Le gouvernement annonce le financement de 72 nouveaux projets de R&D impliquant 50 pôles de compétitivité pour un montant d’aide de l’Etat de 63,5 millions d’euros. Ces projets, qui associent chacun au moins deux entreprises et un laboratoire de recherche, ont été sélectionnés pour leur caractère particulièrement innovant et l’activité économique qu’ils génèreront, parmi les 143 dossiers présentés au 15ème appel à projets du Fonds unique interministériel (FUI) des pôles de compétitivité …

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Ils bénéficieront également de l’aide des collectivités territoriales et des fonds communautaires (FEDER) à hauteur de 43,9 millions d’euros.

Liste des projets retenus

Depuis 2005, l’ensemble des appels à projets du FUI a permis de soutenir 1245 projets de R&D collaboratifs, entraînant un montant de dépenses de R&D de 5,8 milliards d’euros, un financement public de 2,3 milliards d'euros, dont 1,4 milliard d’euros par l’État, et la mobilisation de 15 000 chercheurs.

Un 16ème appel à projets sera lancé en mars 2013. Les projets seront sélectionnés fin juillet 2013.

Des chercheurs français repoussent les limites de miniaturisation des composants électroniques. Une équipe du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université Lille1/Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis/Isen) viennent de construire un transistor de taille nanométrique au comportement remarquable pour un dispositif de cette dimension. Pour y parvenir, les chercheurs ont conçu une architecture originale en trois dimensions composée d’un réseau vertical de nanofils de 200 nm de longueur dont la conductivité est contrôlée par une grille de seulement 14 nm de longueur …

Ces résultats, publiés dans la revue Nanoscale, ouvrent la voie à des alternatives aux structures planaires des microprocesseurs et des mémoires actuels. Ces transistors 3D permettraient ainsi d’accroître la puissance des dispositifs microélectroniques.
Un brevet a été déposé pour ces transistors. Les chercheurs veulent actuellement miniaturiser encore davantage la taille de la grille. Celle-ci pourrait être inférieure à 10 nm tout en offrant encore un contrôle du transistor satisfaisant. De plus, ils veulent commencer à concevoir, de concert avec des industriels, les dispositifs électroniques futurs qui mettront à profit l’architecture 3D de ces transistors.

Plus d’infos

Le gouvernement annonce la signature d'une nouvelle convention entre la DGCIS, la DGA et OSEO, future branche financement de la Banque Publique d’Investissement, sur la gestion des aides aux projets de R&D des pôles de compétitivité soutenus par le Fonds unique interministériel. Cette nouvelle convention vise à réduire de moitié les délais de paiement par OSEO des aides aux projets de R&D des pôles de compétitivité …

Le conventionnement et le paiement des avances à notification seront désormais effectués dans un délai maximum de 3 mois à compter de l'annonce par les ministres des projets retenus.

La nouvelle convention s’appliquera dès le seizième appel à projets du fonds unique interministériel, qui sera lancé au cours de ce mois.

A travers le Pacte pour la croissance, la compétitivité et l'emploi, le gouvernement s'est engagé à faciliter la montée en gamme des entreprises par l'innovation. « Pour ce faire, les dispositifs de soutien publics doivent s'adapter aux exigences du système de l'innovation et être réactifs, rapides et simples d'exécution », commentent les pouvoirs publics pour expliquer cette décision.

Spécialisé dans le développement et la fabrication de capteurs, de codeurs, d'instruments de mesure, ainsi que de composants pour les appareils de traitement de l'image automatisé, le groupe suisse Baumer poursuit le renforcement de ses activités de recherche et développement en ouvrant un centre de R&D en République tchèque. Le Centre de développement Baumer est basé à Brno, deuxième ville de République tchèque …

Le site de Brno développera à l'avenir des concepts de contrôle rationnel et automatisé de produits en série ou de prototypes ainsi que les logiciels embarqués nécessaires, en étroite collaboration avec le siège de Baumer à Frauenfeld (Suisse).

« La recherche et développement sont des piliers de notre stratégie d'entreprise et représentent la base pour nos nouvelles solutions de détection. Avec ce nouveau site en République tchèque, nous élargissons notre réseau international dans ce domaine. Il vient s'ajouter à nos centres de compétence déjà existants, » explique Oliver Vietze, p-dg du groupe Baumer.

L’Américain GT Advanced Technologies et Soitec annoncent la signature d'un accord de développement et de licence qui doit permettre à GT Advanced Technologies de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures de gallium (HVPE). Cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes et dans d'autres applications industrielles, telles que dans l'électronique de puissance …

La grande vitesse de croissance cristalline du GaN et l'amélioration des propriétés du matériau rendues possibles par cette technologie d'HVPE devraient entraîner une baisse considérable des coûts de ces films tout en boostant les performances des DEL ainsi produites en particulier par rapport à la filière MOCVD (épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur à base de précurseurs organométalliques) plus traditionnelle. Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées.

GT développera, fabriquera et commercialisera cet équipement d'HVPE en y incorporant les éléments technologiques particuliers et originaux développés par Soitec Phoenix Labs (filiale de Soitec), et notamment un système d'injection de la source de gallium, qui devrait notamment abaisser le coût des précurseurs ainsi fournis au réacteur d'HVPE. Cet équipement d'HVPE permettra de produire à grande échelle des couches de nitrure de gallium (GaN) sur saphir. La disponibilité commerciale de cet équipement est prévue au deuxième semestre 2014.

Un projet européen de recherche et développement sur six ans vient d’être lancé pour industrialiser la production d’Oled flexibles en rouleau (et non plus par un procédé feuille à feuille) pour des applications dans l’éclairage. Le projet Flex-o-Fab, coordonné par le laboratoire néerlandais Holst Centre /TNO à Eindhoven, va mobiliser 11,2 millions d’euros en six dans le cadre du 7e programme cadre européen de R&D (FP7) …

Le projet a pour ambition de capitaliser sur la forte position de l’Europe dans l’industrie de l’éclairage pour faire de l’éclairage à Oled flexible une réalité économique. Une ligne pilote pour une fabrication en rouleau d’Oled flexibles devvrait être mise sur pied d’ici septembre 2015 dans le cadre de ce projet.

Les différents partenaires du projet Flex-o-Fab sont : Holst Centre / TNO, Philips, Orbotech, Institute of Microengineering, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Henkel Electronics Materials, SPGPrints, Epigem, Tampere University of Technology, Roth & Rau Microsystems, Dupont Teijin Films UK, et le CSEM.

Plus d’infos sur le projet