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br> Soitec, premier fabricant mondial de tranches de silicium sur isolant (SOI), annonce une collaboration avec IBM portant sur l’utilisation de procédés de collage et d’empilement de tranches (wafer-to-wafer) et la création de substrats pour les technologies inférieures à 22 nm ; ces techniques permettront de développer une technologie d’intégration 3D au niveau des tranches pour les circuits intégrés de nouvelle génération.

Parallèlement, le Grenoblois annonce la signature d’un accord de collaboration avec l’Américain Corning portant sur le développement de substrats en silicium sur verre (SiOG – silicon-on-glass) destinés au marché des écrans plats pour produits mobiles. Les deux sociétés vont concentrer leurs travaux sur la technologie des substrats de haute performance pour écrans mobiles à diodes organiques (OLED – organic light-emitting diode).

L’objectif de cette collaboration est de relever les défis rencontrés dans la commercialisation à grande échelle d’écrans de haute qualité avec des coûts optimisés obtenus grâce à la technologie OLED mobile. Ces défis concernent notamment l’uniformité et la mobilité des électrons et la réduction du coût total du système.