International Rectifier lance aujourd’hui une plateforme technologique de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) 1200 V de huitième génération (Gen 8) qui utilise la dernière technologie à grille en tranchée et coupure de champ d’IR dans des boîtiers TO-247 standards pour offrir de meilleures performances aux applications industrielles et à économie d’énergie …

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• Ces composants Gen 8 supportent des courants allant de 8 A à 60 A avec une tension VCE(ON) typique de 1,7 V et un délai de court-circuit de 10 µs afin de réduire la dissipation d’énergie et d’améliorer la densité de puissance et la robustesse.
• Cette nouvelle technologie apporte des caractéristiques de coupure plus douces, idéales pour les applications de commande de moteur, réduisant le dv/dt (et donc les émissions électromagnétiques) et les surtensions (renforçant ainsi la fiabilité et la robustesse).
• La distribution plus serrée des paramètres améliore le partage de courant lors de la mise en parallèle de plusieurs IGBT. La technologie à substrat fin renforce enfin la résistance thermique, avec une température de jonction maximale allant jusqu’à 175 °C.

Référence : Gen 8
Fournisseur : International Rectifier

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