Toshiba Electronics Europe (TEE) vient de lancer la plus petite classe de mémoires Flash NAND embarquées au monde, grâce à des puces NAND produites en technologie 15 nm. Ces nouvelles mémoires sont conformes aux toutes dernières spécifications e.MMC, et sont destinées à un large éventail d'applications comme les smartphones, les tablettes et autres dispositifs "wearables" (à porter sur soi). Les premières livraisons d'échantillons de dispositifs 16 Go ont lieu dès maintenant, et des versions 8 Go, 32 Go, 64 Go et 128 Go vont suivre …

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• Les puces NAND e.MMC sont fabriquées en technologie de pointe Toshiba 15 nm, et intègrent un contrôleur gérant les fonctions de contrôle de base des applications NAND. Grâce à l'utilisation de ces puces NAND 15 nm, la taille des boîtiers est réduite d'environ 26] par rapport aux produits Toshiba comparables]. Les boîtiers FBGA 153 billes, conviennent bien aux smartphones, aux tablettes PC, et aux appareils "wearables", pour lesquels la miniaturisation et le gain de poids sont des critères décisifs.
• Les puces NAND e.MMC 16 Go sont disponibles en plusieurs tailles de boîtiers : 11,5 x 13,0 x 0,8 mm (THGBMFG7C2LBAIL), 11,0 x 10,0 x 1,0 mm (THGBMFG7C2LBAIW) ou 11,5 x 13,0 x 0,8 mm (THGBMFG7C1LBAIL). Les dispositifs 8 Go, 32 Go et 64 Go sont également disponibles en formats 11,5 x 14,0 mm, et 11,0 x 10,0 mm.
• Avec son système, le dispositif 128 Go (THGBMFT0CBLBAIS) ne mesure que 11,5 x 13,0 x 1,4 mm, et peut enregistrer jusqu'à 16,3 heures de vidéo HD ou 39,7 heures de vidéo SD.
• Ces dispositifs sont également plus rapides en lecture/écriture grâce à une meilleure optimisation des performances de la puce elle-même et du contrôleur. La vitesse de lecture est jusqu'à 8% plus rapide (maximum), tandis que la vitesse d'écriture est approximativement 20% plus rapide (maximum).

Référence : NAND e.MMC
Fournisseur : Toshiba

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Samsung Electronics annonce le démarrage de la production en grandes séries des modules de mémoire RDIMM (Registered Dual Inline Memory) DDR4 (double data rate-4) de 64 Go qui utilisent la 3D grâce à la technologie package TSV (Through Silicon Via). Le nouveau module TSV de 64 Go est deux fois plus rapide qu'un module de 64 Go avec câblage par fil de bonding, tout en consommant environ la moitié de la puissance de ce dernier …

• Pour réaliser un package DRAM 3D TSV, les matrices DDR4 sont amincies jusqu'à une épaisseur de quelques dizaines de microns. Elles sont alors percées de centaines de trous pour permettre le passage des électrodes de raccordement vertical. Les nouveaux modules RDIMM intègrent 36 puces DRAM DDR4, composée chacune de quatre matrices DRAM DDR4 de 4 Gb. La fabrication de ces puces à faible consommation met en œuvre la technologie 20 nm la plus évoluée de Samsung ainsi que la technologie de packaging 3D TSV.
• Ces modules haute performance à haute densité sont destinés aux serveurs d’entreprise, aux applications cloud et aux centres de traitement de l’information.
• Selon Gartner, le marché mondial des DRAM devrait atteindre 38,6 milliards de dollars et 29,8 milliards d'unités (estimation en unités équivalentes de 1 Go) à la fin de l'année. Gartner prévoit également que le marché des serveurs représentera plus de 20% de la production de DRAM cette année avec environ 6,7 milliards d'unités (estimation en unités équivalentes de 1 Go).

Référence : 3D TSV DDR4 Modules
Fournisseur : Samsung Electronics

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Samsung Electronics annonce le début de la production en grande série de la première mémoire flash V-NAND en trois dimensions (3D), constituée de 32 couches de cellules NAND empilées verticalement. C'est la deuxième génération de mémoires V-NAND …

• Par rapport à la première génération de mémoire V-NAND qui comportait 24 couches, le rendement de production de la mémoire V-NAND 3D à 32 couches est meilleur, du fait que Samsung peut utiliser le même matériel que pour la production des V-NAND de première génération.
• Parallèlement, Samsung vient de lancer une gamme de SSD haut de gamme basés sur ses mémoires flash V-NAND de 2e génération offrant 128, 256, 512 Go et 1 To de stockage.
• Les nouveaux SSD basés sur des V-NAND 3D ont deux fois plus d’endurance à l'écriture que les disques basés sur des NAND MLC planaires (2D) et ils consomment 20% moins d'énergie.
• Selon Gartner, le marché mondial des mémoires devrait passer de 75,5 milliards de dollars à environ 79,7 milliards en 2017, alors que la part des mémoires flash NAND poursuivra sa croissance pour atteindre plus de 50% du marché, soit environ 44,6 milliards de dollars en 2017.

Référence : V-NAND
Fournisseur : Samsung

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Toshiba Electronics Europe (TEE) lance des cartes mémoire microSD conformes à la norme d'interface bus série ultra-rapide, UHS-II, telle que définie dans la norme de carte mémoire SD version 4.20. Ces nouvelles cartes mémoire microSD seront disponibles en versions 32 Go et 64 Go, et offriront, selon le fabricant, les taux de transfert les plus rapides de toutes les cartes microSD du marché …

• UHS-II est l'interface bus ultra-rapide de la norme SD Memory Card (carte mémoire Secure Digital) Ver4.20, qui prévoit des débits de données jusqu'à 156 Mo/s en accès simple voie, et 312 Mo/s en accès double voie.
• Ces cartes compatibles UHS classe de vitesse 3 (U3), permettent la capture vidéo haute-qualité en "4K", grâce à une vitesse d'écriture constante d'au moins 30 Mo/s. Cela signifie que la vidéo, la télédiffusion ou le contenu live 4K2K, peuvent être enregistrés à l'aide de caméras hautes-performances utilisant ces nouvelles cartes mémoires.
• Les cartes 32 Go offrent des vitesses de lecture maximum de 260 Mo/s, et des vitesses d'écriture maximum de 240 Mo/s. Les cartes 64 Go offrent quant à elles des vitesses de lecture maximum de 145 Mo/s, et des vitesses d'écriture maximum de 130 Mo/s.
• Par rapport aux cartes microSD Toshiba 32 Go UHS-I actuelles, la vitesse d'écriture est en gros multipliée par un facteur 8, tandis que la vitesse de lecture est multiplié par un facteur 2,7.

Référence : microSD UHS-II
Fournisseur : Toshiba

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Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) annonce la sortie du MB85RC1MT, mémoire FRAM 1 Mbit équipée d'une interface I²C. Parmi les produits à interface série I2C de la société, il s'agit de celui dont la capacité mémoire est la plus importante. Grâce à sa grande endurance et sa faible consommation d'énergie, ce produit FRAM assure une journalisation fréquente à basse puissance, ce qui fait de lui un choix idéal pour l'automatisation et les instruments industriels …

• La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Sa non-volatilité permet aux données d'être conservées même en l'absence d'alimentation, tandis que son accès aléatoire autorise une écriture plus rapide et sans le retard généralement inévitable des mémoires non volatiles. La FRAM est capable de réaliser 10 trillions de cycles de lecture/écriture, c'est-à-dire 10 millions de fois plus que la mémoire non volatile standard.
• Le MB85RC1MT est proposé dans un boîtier SOP-8 standard dont les broches sont compatibles avec l'EEPROM et la mémoire flash.
• Le composant fonctionne à une tension comprise entre 1,8 V et 3,3 V et à des températures allant de -40 °C à 85 °C. Son alimentation active génère une intensité maximale de 1,2 mA (à 3,4 MHz). En raison du cycle d'écriture extrêmement court de la FRAM, ce système consomme beaucoup moins d'énergie que l'EEPROM.
• À sa fréquence de fonctionnement, le MB85RC1MT propose un mode « high-speed » qui lui permet de réaliser des opérations de lecture/écriture à 3,4 MHz et à 1 MHz en parallèle (une fréquence identique à celle des EEPROM standard). Par conséquent, de nombreuses applications utilisant l'interface I2C peuvent désormais remplacer leurs EEPROM par ce nouveau produit FRAM.

Référence : MB85RC1MT
Fournisseur : Fujitsu Semiconductor Europe

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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'étendre sa gamme de mémoires Flash NAND SLC (Single Level Cell, ou cellule simple niveau) BENAND24 nm, en y intégrant une correction d'erreur (ECC) 8 bits. Le lancement de cette mémoire BENAND SLC 24 nm de 8 Gbits permettra aux fabricants d'utiliser la technologie 24 nm dans les appareils conçus pour les NAND 4x nm, prolongeant ainsi la vie de produits électroniques grand public, de dispositifs multimédia, de compteurs ou de systèmes de d'éclairage intelligents, ou encore de certains systèmes à vocation industrielle …

• L'arrivée de ces mémoires 8 Gbits étend de 1 Gbit à 8 Gbits, la ligne de produits BENAND, qui est disponible en boîtiers TSOP ou BGA, et en gamme de température industrielle ou grand-public.
• La technologie BENAND soulage le processeur hôte du fardeau de l'ECC, tout en permettant aux concepteurs d'utiliser une technologie Flash NAND de pointe. Pour faciliter la migration, ces nouvelles BENAND ont été conçues de telle sorte que tous les paramètres, tels que longueur de page ou de bloc, taille disponible, commandes, interface, et même boîtier, soient identiques à ceux des anciennes NAND SLC 4xnm.
• Le prix de mémoires Flash NAND issues de processus plus avancés est inférieur, mais les cellules plus petites sont plus vulnérables au stress engendré par la programmation ou l'effacement. Ceci nécessite une correction d'erreur (ECC) plus complexe, pour maintenir les niveaux de fiabilité désirés. Par exemple, une NAND SLC 4xnm de faible densité nécessite une ECC à 1 bit, une NAND SLC 3xnm nécessite une ECC à 4 bits, tandis qu'une NAND SLC 2xnm nécessite une ECC à 8 bits.

Référence : BENAND24 nm
Fournisseur : Toshiba

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