Le marché mondial des composants discrets de puissance devrait passer de 13 milliards de dollars cette année, à 23 milliards en 2024, selon Lux Research. Dans dix ans, la filière silicium restera la principale technologie de ce marché avec une part de 87%, mais les filières carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN) progresseront respectivement de 30% et 32% par an en moyenne …

publicité

En 2024, les marchés de l’électronique grand public et des technologies de l’information absorberont 48% de la consommation de discrets de puissance, soit un marché de 11 milliards de dollars. L’électronique grand public (au sens large des terminaux de grands volumes tels les tablettes) représentera la quasi-totalité de ce segment, avec un marché passant de 7 milliards de dollars en 2014, à 10 milliards en 2024, précisément grâce à l’engouement du grand public pour les tablettes et les téléphones mobiles.

C’est le marché de l’automobile et plus généralement du transport qui sera, selon Lux Research, le principal vecteur de l’essor des technologies SiC et GaN. 65% de la consommation de composants SiC devrait concerner le transport en 2024, le marché du transport représentant également 41% des débouchés de la filière GaN. Le marché des discrets de puissance pour le transport devrait atteindre au total près de 1,2 milliards de dollars en 2024, soutient Lux Research.

Pour le cabinet d’étude, l’adoption de la technologie SiC sera freinée par son prix : des coûts élevés pour la fabrication des transistors SiC limiteront ainsi les marchés économiquement viables pour cette filière. Quant à la technologie GaN, c’est sa disponibilité restreinte en termes de capacités de production qui freinera son expansion. Au total, ces deux filières, malgré des taux de croissance impressionnants, ne devrait ainsi pas dépasser 13% du marché en 2024.

Laird Technologies annonce un nouveau blindage dans sa gamme de produits standards. Ce blindage avec une très faible hauteur en deux parties (cadre et couvercle) intègre une zone de pose de composant amovible et des coins rigides. Il présente une hauteur de moins de 2,15 mm lorsque les pièces sont assemblées …

• Le cadre possède une zone de pose amovible pour permettre un accès facile aux composants en dessous, pour permettre la maintenance des composants ou pour intégrer facilement des pads thermiques ou d'autres contacts.
• Les coins rigides améliorent la structure qui préserve la co-planéité. Cette conception innovante offre une solution idéale pour les applications intégrant un blindage EMC dans lesquelles l'accès aux composants blindés est requis et dans lesquelles également l'espace entre le circuit imprimé et le boîtier est critique.

Fournisseur : Laird Technologies

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de dispositifs SiC (carbure de silicium) avec le lancement d'un module de puissance haut-rendement 3300V, 1500A. Le PMI (Plastic Module IEGT) MG1500FXF1US71, intègre un IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor, ou transistor à grille amélioré par injection) canal-N, et une diode FRD (Fast Recovery Diode, ou diode de recyclage rapide) SiC, au sein d'un même module, avec une empreinte de seulement 140 x 190 mm …

• Ce module permet des gains substantiels d'énergie, d'encombrement et de poids, et réduit le niveau sonore des systèmes de commutation haute-puissance présents dans les onduleurs ou les commandes moteur. Les applications cible sont notamment la traction ferroviaire, la commande de moteurs industriels, les systèmes d'énergie renouvelable, et la transmission et distribution d'électricité.
• L'utilisation d'une diode SBD (Shottky Barrier Diode, ou diode barrière de Schottky) en SiC réduit sensiblement le courant de reprise d'inversion, et diminue d'autant les pertes à l'allumage, par rapport à des solutions silicium.
• La combinaison de cette diode et d'une architecture interne améliorée réduisant les inductances parasites, permet au MG1500FXF1US71 de présenter des pertes de reprise d'inversion diminuées de 97%, par rapport à un module utilisant une diode silicium conventionnelle.
• Le MG1500FXF1US71 offre une tension d'isolement nominale de 6000 VAC (tension efficace pendant une minute) et accepte un courant crête de coupure au collecteur de 3000A maximum. La dissipation de puissance au niveau du collecteur (à 25°C) est de 5000W. Sa plage de température opérationnelle est de -40°C à +150°C.

Référence : MG1500FXF1US71
Fournisseur : Toshiba

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

Le distributeur francilien Diltronic annonce un accord de distribution avec le Chinois Chipsee. Chipsee développe des PC industriels embarqués de type panel-PC et des outils de développement pour les plateformes de développement populaires (PandaBoard, BeagleBoard et BeagleBone) …

Diltronic est un distributeur de composants électroniques et propose 4 gammes de produits pour lesquels la société réalise le support technique. Créée en 1993 à Saint Germain en Laye, Diltronic stocke les pièces et livre depuis ses locaux en France et en Europe. La valeur du stock du distributeur représente en moyenne 18% de son chiffre d’affaires annuel.

Dans le cadre des assises de l'embarqué qui se sont tenues lundi à Paris, les Trophées de l’Embarqué 2014 ont récompensé et mis en lumière les projets de cinq entreprises qui ont développé et mis en œuvre un ou plusieurs systèmes embarqués comportant une composante logicielle prépondérante et particulièrement innovante dans cinq catégories …

Le Trophée de l’Embarqué critique récompense le projet qui a su le mieux assurer la sûreté et la robustesse du système développé, sur le plan du matériel et du logiciel, face à de fortes contraintes d’environnement. Il a été remis à la société Digigram pour sa solution IQOYA *LINK de diffusion numérique des programmes radiophoniques, vers les émetteurs radio FM, en garantissant la qualité de service sur réseau IP.

Le Trophée de de l’Objet connecté récompense le projet d’objet connecté ayant apporté le service le plus innovant à destination du grand public ou des professionnels. Il a été remis à la société Freemindtronic pour sa clé USB cybersécurisée EVIKEY ONE NFC permettant de protéger ses données contre tous types d’intrusions (physique, numérique, électronique, électrique).

Le Trophée du capteur Embarqué récompense le projet de système embarqué qui a su exploiter de manière particulièrement innovante les fonctionnalités de capteurs intelligents, autonomes et communicants. Il a été remis à la société Airbus pour son système embarqué ILDAS capable de diagnostiquer les effets de la foudre sur un avion en vol (localisation des zones impactées).

Le Trophée de l’Embarqué pour la santé et l’aide aux personnes récompense le projet le plus innovant dans ces domaines. Il a été remis à la société Bodycap pour sa gélule e-celsius permettant de mesurer la température interne chez l’homme en continu pendant une intervention chirurgicale et en post-opératoire (voir notre article).

Le Trophée des Technologies de l’Embarqué récompense les outils et composants les plus innovants pour le développement de logiciels embarqué. Il a été remis à la société Smart Me Up pour sa brique technologique innovante permettant la reconnaissance et l’analyse des visages.

Enfin, le prix spécial du jury a été décerné à la société Naio Technologies pour son robot OZ de désherbage autonome des cultures maraîchères. Récidiviste, Naio a déjà remporté cette année le trophée de l’innovation de Cap’Tronic dans la catégorie jeune entreprise.

280 personnes ont assistées aux Assises de l’Embarqué, une manifestation organisée par Embedded France, en partenariat avec la Direction Générale des Entreprises (DGE), Cap’tronic, Syntec Numérique, et les pôles de compétitivité Aerospace Valley, Images et Réseaux, Minalogic et Systematic. Cette septième édition s’est inscrite dans un contexte particulièrement riche pour la filière de avec la mise en place de l’association Embedded France, le plan logiciels et systèmes embarqués de la Nouvelle France Industrielle validé par le gouvernement, et une nouvelle étude sur l’embarqué en France qui vient alimenter la feuille de route de la filière (nous y reviendrons).


Plus de détails sur les lauréats

La Commission européenne a annoncé ce matin un plan d'investissement qui doit libérer au moins 315 milliards d'euros d'investissements publics et privés pour l'économie réelle au cours des trois prochaines années (2015-2017). Chaque euro d'argent public mobilisé par le Fonds doit générer au total 15 euros d'investissements qui, à défaut, n'auraient pas été réalisés …

Le nouveau Fonds soutiendra les investissements stratégiques dans les infrastructures, notamment les réseaux à haut débit et les réseaux d'énergie, le transport, dans les centres industriels, ainsi que l'éducation, la recherche et l'innovation, les énergies renouvelables et l'efficacité énergétique, sans oublier les PME et les entreprises à moyenne capitalisation.

Selon les estimations de la Commission européenne, les mesures proposées pourraient, prises dans leur ensemble, accroître le PIB de l'UE de 330 à 410 milliards d'euros au cours des trois prochaines années et créer jusqu'à 1,3 million d'emplois.

Le plan comporte trois volets principaux la création d'un nouveau Fonds européen pour les investissements stratégiques (FEIS), garanti par de l'argent public, afin de mobiliser au moins 315 milliards d'investissements supplémentaires au cours des trois prochaines années (2015-2017) ; la mise en place d'une réserve de projets crédibles, associée à un programme d'assistance afin de canaliser les investissements en fonction des besoins les plus pressants ; une feuille de route destinée à rendre l'Europe plus attrayante pour les investissements et supprimer les obstacles réglementaires.

« L'heure est venue d'investir dans notre avenir, dans des secteurs clés pour l'Europe, comme l'énergie, les transports, le haut débit, l'éducation, la recherche et l'innovation. Je compte à présent sur le Parlement européen et les États membres pour s'atteler à la tâche et faire en sorte que le nouveau Fonds européen pour les investissements stratégiques soit opérationnel le plus rapidement possible », a commenté Jean-Claude Juncker, président de la Commission européenne.

Un nouveau Fonds européen pour les investissements stratégiques (FEIS) sera mis sur pied, en partenariat avec la Banque européenne d'investissement (BEI). Il comprendra une garantie de 16 milliards d'euros provenant du budget de l'UE, combinée à 5 milliards d'euros engagés par la BEI. Selon des estimations fondées sur les enseignements du passé, le Fonds aura un effet multiplicateur de 1 à 15. En d'autres termes, chaque euro d'argent public mobilisé par le Fonds générera au total 15 euros d'investissements qui, à défaut, n'auraient pas été réalisés.
La totalité des mesures correspondantes devraient être adoptées de manière à ce que le nouveau Fonds européen pour les investissements stratégiques puisse être mis en place d'ici la mi-2015. À la mi-2016, la Commission européenne et les chefs d'État et de gouvernement feront le point sur les progrès réalisés et, le cas échéant, envisageront d'autres options.