Pas de surchauffe à craindre dans l’industrie des semiconducteurs pour cette année : selon SEMI, la capacité de production mondiale installée (hors composants discrets) devrait croître de 3% en 2014, puis de 3% à 5% en 2015, soit des montants raisonnables, quoique légèrement supérieures à la progression de 2% de 2013. On soulignera la sagesse des fondeurs dont les investissements en équipements de production pour SC ne progresseront que de 15% cette année, loin derrière les progressions des dépenses des fabricants de microcontrôleurs, de Drams, de circuits analogiques, de circuits logiques et de mems …

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Globalement, SEMI estime en en effet que les dépenses en équipements de production de semiconducteurs progresseront de 20% à 30% en 2014, alors qu’ils avaient reculé de 13% en 2013. Ce sont les fabricants de microcontrôleurs qui devraient investir le plus cette année, suivis des fabricants de Drams dont les dépenses d’équipements devraient croître de 30% en 2014, après un modeste +7% en 2013. La hausse des prix des Drams permet à ses fabricants de réinvestir, mais sans surchauffe à attendre. Leur capacité de production installée devrait en effet être stable cette année, alors qu’elle s’était contractée en 2013.

Quant aux fabricants de circuits logiques, de circuits analogiques et de mems, qui avaient peu investi en 2013, leurs dépenses d’équipements devrait progresser chacun de l’ordre de 30% en 2014. Soit à un rythme deux fois plus élevé que les fondeurs.

Concernant les fabricants de circuits optoélectroniques et de DEL, leurs dépenses d’équipements devraient reculer de 1% cette année, après une baisse de 16% en 2013. Pour les seules diodes électroluminescentes, les dépenses d’équipements devraient reculer de 9% en 2014, après une chute de 21% en 2013. Toutefois, les dépenses de constructions de nouvelles usines de circuits opto et de DEL vont bondir de 60% en 2014, explique SEMI. Dans ce contexte, la capacité de production installée de diodes électroluminescentes devrait progresser de 12% en 2014, puis de 14% en 2015.

Plus globalement, SEMI a identifié plus de 190 projets de construction de nouvelles lignes de production de semiconducteurs (y compris pour les discrets et les DEL) ou d’équipements de lignes existantes et 250 projets de ce type pour 2015. Un chiffre à comparer aux plus de 1160 fabs suivies par l’organisation professionnelle. En 2013, SEMI a dénombré le démarrage de la construction le 7 nouvelles fabs et de quatre lignes pilotes et de R&D. En 2014, devrait démarrer la construction de six nouvelles fabs et d’une ligne de R&D.

A l’occasion de la publication de ses résultats annuels ce matin, l’opérateur Orange indique que ses investissements se sont élevés à 5,631 milliards en 2013, soit un taux d’investissement rapporté au chiffre d'affaires de 13,7%. Les investissements dans les réseaux ont représenté 58% des investissements de l’opérateur en 2013 et ont progressé de 4,3%, tirés par le développement du très haut débit (4G mobile, la fibre optique et le VDSL) …

En France, le déploiement du très haut débit mobile 4G monte en puissance, avec plus de 4200 sites déployés par Orange au 31 décembre 2013 couvrant 50% de la population, et le développement rapide du très haut débit fixe se poursuit avec, au 31 décembre 2013, 2,6 millions de foyers raccordables à la fibre optique (+54% sur un an) et 5,0 millions de lignes éligibles au VDSL.

En Espagne, plus de 1600 sites 4G avaient été déployés au 31 décembre 2013, couvrant 30% de la population. En Pologne, le programme de partage du réseau mobile est en cours de réalisation avec 8200 sites partagés avec l'opérateur T-Mobile au 31 décembre 2013, dont 877 sites en 4G couvrant 16% de la population, tandis que le haut débit fixe totalise 2,9 millions de lignes éligibles au VDSL à cette date. Dans le secteur reste du monde, le niveau des investissements reste élevé, en particulier dans la 3G pour accompagner la très forte croissance du trafic de données. Au 31 décembre 2013, la 3G couvre 17 pays dans la zone Afrique Moyen-Orient et le très haut débit mobile 4G est d'ores et déjà commercialisé dans plusieurs pays, notamment au Luxembourg, en Moldavie et en Roumanie.

Alors qu’en 2010, la Chine ne représentait encore que 22% des dépenses d’investissements pour la production d’écrans plats, cette part devrait dépasser 70% en 2014 et en 2015, selon NPD Displaysearch. La capacité de production d’écrans plats sur le territoire chinois a ainsi progressé en moyenne de 51% par an au cours des cinq dernières années, alors que la Chine ne représentait encore que 4% de la capacité de production mondiale d’écrans plats installée en 2010 …

Ces investissements élevés devraient faire passer la Chine à 21% de la capacité de production mondiale en 2015.

Jusqu’à encore récemment, la majorité des investissements sur le territoire chinois concernait des équipements de production pour la fabrication d’écrans plats de téléviseurs et de moniteurs en technologie a-Si TFT (matrices actives en silicium amorphe). Mais depuis, les fabricants chinois diversifient leurs productions vers la fabrication d’écrans plats pour smartphones et tablettes électroniques en technologies LTPS (silicium polycristallin basse température) et AMOLEDs.

Le cabinet d’études dénombre actuellement plus de 10 projets potentiels d’unités de production en technologie LTPS en Chine pour 2014 et 2015, et encore davantage devraient voir le jour dans les années à venir. BOE, China Star, Truly, et AU Optronics ont notamment de tels projets en Chine.

Spécialisé dans les composants de gestion de puissance, International Rectifier vient démarrer la production dans une nouvelle unité d’amincissement de tranches de semiconducteurs à Singapour. Cette usine, qui emploie 135 personnes, sera utilisée pour la dernière génération de MOSFETs de puissance et d’IGBTs de l’Américain …

L’usine traite des tranches de semiconducteurs déjà diffusées soit en interne soit chez les partenaires fondeurs d’International Rectifier. La tranche est amincie, métallisée et testée, avant d’être expédiée chez les assembleurs à proximité.

Parmi les dix premiers fabricants mondiaux de semiconducteurs en termes de dépenses de R&D en 2013, cinq sont des entreprises américaines (Intel, Qualcomm, Broadcom, TI et Micron), deux sont japonaises (Toshiba et Renesas), alors que TSMC pour Taïwan, Samsung pour la Corée et STMicroelectronics pour l’Europe complètent le tableau. Deux sont des entreprises fabless (Qualcomm et Broadcom), une seule –TSMC- est un fondeur, selon le classement d’IC Insights …

Comme les années précédentes, Intel domine largement le classement avec des dépenses de R&D de 10,6 milliards de dollars, soit 37% des dépenses cumulées du top10 et 19% de l’ensemble des dépenses de R&D de l’industrie des semiconducteurs. Ces dépenses de R&D concernent à la fois celles pour la mise au point de procédés de fabrication avancés et celles pour la conception des puces. A cet égard, la deuxième place de Qualcomm, entreprise fabless dont les dépenses de R&D concernent uniquement la conception de puces, est exemplaire : l’Américain, dont les dépenses de R&D ont progressé de 28% l’an passé, consacre 20% de son chiffre d’affaires à cette tâche. Et que dire de Broadcom qui y consacre 30% de ses ventes et occupe ainsi le quatrième rang mondial.

Samsung, pour sa part, n’occupe que le troisième rang mondial avec des dépenses de R&D de 2820 M$, soit 8% de ses ventes de semiconducteurs. IC Insights explique cette situation par la nature des produits de Samsung (essentiellement des mémoires Drams et Flash NAND), qui ne sont pas aussi complexes que les processeurs d’Intel, ainsi que par son appartenance à l’Alliance IBM qui lui permet de partager les frais de développement de procédés de fabrication avancés.

Pour sa part, TSMC a dépensé 1,6 milliard de dollars en R&D l’an passé (+18%). STMicroelectronics, Renesas, TI et Toshiba ont été les seuls du top10 à baisser leurs dépenses de R&D en 2013.

Quand le premier fondeur de semiconducteurs chinois s’associe au premier prestataire chinois d’assemblage et de test de semiconducteurs, c’est pour créer une filière de production locale de circuits intégrés avancés sur tranches de 300 mm de diamètre avec bosselages (bumps) sur la tranche et packaging 3D au niveau de la tranche. C’est le sens de la création d’une société commune entre le fondeur SMIC et la société de packaging JCET (Jiangsu Changjiang Electronics Technology) …

En rassemblant l’offre de technologies de front end de SMIC, notamment en technologies 40 nm et 28 nm, avec l’expertise de JCET dans le bumping et les technologies avancées de packaging de type flip-chip, la co-entreprise pourra proposer la première filière chinoise totalement intégrée en 300 mm pour la production de circuits avancés.

En 2013, SMIC a réalisé un chiffre d’affaires de 2,07 milliards de dollars en hausse de 21,6% par rapport à 2012, pour un bénéfice net de 173,2 millions de dollars contre 22,8 M$ en 2012. En fin d’année, le fondeur disposait d’une capacité mensuelle de production de 234 000 tranches en équivalent 200 mm.

Pour sa part, JCET a été créé en 1972 avec 1,3 milliard de dollars d’actifs. En 2012, JCET était classé septième entreprise mondiale pour l’assemblage et le test de semiconducteurs avec un chiffre d’affaires de 714 M$.