Mercredi 23 Septembre @ VIPress.netSamsung démarre la production de mémoires à changement de phase 512 Mbits
Samsung annonce la mise en production de volume de mémoires à changement de phase (PRAM) de 512 Mbits, une mémoire non-volatile basse consommation, qui permettrait d’augmenter l’autonomie des téléphones mobiles de 20%.
Produite en technologie 60 nm, la mémoire PRAM de Samsung peut effacer 64 KW (kiloword) en 80 ms, ce qui est 10 fois plus rapide que les flash NOR.
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