Le Japonais Panasonic et le fabricant américain de voitures électriques Tesla Motors ont signé fin juillet un accord pour construire une unité de fabrication de batteries à grande échelle aux États-Unis, connue sous le nom de Gigafactory. La Gigafactory va produire des cellules, modules et blocs pour les véhicules électriques de Tesla et pour le marché du stockage stationnaire …

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La Gigafactory doit permettre une réduction continue du coût des blocs de batteries en parallèle avec la fabrication des volumes nécessaires pour permettre à Tesla d’atteindre son objectif : faire des véhicules électriques un marché de masse.

La Gigafactory doit produire 35 GWh de cellules et 50 GWh de blocs par année d’ici 2020. Tesla prévoit que la Gigafactory embauchera environ 6500 personnes d’ici 2020.

Selon l’accord, Tesla préparera, fournira et gérera le terrain et les bâtiments. Panasonic fabriquera et fournira des cellules lithium-ion cylindriques et investira dans les équipements, les machines et autres outils de fabrication connexes. Tesla prendra les cellules et les autres composants pour assembler des modules et des blocs de batteries. Pour répondre à la demande prévue pour les cellules, Tesla va également continuer à acheter des cellules de batteries fabriquées dans les usines de Panasonic au Japon.

La Gigafactory sera gérée par Tesla avec Panasonic, qui se joint à elle en tant que principal partenaire de ce projet en charge des cellules de batteries au lithium-ion et occupant environ la moitié de l’espace de fabrication prévu ; les fournisseurs clés combinés avec le module de Tesla et l’assemblage des blocs occuperont l’autre moitié de ce complexe industriel totalement intégré.

IBM vient de dévoiler un investissement de 3 milliards de dollars sur les 5 prochaines années pour financer la recherche dans deux programmes de développement et exploratoires concernant la technologie silicium 7 nm et au-delà et pour créer l’après-silicium. L’objectif est de repousser les limites de la technologie microélectronique actuelle de façon à faire face à la demande émanant des systèmes conçus pour le Cloud et le Big Data. « La question n’est pas de savoir si nous introduirons la technologie 7 nm en production, mais comment, quand, et à quel coût », souligne John Kelly, senior vice-président d’IBM Research …

On croyait IBM préoccupé ce céder au plus vite ses activités de production de semiconducteurs et la presse américaine, régulièrement, se faisait l’écho, que Globalfoundries tenait la corde pour racheter les usines de Big Blue (à un prix très inférieur à celui demandé par le géant informatique). Et voilà qu’IBM annonce un programme de R&D de 3 milliards de dollars pour garder la maîtrise des technologies de production du futur…

Le premier programme de recherche s’articule autour de ce que l’on appelle la technologie silicium « 7 nanomètres et au-delà ». Il s’attaquera aux défis physiques qui menacent les techniques actuelles de fabrication de dispositifs semiconducteurs toujours plus petits et plus denses, et pourraient compromettre à terme la capacité à produire de telles « puces » électroniques. Le second se concentre sur le développement de technologies alternatives pour les puces visant l’après-silicium, et est basé sur des approches totalement différentes. Les scientifiques d’IBM et d’autres experts considèrent ces options comme absolument nécessaires pour outrepasser les limites physiques des dispositifs semiconducteurs classiques à base de silicium.

En fait, toutes les pistes actuelles pour repousser les limites du silicium seront explorées par IBM : le graphène, les nanotubes de carbone, les technologies III-V, la photonique sur silicium, les nouvelles architectures de transistors basse consommation, l’informatique quantique, l’informatique cognitive, etc.

« De la même manière que les technologies microélectroniques sont confrontées à des limites physiques, les applications de type Cloud et Big Data créent de nouveaux défis à l’échelle du système. Il est de plus en plus critique et difficile de mettre en œuvre une bande passante élevée entre mémoire et processeur, une communication à haut débit entre les différents composants et une faible consommation d’énergie des dispositifs », commente IBM.

Les équipes seront composées de scientifiques issus des équipes de recherche d’IBM et d’ingénieurs d’Albany et Yorktown (état de New-York), d’Almaden (Californie) et d’Europe. IBM investira de façon significative en particulier dans des domaines de recherche émergents qui sont déjà en cours chez IBM tels que la nanoélectronique à base de carbone, la photonique sur silicium, les nouvelles technologies pour mémoire et les architectures qui supportent l’informatique quantique et cognitive.

Ces équipes viseront l’obtention de gains d’un ordre de grandeur en ce qui concerne le niveau de performance et de consommation en énergie des systèmes. En parallèle, IBM continuera à investir dans les nanosciences et l’informatique quantique – deux domaines de la science fondamentale dans lesquels IBM est pionnier depuis plus de trois décennies.

Plus de détails sur le programme

Le Canadien GaN Systems, spécialisé dans le développement de semiconducteurs pour commutation de puissance en nitrure de gallium (GaN), a inauguré un nouveau siège et centre de R&D à Ottawa, au Canada. L’emménagement dans ces nouveaux locaux, au cœur de la communauté de hautes technologies de Kanata, a été rendu nécessaire par la croissance de la société au cours des douze derniers mois, et par ses prévisions de croissance rapide à mesure que les dispositifs de GaN remplaceront les semiconducteurs sur silicium traditionnels dans les applications de contrôle et conversion d’énergie …

« Nous sommes engagés dans une croissance à long terme qui s’annonce rapide, et ce nouvel établissement nous apporte les ressources et les capacités dont nous avons besoin pour passer rapidement de la R&D à la commercialisation cette année, » déclare Jim Witham, CEO de l’entreprise.

Le nouveau siège et centre de R&D est trois fois plus étendu que les précédents locaux de GaN Systems, et la surface des laboratoires est multipliée par dix. Ces laboratoires disposent de leurs propres sources d’énergie et de refroidissement, ce qui est crucial, selon Girvan Patterson, co-fondateur et Président : « Lorsque vous produisez des dispositifs capables de commuter 200 A ou plus, seules des installations spécialisées permettent de les tester à fond. La puissance disponible dans cette localité et nos laboratoires dédiés nous permettront d’explorer complètement les applications les plus puissantes et d’accélérer le test de fiabilité à long terme de nos dispositifs ».

Après deux années de recul des investissements en équipements de production de semiconducteurs, le marché mondial des équipements pour SC est promis à deux années de croissance : +20,8%, à 38,4 milliards de dollars en 2014 et +10,8%, à 42,6 milliards de dollars l’an prochain. 2015 représenterait alors la deuxième meilleure année de tous les temps, dépassée uniquement par le pic de 47,7 milliards de l’année 2000, selon SEMI …

Au cours de ces deux années, les investissements en équipements pour SC seront tirés par les dépenses des fondeurs et des fabricants de circuits logiques pour les technologies inférieures à 20 nm, par les fabricants de mémoires flash NAND pour des technologies avancées (3D NAND) et l’augmentation de leurs capacités de production, par les fabricants de mémoires Drams pour les versions pour mobiles et par l’extension des capacités de production pour les technologies de packaging avancées ( flip chip, wafer bumping et wafer-level packaging).

Par familles de machines, le marché mondial des équipements de traitement de la tranche (front-end) devrait progresser de 22% cette année à 31,12 milliards de dollars, puis de 11,9% en 2015, à 34,81 milliards ; celui des machines d’assemblage et de packaging de 8,6% en 2014, à 2,52 milliards, puis de 1,2%, à 2,55 milliards en 2015 ; enfin, celui des équipements de test devrait croître 12,5% cette année, à 3,06 milliards, puis de 1,6% en 2015, à 3,11 milliards.

Toutes les grandes régions de production de semiconducteurs devraient voir leurs investissements progresser en 2014 et 2015 : Chine (+47,3% en 2014 ; +1,6% en 2015), Amérique du Nord (+35,7% en 2014 ; +2,5% en 2015), Corée du Sud (+33% en 2014 ; +15% en 2015), Europe (+29,7% en 2014 ; +47,8% en 2015), Japon (+8% en 2014 ; +15,6% en 2015), Taïwan (+9,5% en 2014 ; +6,1% en 2015). Notons que malgré ces fortes progressions, le marché européen des équipements pour SC ne représentera que 3,68 milliards de dollars en 2015, soit 8,6% du total mondial, contre près de 29% pour Taïwan.

Thales Alenia Space annonce l’ouverture de son deuxième site en Belgique, situé à Louvain. Le site, composé dans un premier temps d’une équipe d’une vingtaine d’ingénieurs, développe de nouvelles technologies et de produits avioniques pour les satellites et les lanceurs. Il travaillera en étroite collaboration avec les acteurs du pôle de compétence en microélectronique de Louvain ainsi qu’avec le site de Charleroi …

« En s’implantant à Leuven, Thales Alenia Space Belgium va renforcer sa position au sein de l'industrie spatiale belge. Ce nouveau site comprend en particulier des activités de conception pour les nouveaux lanceurs européens ; notre ambition est de développer des solutions innovantes pour nous positionner comme acteur pour l’avionique et l’électronique d’Ariane 6[L] |Press Release[/L]», a déclaré Roger Dernoncourt, Directeur Général de Thales Alenia Space Belgium.

Acteur spatial de premier plan en Europe dans les domaines des télécommunications, de la navigation, de l’observation de la terre, de l’exploration et de la réalisation d’infrastructures orbitales, Thales Alenia Space est une société commune entre les groupes Thales (67%) et Finmeccanica (33%). Aux côtés de Telespazio, Thales Alenia Space forme la Space Alliance et propose une offre complète de solutions incluant les services. Thales Alenia Space a réalisé un chiffre d'affaires de plus de 2 milliards d’euros en 2013 et emploie 7500 personnes dans 6 pays.

L’Allemand Infineon Technologies vient d’annoncer un programme d’investissement baptisé “Pilot Space Industry 4.0” dans son centre industriel de Villach, en Autriche. L’investissement de 290 M$ concernera à la fois la R&D et les technologies de production de semiconducteurs de prochaines générations. 200 nouveaux emplois devraient être créés entre 2014 et 2017, principalement dans la R&D …

Le site autrichien de Villach est très important dans la stratégie d’Infineon pour développer de nouvelles technologies de production qui sont ensuite transférées dans d’autres usines du groupe à plus grande échelle. Cela a été déjà notamment le cas pour la production de semiconducteurs de puissance sur tranches de 300 mm de diamètre amincies dont la production de volume a été transférée à Dresde.

Au programme des innovations pour ce nouveau round d’investissements à Villach, figurant le développement de procédés de fabrication de mems et de technologies de capteurs sur des tranches de nitrure de gallium (GaN) et de carbure de silicium (SiC), ainsi que la poursuite des travaux sur la production sur tranches amincies de 300 mm de diamètre.

En mai dernier, le deuxième fabricant européen de semiconducteurs avait annoncé son intention de réduire, à partir de son exercice fiscal 2015 qui débutera en octobre prochain, son ratio investissements sur chiffre d’affaires de 15% à 13%, en tirant notamment profit de la montée en puissance de sa production de semiconducteurs de puissance sur tranches de 300 mm de diamètre amincies et en faisant davantage appel à la sous-traitance pour la fonderie et l’assemblage en boîtiers.