Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) annonce la sortie du MB85R4M2T, une mémoire FRAM 4 Mbits. Intégrant une interface parallèle compatible SRAM, le MB85R4M2T est logé dans un package TSOP à 44 broches compatible avec la SRAM standard à basse consommation d'énergie. Ce produit représente le choix idéal pour remplacer une SRAM protégée par batterie dans de nombreuses applications comme l'automatisation industrielle, le matériel de bureau, les systèmes de sécurité et les appareils médicaux …

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• La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Grâce à sa capacité de stockage fiable, la FRAM constitue la solution idéale pour sauvegarder des données dans les environnements instables.
• La FRAM est non volatile et ne nécessite donc pas d'énergie pour conserver les données. En éliminant la batterie, la FRAM contribue ainsi à réduire les coûts des systèmes. Globalement, le dispositif FRAM joue un rôle prépondérant en réduisant la taille et la consommation d'énergie de l'application cible.
• Le MB85R4M2T possède une configuration de bits de 262 144 mots x 16 bits ainsi qu'une gamme flexible de tension de fonctionnement comprise entre 1,8 et 3,6 V.
• Fujitsu garantit 10 trillions de cycles de lecture/écriture et une rétention des données de 10 ans à 85 °C. La gamme de température du produit en fonctionnement industriel est comprise entre -40 °C et +85 °C.

Référence : MB85R4M2T
Fournisseur : Fujitsu Semiconductor Europe

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Produits grand public, appareils électroménagers et équipements industriels peuvent devenir plus intelligents, plus flexibles et plus faciles à utiliser grâce à une nouvelle famille d'étiquettes-mémoires NFC dynamiques proposée par STMicroelectronics. Ces mémoires permettent d'ajouter facilement une fonction de communications sans contact (NFC - Near-Field Communications) à tout type d'appareil électrique, des haut-parleurs et imprimantes aux cuisinières et aux lave-linge, en passant par les compteurs d'électricité, de gaz et d'eau …

• La technologie de communications sans fil et sans contact NFC permettra bientôt de connecter différents produits à l'« Internet des objets », ce qui changera la façon dont les consommateurs interagissent avec des produits interconnectés.
• Les étiquettes-mémoires NFC/RFID dynamiques de ST sont des puces en silicium composées de trois blocs principaux : une mémoire non volatile (NVM) ; une interface sans fil pour communiquer avec d'autres produits sans fil ; une interface filaire (au standard I2C) pour communiquer avec le contrôleur de l'équipement hôte.
• Dans la famille M24SR, la mémoire non volatile est mise en œuvre sous la forme d'une mémoire EEPROM dont la taille est comprise entre 2 et 64 kbits.
• L'interface sans fil est conforme au protocole ISO14443-A, qui permet de transmettre des données à des débits pouvant atteindre 106 kbits/s ; l'interface I2C fonctionne jusqu'à 1 MHz, ce qui assure un transfert rapide des données entre le smartphone et l'équipement cible.

Référence : par exemple M24SR
Fournisseur : STMicroelectronics

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La famille de disques durs Endurastar J4K320 à 320 Go de HGST, filiale de Western Digital, est conçue pour les conditions de conduite extrêmes : chaleur, temps froid, hautes et basses altitudes et chaussées déformées. Ces disques durs mono-plateau sont spécialement conçus pour les marchés de la télématique et de l’info-divertissement à bord des véhicules automobiles …

• La famille Endurastar J4K320 est conçue pour fonctionner jusqu’à 5 500 mètres d’altitude et dans une plage de température comprise entre -30 et +85 °C. Elle bénéficie de la technologie avancée TFC (Thermal Fly-height Control), qui permet de compenser les variations de distance entre la tête de lecture et le support, causées par l’altitude et les changements de température.
• Ces disques durs affichent en outre une tolérance accrue aux chocs opérationnels de 300 G (2 ms) et aux chocs hors-fonctionnement de 800 G (ms), assurant ainsi une fiabilité accrue et une meilleure protection des données en cas de conduite sur des chaussées endommagées ou non revêtues.
• La famille de disques durs Endurastar J4K320 est déclinée en plusieurs capacités (320, 250, 200, 100 et 80 Go), fonctionne à la vitesse de rotation de 4260 tours/minute et dispose d’une interface SATA qui assure une flexibilité de configuration optimale.
• Ces disques durs sont proposés au format standard 9,5 mm/2,5 pouces, ce qui permet de les intégrer sans difficulté dans de nombreux produits nouveaux et existants.

Référence : Endurastar J4K320
Fournisseur : HGST – Western Digital

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Samsung Electronics lance la fabrication de la première mémoire DRAM LPDDR3 (low power double data rate 3) mobile ultra-rapide de quatre gigabits, gravée en classe 20 nm. Comparé à une DRAM LPDDR3 gravée en 30 nm, les performances de cette nouvelle mémoire sont 30% supérieures et la consommation d'énergie 20% inférieure. Cette solution présente un grand intérêt pour les fonctions multimédia gourmandes en ressources des appareils mobiles de prochaine génération, notamment les téléphones intelligents et les tablettes …

• La LPDDR3 4 Gb atteint un taux de transmission des données de 2133 mégabits par seconde par broche, soit plus du double des performances de la mémoire DRAM (LPDDR2) mobile précédente avec une vitesse de transmission des données de 800 Mbit/s.

• La DRAM LPDDR3 mobile de classe 20 nm de Samsung permet l'affichage sans à-coups de vidéos full HD sur des téléphones intelligents dotés d'écrans de plus de 5".

• En adoptant la DRAM LPDDR3 mobile de 4 Gb de Samsung, les fabricants disposent de 4 puces intégrées dans un seul boîtier de 2 Go dont la hauteur ne dépasse pas 0,8 mm.

Référence : DRAM LPDDR3 mobile
Fournisseur : Samsung

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Le Grenoblois Crocus Technology, fournisseur de semiconducteurs magnétiques, annonce le lancement du prototype de Match in Place (MiP), une technique de sécurité qui permet de renforcer l’authentification des utilisateurs lors de transactions numériques. MiP est conçue en particulier pour les fabricants de cartes à puce qui cherchent à mettre en œuvre des systèmes d’authentification biométrique ou d’autres systèmes très sécurisés sur leurs cartes à puce, leurs microcontrôleurs sécurisés, leurs tokens et leurs dispositifs mobiles. MiP sera lancé sous forme de démonstrateur FPGA (Field Programmable Gate Array) au troisième trimestre 2013 …

• La technologie MiP se distingue par la façon dont elle authentifie l’utilisateur. En effet, durant le processus d’identification, la comparaison directe, octet par octet, du modèle de référence stocké à authentifier a lieu dans la cellule mémoire.
• Avec l’approche de MiP, les données sensibles stockées dans la cellule Magnetic Logic Unit (MLU) ne sont jamais révélées à un bus informatique externe ou à un registre externe, renforçant ainsi leur sécurité.
• De plus, la technologie MiP réalise l’authentification de l’utilisateur en moins de 70 nanosecondes, réduisant la fenêtre d’opportunité pour mener une attaque.
• Le prototype MiP dispose de 32 octets maximum pour réaliser une comparaison de code PIN de 4 à 10 numéros.

Fabricant : Crocus Technologie
Référence : Match in Place

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Samsung Electronics a lancé la production de masse de puces mémoire NAND à cœur multi-niveau (MLC) 3 bits de 128 gigabits utilisant une technologie de gravure de classe 10 nm. Ces puces très avancées offriront des solutions mémoire à haute densité comme le stockage NAND intégré et les SSD (solid state drives) …

• Les puces flash NAND de 128 gigabits de Samsung sont basées sur un cœur multi-niveau 3 bits et sur la technologie de gravure de classe 10 nm. Elles affichent la densité la plus élevée de l'industrie ainsi que les meilleures performances avec un débit de transfert de données de 400 Mbit/s par grâce à l'interface DDR Toggle 2.0.

• La demande de mémoires flash NAND MLC 3 bits haute performance et de supports de stockage importants de 128 Gb a connu une croissance rapide, qui suscite l'adoption de SSD de plus de 250 Go de capacité.

• Samsung a lancé la production des mémoires flash NAND MLC de 64 Gb de classe 10 nm en novembre 2012. Moins de 5 mois plus tard, elle a ajouté les nouvelles mémoires flash NAND de 128 Gb à sa large gamme de stockage en mémoire à haute densité.

• Les nouvelles puces NAND MLC 3 bits de 128 Gb offrent une productivité de plus du double de celle des puces NAND MLC de 64 Gb de classe 20 nm.

Référence : Flash NAND MLC 3 bits de 128 Gb
Fournisseur : Samsung

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