Le quotidien Les Echos croit savoir que le gouvernement réfléchit à la création d’un opérateur national de stations de recharge pour véhicules électriques, qui mettrait en place et gérerait environ 5000 bornes de recharge rapide sur le territoire. Le Premier ministre pourrait rendre son arbitrage sur ce dossier d’ici à cet été …

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Le coût d’une borne de recharge rapide (environ 30 minutes) se situerait entre 35 000 et 40 000 euros. ERDF semble le candidat naturel pour cette mission, mais le groupe Bolloré, qui gère 4000 bornes avec Autolib’, JC¬Decaux, Veolia, voire Vinci, pourraient également se porter candidats à un éventuel appel d’offres, souligne le quotidien économique.

Le Toulousain Sigfox, premier opérateur français de réseau cellulaire entièrement dédié aux communications Machine to Machine et à l’Internet des Objets, annonce la signature d’un contrat avec TDF. Cet accord national porte sur le déploiement, l’hébergement et la maintenance d’une partie du réseau métropolitain français de Sigfox. Le nombre et la diversité des points hauts TDF doivent permettre à Sigfox d’offrir à ses clients un service pérenne et fiable sur l’ensemble du territoire. En fonction de la volumétrie de l’application du client et de la classe de service souhaitée, les tarifs par objet connecté varient de quelques euros à 2€/an (soit 0,17€/mois) …

En effet, la totalité des infrastructures de TDF sont conçues pour accueillir des équipements télécoms & audiovisuels. L’objectif est de maximiser la couverture radio de Sigfox sur chaque point haut, afin de limiter fortement l’empreinte du réseau, tant au niveau économique, qu’écologique.

« TDF accompagne la croissance de Sigfox et renforce ainsi son positionnement sur un marché télécoms en plein essor. Ce projet est un véritable challenge, pour lequel TDF met au service de Sigfox toutes ses expertises en matière d’ingénierie radio, de déploiement, d’exploitation et de maintenance des infrastructures télécoms. En nous accordant sa confiance, Sigfox anticipe un avenir peuplé d’objets communicants qui transformeront nos usages et faciliteront nos vies », souligne Christine Landrevot, directeur de la division Télécoms et Services de TDF.

« Notre réseau cellulaire dédié aux communications à bas débit se prépare désormais à accueillir des milliards d’objets. Cette nouvelle dimension donnée par l’infrastructure de TDF, associée à la technologie de rupture de Sigfox sonne l’entrée dans l’ère de l’Internet des Objets », commente Ludovic Le Moan, Président directeur général de Sigfox.

Sigfox est le premier et à ce jour l’unique opérateur de réseau cellulaire entièrement dédié à la communication bas débit pour l’objet connecté. Grâce à sa technologie brevetée« UNB » (Ultra Narrow Band), qui utilise les bandes de fréquences libres (gratuites) pour transmettre sur un spectre très étroit les données destinées ou en provenance des objets connectés, son réseau relie d’ores et déjà des dizaines de milliers d’objets en France et dans quelques grandes villes internationales à l’Internet et aux systèmes d’information de ses clients.

Conçue pour la transmission bas-débit (typiquement de 10b/s à 1kb/s), la technologie sans-fil UNB bénéficie d’un très haut niveau de sensibilité qui permet de transporter les données sur une longue distance (jusqu’à 40km en champ libre) et de communiquer avec des équipements enfouis, de manière fiable et avec une puissance consommée minimum. L’émission en bande étroite couplée à un traitement du signal sophistiqué assure une protection contre les interférences et garantit l’intégrité des données transmises.

Ce ne sont encore que des intentions, mais la volonté politique est affichée : la Commission européenne a lancé hier une campagne en faveur d'investissements publics coordonnés dans les secteurs de la micro- et de la nanoélectronique européenne, afin d’inciter les entreprises à investir 100 milliards d’euros entre 2013 et 2020 pour doubler la part de l’Europe dans la production mondiale de semiconducteurs et la porter à près de 20%. 10 milliards d’euros de fonds publics et privés devront être investis dans la R&D (passage au 450 mm ; technologies avancées pour rendre les puces plus rapides et embarquant plus d’intelligence) afin de mettre en œuvre cette politique industrielle et amorcer ce cercle vertueux …

« Je souhaite doubler notre production de puces, de sorte qu'elle atteigne près de 20% de la production mondiale. Je veux que l’Europe produise sur son territoire plus de puces que les États-Unis n'en fabriquent chez eux. L'objectif est réaliste, si nous orientons bien nos investissements », s’est fixé pour objectif Neelie Kroes, vice-présidente de la Commission européenne.

La mise en place de cette stratégie industrielle que la Commission européenne appelle de ses vœux s’articule autour de plusieurs piliers. Tout d’abord le renforcement des trois pôles européens de nanoélectronique de niveau mondial : Grenoble en France, Dresde en Allemagne, ainsi que Louvain en Belgique associé à Eindhoven aux Pays-Bas. Ces trois pôles devront être mis en réseau avec d’autres pôles européens de pointe, que sont notamment Cambridge, la Carinthie, Dublin et Milan. Les trois chantiers principaux de R&D industrielle seront d’abaisser les coûts de production des semiconducteurs grâce au passage à une fabrication sur tranches de 450 mm de diamètre, de rendre les puces plus rapides ("More Moore") et les rendre plus intelligentes ("More than Moore").

Pour amorcer la pompe, la Commission estime qu’il faut mobiliser 10 milliards d’euros provenant de sources privées et de financements régionaux, nationaux et de l’Union européene, dont 5 milliards à dégager dans le cadre d'un partenariat public-privé. Elle met également en avant la nécessité d’une augmentation et d’une coordination accrue des investissements de l’Union et des États membres grâce à une meilleure coopération transfrontière (70% des investissements publics devraient provenir des États membres et 30% de l’Union européenne).

La feuille de route de la Commission européenne s’inspire ainsi largement des préconisations formulées par la profession en novembre dernier : les associations AENEAS et CATRENE avaient alors remis à Neelie Kroes un rapport intitulé « Innovation for the future in Europe : nanoelectronics beyound 2020 », qui traçait les grandes lignes d'une stratégie devant générer un investissement total de 100 milliards d’euros entre 2013 et 2020. A chacun désormais d’engager les fonds nécessaires à cette politique industrielle de reconquête de compétitivité.


La stratégie proposée par la Commission européenne s’inspire largement du rapport remis par la profession fin 2012 à Neelie Kroes.

Même si elles sont encore très loin de leur niveau d’il y a un an, les commandes des équipements pour la fabrication des semiconducteurs poursuivent leur remontée en avril, tant pour les machines américaines que japonaises. Elles ont de plus été supérieures aux facturations, signe que l’amélioration devrait se poursuivre …

Selon SEMI, les prises de commandes en équipements US pour la fabrication des semiconducteurs ont ainsi représenté 1,17 milliard de dollars en avril 2013, soit 6,4% de plus qu’en mars 2013 et 26,8% de moins qu’en avril 2012. Les facturations ont pour leur part augmenté de 9,3% en un mois, à 1080 M$, et ont été inférieures de 25,7% à celles d’avril 2012. Le book-to-bill (rapport commandes sur facturations) des fabricants d’équipements américains est descendu à 1,08, contre 1,11 en mars, 1,10 en février, 1,11 en janvier, 0,92 en décembre et 0,79 en novembre 2012.

Selon la SEAJ (Semiconductor Equipment Association of Japan), les commandes en équipements pour SC japonais ont représenté 97,100 milliards de yens en mars (944 M$), en hausse de 10% par rapport à mars 2013, mais restent inférieures de 7,5% à celles d’avril 2012. Les facturations ont, pour leur part, reculé de 5% en un mois, à 87,47 milliards de yens (850 M$) et ont été inférieures de 26,7% à celles d’avril 2012. Le book-to-bill japonais est repassé au-dessus de l’unité, à 1,11, contre 0,96 en mars, 1,17 en février, 1,18 en janvier, 1,23 en décembre et 0,89 en novembre 2012.

Le lancement de Places2Be, un projet européen d'une durée de trois ans et d'une valeur de 360 millions d'euros impliquant la construction de deux lignes-pilotes afin de soutenir l'industrialisation de la technologie de silicium sur isolant totalement déplétée FD-SOI (Fully Depleted-Silicon-On-Insulator), a été annoncé aujourd’hui par un groupement de 19 grandes entreprises et institutions universitaires européennes. Dirigé par STMicroelectronics, le projet Places2Be (« Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe ») a pour vocation de soutenir le déploiement d'une ligne-pilote FD-SOI dans les nœuds de 28 nm et suivants, ainsi que d'une deuxième source qui permettra la fabrication en volume en Europe. Deux lignes-pilotes FD-SOI seront ainsi installées à Grenoble chez ST et à Dresde chez Globalfoundries …

La technologie sur silicium sur isolant totalement déplétée FD-SOI (« Fully-Depleted Silicon-On-Insulator ») améliore le contrôle électrostatique du canal du transistor, ce qui augmente les performances et le rendement énergétique des transistors. Plus précisément, Places2Be utilise la filière FD-SOI Ultra-Thin Body & Buried oxide (UTBB), qui autorise la mise au point dynamique des performances des transistors - de la basse consommation à haute vitesse - en cours de fonctionnement. La technologie FD-SOI est une alternative basse consommation et haute performance aux traditionnelles technologies silicium et FinFET massives. Les premiers systèmes sur puce réalisés en FD-SOI devraient être utilisés dans des produits électroniques grand public, informatiques et de connectivité réseau.

Places2Be a vocation à favoriser la création d'un écosystème européen dans le domaine de la conception microélectronique en s'appuyant sur cette plate-forme FD-SOI, et à explorer la voie à suivre vers la prochaine étape de cette technologie (14/10 nm).

Avec un budget de près de 360 millions d'euros, la participation de 19 partenaires représentant 7 pays et l'implication prévue d'environ 500 ingénieurs sur trois ans à travers l'Europe, Places2Be est le plus important projet lancé à ce jour dans le cadre d'un partenariat public-privé (Joint Undertaking - JU) de l'ENIAC, le Conseil consultatif pour l'initiative européenne des nanotechnologies avec le soutien des pouvoirs publics des pays participants. Places2Be est l'un des projets de lignes-pilotes de fabrication de technologies clés (KET) octroyés par l'entreprise commune ENIAC-JU pour développer des technologies et des domaines d'application ayant un impact sociétal important.

Les sources de fabrication de la technologie FD-SOI pour ce projet sont implantées dans les deux grands pôles de la microélectronique européenne : la ligne-pilote de STMicroelectronics de l'usine de Crolles (Isère), et la deuxième source dans l'usine Fab 1 de GlobalFoundries à Dresde (Allemagne). Rappelons que ST avait signé un accord en juin 2012 pour permettre à Globalfoundries d’accéder à sa technologie FD-SOI (voir notre article).

Chez ST, la capacité de l’usine de Crolles en technologie FD-SOI doit être portée à 1000 tranches par semaine à la fin de l’année. Cette année, ST va investir dans le développement d’une technologie FD-SOI 14 nm, en vue de la livraison des premiers échantillons à la mi-2014. D’ici 2 à 3 ans, la technologie FD-SOI devrait représenter 1/3 de la production à Crolles (voir notre article).

Membres du projet Places2Be :
• ACREO Swedish ICT, Suède
• Adixen Vacuum Products, France
• Axiom IC, Pays-Bas
• Bruco Integrated Circuits, Pays-Bas
• Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, France
• Dolphin Integration, France
• Ericsson, Suède
• eSilicon Romania, Roumanie
• Forschungzentrum Jülich, Allemagne
• GlobalFoundries Dresde, Allemagne
• Grenoble INP, France
• IMEC Interuniversitair Micro-Electronica Centrum, Belgique
• Ion Beam Services, France
• Mentor Graphics France, France
• Soitec, France
• ST-Ericsson
• STMicroelectronics (Crolles2 SAS, SA, Grenoble SAS), France
• Université Catholique de Louvain, Belgique
• Université de Twente, Pays-Bas


Cliquez sur l’image pour voir une vidéo présentant la technologie FD-SOI sur YouTube :

Le Premier ministre Jean-Marc Ayrault annonce l’engagement de 107 millions d’euros issus du Programme d’investissements d’avenir en faveur de deux projets proposés par le Commissariat général à l’investissement et l’Agence nationale de la recherche. Le premier projet, doté de 57 millions d’euros, permettra de valoriser, et de diffuser vers les entreprises, les résultats issus de la recherche des 11 500 chercheurs des laboratoires de l’Université de Lyon, en créant une société d'accélération du transfert de technologies (SATT) …

Elle sera notamment spécialisée dans les domaines de la santé, des biotechnologies, de la chimie, du développement durable, des nanotechnologies ou des logiciels.

Le second, doté de 50 millions d’euros, vise à accroître encore l’expertise française en matière de sûreté nucléaire et de radioprotection.