des usines avaient auparavant été cédées à J-Devices et Amkor).

Le lancement de Places2Be, un projet européen d'une durée de trois ans et d'une valeur de 360 millions d'euros impliquant la construction de deux lignes-pilotes afin de soutenir l'industrialisation de la technologie de silicium sur isolant totalement déplétée FD-SOI (Fully Depleted-Silicon-On-Insulator), a été annoncé aujourd’hui par un groupement de 19 grandes entreprises et institutions universitaires européennes. Dirigé par STMicroelectronics, le projet Places2Be (« Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe ») a pour vocation de soutenir le déploiement d'une ligne-pilote FD-SOI dans les nœuds de 28 nm et suivants, ainsi que d'une deuxième source qui permettra la fabrication en volume en Europe. Deux lignes-pilotes FD-SOI seront ainsi installées à Grenoble chez ST et à Dresde chez Globalfoundries …

La technologie sur silicium sur isolant totalement déplétée FD-SOI (« Fully-Depleted Silicon-On-Insulator ») améliore le contrôle électrostatique du canal du transistor, ce qui augmente les performances et le rendement énergétique des transistors. Plus précisément, Places2Be utilise la filière FD-SOI Ultra-Thin Body & Buried oxide (UTBB), qui autorise la mise au point dynamique des performances des transistors - de la basse consommation à haute vitesse - en cours de fonctionnement. La technologie FD-SOI est une alternative basse consommation et haute performance aux traditionnelles technologies silicium et FinFET massives. Les premiers systèmes sur puce réalisés en FD-SOI devraient être utilisés dans des produits électroniques grand public, informatiques et de connectivité réseau.

Places2Be a vocation à favoriser la création d'un écosystème européen dans le domaine de la conception microélectronique en s'appuyant sur cette plate-forme FD-SOI, et à explorer la voie à suivre vers la prochaine étape de cette technologie (14/10 nm).

Avec un budget de près de 360 millions d'euros, la participation de 19 partenaires représentant 7 pays et l'implication prévue d'environ 500 ingénieurs sur trois ans à travers l'Europe, Places2Be est le plus important projet lancé à ce jour dans le cadre d'un partenariat public-privé (Joint Undertaking - JU) de l'ENIAC, le Conseil consultatif pour l'initiative européenne des nanotechnologies avec le soutien des pouvoirs publics des pays participants. Places2Be est l'un des projets de lignes-pilotes de fabrication de technologies clés (KET) octroyés par l'entreprise commune ENIAC-JU pour développer des technologies et des domaines d'application ayant un impact sociétal important.

Les sources de fabrication de la technologie FD-SOI pour ce projet sont implantées dans les deux grands pôles de la microélectronique européenne : la ligne-pilote de STMicroelectronics de l'usine de Crolles (Isère), et la deuxième source dans l'usine Fab 1 de GlobalFoundries à Dresde (Allemagne). Rappelons que ST avait signé un accord en juin 2012 pour permettre à Globalfoundries d’accéder à sa technologie FD-SOI (voir notre article).

Chez ST, la capacité de l’usine de Crolles en technologie FD-SOI doit être portée à 1000 tranches par semaine à la fin de l’année. Cette année, ST va investir dans le développement d’une technologie FD-SOI 14 nm, en vue de la livraison des premiers échantillons à la mi-2014. D’ici 2 à 3 ans, la technologie FD-SOI devrait représenter 1/3 de la production à Crolles (voir notre article).

Membres du projet Places2Be :
• ACREO Swedish ICT, Suède
• Adixen Vacuum Products, France
• Axiom IC, Pays-Bas
• Bruco Integrated Circuits, Pays-Bas
• Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, France
• Dolphin Integration, France
• Ericsson, Suède
• eSilicon Romania, Roumanie
• Forschungzentrum Jülich, Allemagne
• GlobalFoundries Dresde, Allemagne
• Grenoble INP, France
• IMEC Interuniversitair Micro-Electronica Centrum, Belgique
• Ion Beam Services, France
• Mentor Graphics France, France
• Soitec, France
• ST-Ericsson
• STMicroelectronics (Crolles2 SAS, SA, Grenoble SAS), France
• Université Catholique de Louvain, Belgique
• Université de Twente, Pays-Bas


Cliquez sur l’image pour voir une vidéo présentant la technologie FD-SOI sur YouTube :

L’Américain Applied Materials, redevenu en 2012 numéro un mondial des équipements pour la fabrication des semiconducteurs devant ASML et également fournisseur de machines pour les écrans plats et le photovoltaïque, vient de publier un chiffre d’affaires trimestriel de 1,97 milliard de dollars, en hausse de 25% par rapport au trimestre précédent, mais en recul de 22% par rapport au même trimestre à l’exercice précédent. Pour le deuxième trimestre de suite, ses prises de commandes ont dépassé les 2 milliards de dollars ce qui lui permet d’espérer pour le trimestre en cours un chiffre d’affaires en légère hausse par rapport au trimestre précédent …

Lors du trimestre qui vient de s’achever, Applied Materials a enregistré une perte d’exploitation de 68 M$ et une perte nette de 129 M$. Cette perte nette intègre 278 M$ d’amortissement de survaleurs associé à sa division « énergie et solutions environnementales » en raison de la détérioration de la conjoncture sur le marché du photovoltaïque, ainsi que 10 M$ de charges liées à un plan de restructuration en cours. Rappelons que durant le trimestre précédent, l’Américain avait annoncé un plan de suppression de 900 à 1300 emplois, soit une réduction de son effectif de 6% à 9%.

Le CEA-Léti a annoncé que l'achèvement récent du programme HELIOS place l'Europe en bonne voie pour la conception et la fabrication à grande échelle de composants photoniques sur silicium. Ce projet financé à hauteur de 8,5 millions d'euros par la Commission européenne a développé une filière de conception et de fabrication complète permettant d'intégrer une couche photonique sur un circuit CMOS en utilisant des procédés de fabrication microélectroniques …

HELIOS, placé sous la coordination du Léti, a aussi présenté un flot de conception complet compatible avec les outils de CAO standards, intégrant la conception de composants photoniques sur silicium et de systèmes électroniques/photoniques.

« Conserver des activités de conception et d'intégration de puces photoniques en Europe est d'une grande importance stratégique pour concurrencer les autres pays et encourager l'innovation dans les entreprises européennes de microélectronique. Le fait qu'HELIOS ait réussi à créer les éléments fondamentaux qui permettront d'intégrer la photonique aux circuits CMOS en mettant le procédé à disposition de nombreux utilisateurs, souligne le rôle clé que joue en Europe une coopération technologique d'envergure, dans un environnement industriel mondial très compétitif », commente Laurent Malier, Directeur du Léti.

La photonique silicium est considérée comme cruciale pour le développement des télécommunications et des interconnexions optiques dans les circuits microélectroniques, car l'intégration de fonctions photoniques et électroniques sur une même puce présente des avantages en terme de coûts. La photonique silicium peut apporter des solutions peu onéreuses pour un grand nombre d’applications comme les communications et les interconnexions optiques entre puces électroniques et cartes de circuits imprimés, dans le traitement du signal optique, la détection optique et les applications biologiques.

HELIOS, lancé en 2008 par la Commission européenne, avait pour principal objectif de développer les fonctions élémentaires essentielles, comme les sources optiques à haut rendement (sur silicium ou par intégration hétérogène de III-V sur silicium), les modulateurs haute vitesse et les photodétecteurs. Le projet, qui comprenait 20 membres (*), a aussi entrepris de combiner ces éléments pour présenter des démonstrateurs complexes répondant à divers besoins du secteur.

Il s'agit notamment d'un modulateur 10 Gb/s intégré avec circuit électronique BiCMOS, un émetteur-récepteur 16 x 10 Gb/s pour des applications WDM-PON, un système de transmission sans fil photonique QAM à 10 Gb/s et un module émetteur-récepteur mixte analogique et numérique pour antennes multifonctions.

(*)Membres du programme HELIOS :

- CEA-Léti, coordonnateur (France)
- IMEC (Belgique)
- CNRS (France)
- Alcatel Thales III-V lab (France)
- Université de Surrey (RU)
- IMM (Italie)
- Université de Paris-Sud (France)
- Université de Valence (Espagne)
- Université de Trente (Italie)
- Université de Barcelone (Espagne)
- 3S Photonics (France)
- IHP (Allemagne)
- Université de Berlin (Allemagne)
- Thales (France)
- DAS Photonics (Espagne)
- ams AG (Autriche)
- Université de Vienne (Autriche)
- Phoenix BV (Pays-Bas)
- Photline Technologies (France)
- Université de Southampton (RU)