International Rectifier vient de lancer le double MOSFET de puissance FastIRFET IRFH4257D encapsulé dans un boîtier de puissance PQFN de 4x5 mm à hautes performances. Cette nouvelle option de boîtier, étend l’utilisation de cette famille de briques de base de puissance vers les montages compacts à puissance modérée dans les applications DC-DC à entrée 12 V, telles que les équipements télécoms et réseaux, les serveurs, les cartes graphiques et les ordinateurs fixes et portables …

publicité

• L’IRFH4257D bénéficie de la dernière génération de technologie silicium et d’encapsulation d’IR, offrant ainsi des performances thermiques évoluées ainsi qu’une résistance à l’état passant (RDS(on)) et une charge de grille (Qg) réduites. Il délivre ainsi une densité de puissance supérieure et des pertes en découpage limitées, le tout dans un boîtier compact mesurant 4x5 mm.
• Comme tous les composants FastIRFET d’IR, l’IRFH4257D peut fonctionner avec n’importe quel contrôleur ou pilote, et constitue donc une solution flexible tout en délivrant un courant, un rendement et une fréquence de découpage supérieurs dans les applications mono- et multiphases.
• Grâce à l’ajout de l’IRFH4257D, les concepteurs ont désormais le choix d’un boîtier PQFN 4x5 mm ou 5x6 mm pour répondre au mieux aux besoins de leur application.
• L’IRFH4257D est compatible avec les gammes industrielles, garanti sans plomb et conforme aux standards RoHS et MSL1 (sensibilité à l’humidité de niveau 1), et utilise des matériaux respectueux de l’environnement.

Référence : IRFH4257D
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier vient d’introduire les IGBT 600 V qualifiés pour l’automobile AUIRGP66524D0 et AUIRGF66524D0. Ces composants sont optimisés pour les applications de commande de petits moteurs auxiliaires, telles que les compresseurs d’air conditionné au sein des véhicules électriques et hybrides …

• Tirant parti de la plateforme COOLiRIGBT d’IR et encapsulés avec une diode à recouvrement doux, les IGBT 24 A AUIRGP66524D0 et AUIRGF66524D0 présentent une faible tension VCE(ON) afin de réduire la dissipation de puissance, ainsi qu’une température de jonction maximale de 175 °C pour atteindre une densité de puissance très élevée.
• Disponibles en boîtier TO-247 à broches standard ou longues, ces composants présentent également un délai minimal de court-circuit de 6 µs à 150 °C. L’aire de sécurité étendue en polarisation inverse ou SRBSOA (safe reverse biased safe operating area) ajoute à leur robustesse. Ces composants ont été conçus avec un coefficient de température positif pour VCE(ON), ce qui facilite leur mise en parallèle dans des applications à forte puissance.
• Les IGBT automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques, combinés à une inspection visuelle des tranches entièrement automatisée dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut.

Référence : AUIRGP66524D0 | AUIRGF66524D0
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier introduit un catalogue complet de composants basés sur ses derniers MOSFET basse tension pour la protection de batteries lithium-ion, parmi lesquels le MOSFET DirectFET à double canal N IRL6297SD. Grâce à la faible résistance Rds(on) de cette plateforme, ces circuits peuvent être utilisés pour remplacer des MOSFET en boîtiers plus conséquents afin d’économiser de l’espace sur le circuit imprimé et de réduire le coût du système …

• Présentant une très faible résistance à l’état passant (RDS(on)) pour réduire les pertes en conduction de manière drastique, ces nouveaux MOSFET de puissance 20 V et 30 V sont disponibles en configuration à canal N ou P.
• Conçus avec une commande de grille maximale de 12 Vgs, ces composants conviennent aux montages de protection de batteries à deux cellules en série. L’IRL6297SD embarque deux MOSFET 20 V canal N à drain commun dans un boîtier Small Can DirectFET compact et à rendement thermique élevé.
• Ce catalogue de MOSFET de gestion de batteries est disponible en boîtier standard ainsi qu’en boîtier DirectFET Small Can double pour les montages à faible encombrement.
• Tous ces composants sont conformes MSL1 et RoHS et ne contiennent pas de plomb, de bromure ou d’halogène.

Référence : IRL6297SD
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de dispositifs SiC (carbure de silicium) avec le lancement d'un module de puissance haut-rendement 3300V, 1500A. Le PMI (Plastic Module IEGT) MG1500FXF1US71, intègre un IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor, ou transistor à grille amélioré par injection) canal-N, et une diode FRD (Fast Recovery Diode, ou diode de recyclage rapide) SiC, au sein d'un même module, avec une empreinte de seulement 140 x 190 mm …

• Ce module permet des gains substantiels d'énergie, d'encombrement et de poids, et réduit le niveau sonore des systèmes de commutation haute-puissance présents dans les onduleurs ou les commandes moteur. Les applications cible sont notamment la traction ferroviaire, la commande de moteurs industriels, les systèmes d'énergie renouvelable, et la transmission et distribution d'électricité.
• L'utilisation d'une diode SBD (Shottky Barrier Diode, ou diode barrière de Schottky) en SiC réduit sensiblement le courant de reprise d'inversion, et diminue d'autant les pertes à l'allumage, par rapport à des solutions silicium.
• La combinaison de cette diode et d'une architecture interne améliorée réduisant les inductances parasites, permet au MG1500FXF1US71 de présenter des pertes de reprise d'inversion diminuées de 97%, par rapport à un module utilisant une diode silicium conventionnelle.
• Le MG1500FXF1US71 offre une tension d'isolement nominale de 6000 VAC (tension efficace pendant une minute) et accepte un courant crête de coupure au collecteur de 3000A maximum. La dissipation de puissance au niveau du collecteur (à 25°C) est de 5000W. Sa plage de température opérationnelle est de -40°C à +150°C.

Référence : MG1500FXF1US71
Fournisseur : Toshiba

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier lance aujourd’hui une plateforme technologique de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) 1200 V de huitième génération (Gen 8) qui utilise la dernière technologie à grille en tranchée et coupure de champ d’IR dans des boîtiers TO-247 standards pour offrir de meilleures performances aux applications industrielles et à économie d’énergie …

• Ces composants Gen 8 supportent des courants allant de 8 A à 60 A avec une tension VCE(ON) typique de 1,7 V et un délai de court-circuit de 10 µs afin de réduire la dissipation d’énergie et d’améliorer la densité de puissance et la robustesse.
• Cette nouvelle technologie apporte des caractéristiques de coupure plus douces, idéales pour les applications de commande de moteur, réduisant le dv/dt (et donc les émissions électromagnétiques) et les surtensions (renforçant ainsi la fiabilité et la robustesse).
• La distribution plus serrée des paramètres améliore le partage de courant lors de la mise en parallèle de plusieurs IGBT. La technologie à substrat fin renforce enfin la résistance thermique, avec une température de jonction maximale allant jusqu’à 175 °C.

Référence : Gen 8
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

International Rectifier étend son catalogue de MOSFET StrongIRFET en lançant des modèles 75 V destinés à un large spectre d’applications industrielles parmi lesquelles l’outillage électrique, les inverseurs pour véhicule électrique, la commande de moteurs DC, la protection de batteries Li-ion, l’insertion à chaud et le redressement synchrone côté secondaire d’alimentation à découpage ou SMPS (Switched Mode Power Supply) …

• Cette famille de MOSFET de puissance StrongIRFET 75 V présente une résistance à l’état passant Rds(on) ultra-faible qui améliore les performances dans les applications à basse fréquence, une bonne tenue en courants très élevés, une diode intrinsèque douce et une tension de seuil typique de 3 V pour une meilleure immunité au bruit.
• Chaque membre de cette famille est testé à 100% contre les niveaux de courant d’avalanche les plus élevés, pour offrir la solution la plus robuste aux applications industrielles exigeantes. Ces composants sont disponibles en boîtiers traversants.

Référence : StrongIRFET 75 V
Fournisseur : International Rectifier

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |