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Samsung démarre la production de mémoires à changement de phase 512 Mbits

Semiconducteurs>Corée>Stratégie
23/09/2009 14:05:49 :
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br> Samsung annonce la mise en production de volume de mémoires à changement de phase (PRAM) de 512 Mbits, une mémoire non-volatile basse consommation, qui permettrait d’augmenter l’autonomie des téléphones mobiles de 20%.

Produite en technologie 60 nm, la mémoire PRAM de Samsung peut effacer 64 KW (kiloword) en 80 ms, ce qui est 10 fois plus rapide que les flash NOR.
ÉDITION du 23/09/2009
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