STMicroelectronics annonce l’introduction d’une génération de composants de puissance basse consommation conçus pour réduire l’impact environnemental d’équipements tels que les systèmes informatiques ou de télécommunications, les onduleurs solaires, l’automatisation industrielle et autres applications automobiles. Selon ST, ses MOSFET STripFET VII DeepGATE assurent le meilleur rendement en conduction de tous les modèles à 80 et 100 V actuellement disponibles sur le marché, tout en affichant une efficacité en commutation accrue. De plus, ces composants permettent de simplifier la conception, ainsi que de réduire les dimensions et le coût des équipements tout en contribuant à atteindre les objectifs de consommation et de rendement en intégrant un nombre de composants réduit sur des boîtiers plus compacts …

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• La technologie STripFET VII DeepGATE fait appel à une structure de grille MOSFET perfectionnée, qui abaisse la résistance à l’état passant (Ron) des composants et réduit la capacité interne et la charge de grille, avec à la clé une commutation plus rapide et plus efficace.
• Ces composants se caractérisent par une forte résistance en avalanche qui leur permet de résister à des événements potentiellement dangereux et en fait un choix idéal pour les environnements automobiles.
• Plus de 15 composants de la famille STripFET VII DeepGATE sont immédiatement disponibles sous forme d’échantillons ou en série, parmi lesquels la référence STP270N8F7 à 80 V et plusieurs références à 100 V en boîtiers TO-220, DPAK, PowerFLAT 5x6, et H2PAK à 2 ou 6 contacts.
• Le prix pour 1.000 unités est compris entre 1,70 dollar pour les références STD100N10F7 et STL100N10F7 (100 V) et 3,80 dollars pour le modèle STH310N10F7-2.

Référence : STripFET VII DeepGATE
Fournisseur : STMicroelectronics

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International Rectifier lance une famille de MOSFET COOLiRFET qualifiés pour l’automobile présentant une résistance à l’état passant Rds(on) à l’état de l’art pour les applications à charge élevée telles que la direction électrique assistée ou EPS (electric power steering) et le freinage dans des plateformes de véhicules à moteurs micro-hybrides et à combustion interne ou ICE (internal combustion engine) …

• Cette famille de 22 MOSFET canal N 40 V conformes AEC-Q101 bénéficie de la technologie en tranchées Gen12.7 d’IR qui délivre une Rds(on) ultra-faible en boîtier D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK ou TO-220.
• En particulier, l’AUIRFS8409-7P encapsulé en boîtier D2Pak-7P offre une Rds(on) maximale aussi basse que 0,75 mOhm avec une tenue en courant allant jusqu’à 240 A.
• Les MOSFET automobiles d’IR sont sujets à des tests statiques et dynamiques combinés à une inspection visuelle des tranches de silicium automatisée à 100%, dans le cadre de l’initiative de qualité automobile d’IR visant le zéro défaut.
• Ces composants s'avèrent conformes aux standards AEC-Q101, qui limitent la variation de la Rds(on) à 20% après 1000 cycles de test en température, et utilisent des matériaux respectueux de l’environnement, sans plomb et conformes RoHS.

Référence : COOLiRFET
Fournisseur : International Rectifier

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STMicroelectronics annonce l'introduction du premier MOSFET MDmesh V à super jonction qui bénéficie d'une nouvelle technologie de boîtier permettant d'augmenter le rendement du circuit d'alimentation dans des produits tels que l'électroménager, les téléviseurs, les ordinateurs, les télécommunications et les alimentations à découpage pour serveurs. Le boîtier TO247-4 à 4 contacts assure une connexion directe à la source, qui sert uniquement à commander les opérations de commutation, contrairement aux boîtiers classiques qui disposent d'une seule connexion pour piloter la commutation et l'alimentation …

• Le contact supplémentaire augmente le rendement en commutation, ce qui réduit les pertes d'énergie et assure un fonctionnement à des fréquences plus élevées avec des alimentations plus compactes.
• ST a développé ce boîtier en collaboration avec Infineon qui présente également ses propres nouveaux produits à super jonction, proposant ainsi une seconde source aux utilisateurs.
• Le composant porte la référence STW57N65M5-4. Premier MOSFET MDmesh monté en boîtier TO247-4, il permettra d'augmenter le rendement énergétique dans les circuits à correction active du facteur de puissance (PFC) et pont complet ou dans les convertisseurs de puissance en demi-pont utilisés dans une large gamme de produits électroniques grand public et industriels.
• Le circuit STW57N65M5-4 est actuellement fabriqué en série, et commercialisé à partir de 10,00 dollars à partir de 1 000 pièces.

Référence : STW57N65M5-4
Fournisseur : STMicroelectronics

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Toshiba a démarré la production de masse au Japon de composants de puissance SiC (Silicon Carbide, ou carbure de silicium), en prévision d'une demande croissante des secteurs industriel et automobile. Toshiba fabriquera d'abord des diodes Schottky sur sa nouvelle ligne de production SiC. Les diodes Schottky sont notamment utilisées dans les conditionneurs de puissance des centrales photovoltaïques. Les diodes Schottky peuvent aussi remplacer les diodes silicium dans les alimentations à découpage, et offrent un rendement amélioré de 50% par rapport aux diodes classiques …

• Les composants de puissance SiC offrent un fonctionnement plus stable que les composants silicium actuels, même en présence de tensions ou de courants élevés, car ils réduisent de manière significative la dissipation thermique en cours de fonctionnement. Ils répondent aux besoins de différents secteurs, qui sont à la recherche de composants plus petits et plus efficaces, et qui soient bien adaptés aux applications industrielles et automobiles allant des serveurs aux convertisseurs d'énergie, et du ferroviaire à l'automobile.
• Le marché des composants de puissance SiC pourrait être multiplié par 10 d'ici 2020. Toshiba vise une part de marché de 30% en 2020, grâce au renforcement de ses capacités de production, en commençant par le lancement de cette nouvelle ligne de production de diodes Schottky.

Référence : TRS12E65C
Fournisseur : Toshiba

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Le Belge Cissoid, spécialisé dans les semiconducteurs pour applications hautes températures, introduit CHT-Neptune, un switch de puissance haute tension en boîtier TO-257, adapté aux applications de conversion de puissance et contrôle moteur et garanti pour une gamme de fonctionnement jusqu’à +225°C. CHT-NEPTUNE est un MOSFET carbure de silicium haute température, spécifiquement conçu pour les applications en environnement hostile …

• Il est disponible en boitier métal hermétique et isolé TO-257 et présente en outre une faible résistance thermique jonction / boitier (1,1°C/W). Le produit est garanti pour un fonctionnement fiable sur la gamme -55°C to +225°C.
• Il offre une tension de claquage de 1200V et peut commuter des courant jusqu’à 10A à température maximale (Tj=225°C). Le MOSFET intègre une diode inverse qui peut être utilisée en diode de roue libre.
• Ce transistor peut être piloté par une tension de grille (VGS) typiquement de -2V / +20V. Le transistor présente une RDSON de 90 mOhms à 25°C et de 150 mOhms à 225°C avec VGS=20V.
• Ce nouveau produit offre en outre des pertes de commutation particulièrement faibles et indépendantes de la température, avec moins de 400µJ à 600V/10A.

Référence : CHT-Neptune
Fournisseur : Cissoid

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International Rectifier vient de lancer le circuit de commande de MOSFET qualifié pour l'automobile AUIR3200S, doté de fonctions complètes de protection et de diagnostic et qui offre ainsi une meilleure fiabilité aux applications de commutation de batteries et de remplacement de relais …

• Encapsulé en boîtier SO8, l'AUIR3200S comprend des protections contre les pics de courant et de température ainsi qu'une fonction de diagnostic qui indique les courts-circuits au niveau de la charge.
• Combiné avec deux MOSFET de puissance AUIRLS3034-7P, il permet d'atteindre une résistance à l'état passant (Rds(on)) aussi faible que 0,75 mOhm.
• Ce composant est conforme aux standards AEC-Q100, utilise des matériaux sans plomb, respectueux de l'environnement et conformes RoHS et fait partie de l'initiative qualité automobile d'IR visant le zéro défaut.

Référence : AUIR3200S
Fournisseur : International Rectifier

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