International Rectifier vient de lancer une famille de composants 300 V comprenant ses MOSFET de puissance sur silicium, qui présentent une résistance à l'état passant (Rds(on)) à l'état de l'art. Ils sont destinés à une large gamme d'applications industrielles à fort rendement, telles que la mise en forme de lignes AC 110-120 V, les alimentations AC 110-120 V et les redresseurs DC-AC des onduleurs solaires et des alimentations de puissance sans interruption (UPS) …

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• Ces MOSFET de puissance se distinguent par leur Rds(on) extrêmement faible qui améliore le rendement du système et peut permettre aux concepteurs de réduire le nombre de composants utilisés lorsque plusieurs MOSFET sont mis en parallèle.
• Ils sont qualifiés pour les normes industrielles dont l'immunité à l'humidité MSL1.
• Ils sont encapsulés en boîtiers sans plomb et conformes RoHS.

Référence : IRFB4137PBF, IRFP4137PBF, IRFP4868PBF
Fournisseur : International Rectifier

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International Rectifier vient d'introduire une famille de MOSFET de puissance StrongIRFET présentant une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)) et destinée à un large spectre d'applications industrielles telles que les batteries, les redresseurs, les alimentations sans interruption ou UPS, les onduleurs solaires, les chariots élévateurs, l'outillage électrique, les scooters et les application ORing et à insertion à chaud …

• En plus de cette RDS(on) extrêmement réduite, la meilleure tenue en courant de ces nouveaux composants améliore la fiabilité du système.
• Les diverses options d'encapsulation offrent aux utilisateurs une plus grande marge de manœuvre pour sélectionner le composant optimal pour leurs applications.
• Des datasheets et un outil de sélection de MOSFET sont disponibles sur le site Web d'International Rectifier.

Référence : StrongIRFET
Fournisseur : International Rectifier

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Toshiba Electronics Europe (TEE) annonce une 6e génération de sa technologie IGBT qui offre un compromis pertes de commutation/conduction amélioré pour une performance et une efficacité plus élevées. La nouvelle technologie est le fondement d'une famille inédite de dispositifs 600 V compacts répondant aux besoins d'une grande variété d'applications à commutation rapide incluant les commandes de moteur, les onduleurs pour l'énergie solaire et les alimentations sans interruption (UPS)…

• Les produits de cette 6e génération offrent des valeurs de courant de 15 A (GT15J341), 20 A (GT20J341), 30 A (GT30J341) et 50 A (GT50J342).
• Chaque composant intègre à la fois l'IGBT et une diode de recouvrement inverse rapide placée entre l'émetteur et le collecteur, le tout dans un seul boîtier compact.
• Tous les composants se distinguent par une tension typique VCE(sat) de 1,5 V au courant nominal.
• Les dispositifs 15 A et 20 A sont présentés dans un boîtier TO-220SIS isolé, tandis que les modèles 30 A et 50 A sont disponibles dans un boîtier TO-3P(N) non isolé (équivalent à un TO-247).

Référence : GT15J341, GT20J341, GT30J341 et GT50J342
Fournisseur : Toshiba

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International Rectifier lance sa dernière génération de plateforme technologique de transistors IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Cette plateforme IGBT 1200 V de huitième génération (Gen8) bénéficie de la technologie de circuits en tranchées à coupure de champ d’IR pour offrir les meilleures performances aux applications industrielles et aux systèmes à économie d’énergie…

- permet d’obtenir une tension Vce(on) à l’état de l’art afin de réduire la dissipation de puissance et d’améliorer la densité de puissance, tout en offrant une robustesse accrue.
- minimise le dv/dt et par conséquent les émissions électromagnétiques, et réduisent les surtensions pour une fiabilité et une robustesse accrue.
- température de jonction maximale allant jusqu’à 175 °C.

Référence : Gen8
Fournisseur : International Rectifier

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