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Semiconducteurs : 312 article(s).
MOSFET 60 V pour applications industrielles

NP/Discrets
27-08-2014 12:59:51 :

International Rectifier a étendu cet été son catalogue de MOSFET de puissance StrongIRFET 60 V, disponibles en divers boîtiers de puissance standards et de hautes performances. Dotés d’une très faible résistance à l’état passant (Rds(on)), ces nouveaux MOSFET sont conçus pour un large spectre d’applications industrielles incluant l’outillage électrique, les inverseurs pour véhicules électriques légers, les commandes de moteurs DC, la protection de batteries Li-ion et le redressement synchrone côté secondaire des alimentations à découpage …
 
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• Disponibles en boîtiers traversants et CMS, cette famille étendue de StrongIRFET 60 V comprend l’IRF7580M. Encapsulé dans un boîtier DirectFET Medium Can (ME) ultra-compact et de faible épaisseur, il délivre une forte densité de courant tout en réduisant l’encombrement et le coût du système global, et convient aux applications industrielles compactes de forte puissance.
• Cette famille de 19 MOSFET de puissance StrongIRFET 60 V présente une résistance à l’état passant (Rds(on)) extrêmement faible, améliorant les performances en basses fréquences, une très forte capacité en courant, une diode intrinsèque douce et une tension de déclenchement typique de 3 V qui améliore l’immunité au bruit. Chacun de ces composants est testé à 100 % contre les niveaux de courant d’avalanche les plus élevés, afin d’offrir la solution la plus robuste aux applications industrielles exigeantes.
• Comme pour les autres membres de la famille DirectFET, l’IRF7580M en boîtier Medium Can présente une construction sans fils de liaison (wire bonding), d’où une meilleure fiabilité.

Référence : StrongIRFET 60 V
Fournisseur : International Rectifier

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Premiers modules DDR4 basés sur la technologie 3D TSV

NP/Mémoires
27-08-2014 12:59:10 :

Samsung Electronics annonce le démarrage de la production en grandes séries des modules de mémoire RDIMM (Registered Dual Inline Memory) DDR4 (double data rate-4) de 64 Go qui utilisent la 3D grâce à la technologie package TSV (Through Silicon Via). Le nouveau module TSV de 64 Go est deux fois plus rapide qu'un module de 64 Go avec câblage par fil de bonding, tout en consommant environ la moitié de la puissance de ce dernier …

• Pour réaliser un package DRAM 3D TSV, les matrices DDR4 sont amincies jusqu'à une épaisseur de quelques dizaines de microns. Elles sont alors percées de centaines de trous pour permettre le passage des électrodes de raccordement vertical. Les nouveaux modules RDIMM intègrent 36 puces DRAM DDR4, composée chacune de quatre matrices DRAM DDR4 de 4 Gb. La fabrication de ces puces à faible consommation met en œuvre la technologie 20 nm la plus évoluée de Samsung ainsi que la technologie de packaging 3D TSV.
• Ces modules haute performance à haute densité sont destinés aux serveurs d’entreprise, aux applications cloud et aux centres de traitement de l’information.
• Selon Gartner, le marché mondial des DRAM devrait atteindre 38,6 milliards de dollars et 29,8 milliards d'unités (estimation en unités équivalentes de 1 Go) à la fin de l'année. Gartner prévoit également que le marché des serveurs représentera plus de 20% de la production de DRAM cette année avec environ 6,7 milliards d'unités (estimation en unités équivalentes de 1 Go).

Référence : 3D TSV DDR4 Modules
Fournisseur : Samsung Electronics

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MOSFET de puissance pour l’automobile

NP/Discrets
10-07-2014 15:39:45 :

International Rectifier lance le MOSFET de puissance COOLiRFET AUIRFN8403 qualifié pour l’automobile, et destiné à des applications nécessitant une taille compacte et des performances élevées en courant telles que le contrôle de moteur de pompe et le contrôle de châssis automobile. Disponible en boîtier PQFN compact 5x6 mm, l’AUIRFN8403, premier membre d’une nouvelle famille de composants, utilise la technologie en tranchées 40 V COOLiRFET la plus avancée d’IR, et affiche une résistance à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3,3 mOhm tout en supportant des courants allant jusqu’à 95 A …

• Le boîtier PQFN présente une broche étamée étendue assurant une meilleure soudure et simplifiant l’inspection de celle-ci. L’AUIRFN8403 permet une réduction de l’encombrement de plus de 50% par rapport aux solutions conventionnelles en boîtier DPAK (TO-252), et des performances thermiques améliorées de manière significative par rapport au boîtier SO-8. Il constitue ainsi une solution ultra-compacte, à rendement et densité élevés pour les applications automobiles.
• Les MOSFET automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques, combinés à 100% d’inspection visuelle des wafers entièrement automatisée, dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20% après un millier de cycles de test en température.
• Ce nouveau composant est conforme aux standards AEC-Q101 et utilise des matériaux respectueux de l’environnement, sans plomb et conformes RoHS.

Référence : COOLiRFET AUIRFN8403
Fournisseur : International Rectifier

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Régulateur élévateur, synchrone, deux phases, 15V, 5A

NP/CIanalogiques
09-07-2014 13:15:26 :

Commercialisé par Linear Technology, le LTC3124 est un convertisseur DC/DC, élévateur, synchrone, biphasé, mode courant, avec déconnexion de la sortie et limitation des courants d’appel. Le fonctionnement biphasé réduit de façon significative les pics d’ondulation des courants dans l’inductance et le condensateur, diminuant la taille du composant tout en générant une ondulation plus faible en sortie qu’un composant monophasé équivalent …

• Ses commutateurs internes, 2,5A par phase, génèrent ensemble un courant de 5A. Ce régulateur à découpage 18V peut générer des tensions de sortie jusqu’à 15V à partir d’une gamme de tensions d’entrée, de 1,8V au démarrage (0,5V en fonctionnement) à 5,5V, ce qui le rend approprié dans les systèmes d’alimentation de sauvegarde à supercondensateurs et les applications alimentées par des batteries Li-ion/polymère ou à plusieurs éléments NiMH.
• Le LTC3124 génère jusqu’à 1,5A de courant continu en sortie à 12V, à partir d’une tension d’entrée de 5V. Le redressement synchrone permet des rendements jusqu’à 95%, le fonctionnement en Burst Mode réduit la consommation au repos à seulement 25µA, augmentant l’autonomie sur batterie.
• La combinaison de son boîtier DFN-16, 3mm x 5mm, ou TSSOP 16, et de la fréquence de commutation jusqu’à 3MHz, qui minimise la taille de l’inductance et du condensateur, conduit à une solution d’empreinte compacte requise par les applications portables.

Fabricant : Linear Technology
Référence : LTC3124

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Microcontrôleurs pour applications tactiles d’interface homme-machine

NP/MOS Micro
03-07-2014 13:31:16 :

Silicon Labs introduit des microcontrôleurs (MCU) tactiles capacitifs à haute efficacité énergétique pour applications d’interface homme-machine (IHM). La famille de MCU C8051F97x 8 bits combine la technologie ultra basse consommation éprouvée de Silicon Labs et une détection capacitive rapide et précise, pour fournir une solution de contrôle tactile à la pointe de sa catégorie pour l’Internet des Objets, la domotique et l’automatisation de bâtiment, les produits grand public et les produits industriels. Les MCU F97x ont pour cibles les applications alimentées sur batterie à capteurs tactiles capacitifs pour dispositifs industriels portables, jouets, consoles de jeu et télécommandes, ainsi que les panneaux tactiles remplaçant les interrupteurs dans les produits blancs tels que lave-linge, sèche-linge, fours et lave-vaisselle …

• Les MCU F97x de Silicon Labs affichent la plus basse consommation de l’industrie dans les modes actif, veille et sommeil profond, et comptent parmi les MCU tactiles capacitifs 8 bits obtenant la plus longue durée de vie de batterie. Avec un courant actif de 200 µA/MHz, ils combinent idéalement basse consommation et haute performance.
• Leur temps de réveil rapide de 2 µs minimise la consommation lors du passage d’un mode veille au mode actif. Ils offrent le plus bas courant de veille de leur catégorie, de 55 nA avec détecteur de sous-tension (brown-out) activé, et de 280 nA avec oscillateur interne de 16,4 kHz activé.
• Les MCU F97x bénéficient d’une technologie de détection capacitive de pointe, avec un courant moyen de réveil sur toucher inférieur à 1 µA, une résolution de 16 bits et une plage dynamique inégalée de 100:1 ; ils supportent jusqu’à 43 canaux d’acquisition pour boutons, curseurs, roues et capteurs de proximité capacitifs, avec de multiples modes de scanning.
• Les MCU F97x surpassent la famille de MCU tactiles capacitifs basse consommation C8051F99x de Silicon Labs, en offrant jusqu’à 43 entrées capacitives, 32 ko de mémoire flash, 8 ko de RAM, sept canaux DMA et une unité MAC (multiplieur-accumulateur) 16 x 16, le tout dans un boîtier QFN aussi petit que 4 x 4 mm. Ils intègrent un cœur à pipeline compatible 8051 de 25 MHz, un oscillateur de précision, un convertisseur A/N de 10 bits, un capteur de température, une référence de tension et 4 compteurs-temporisateurs 16 bits à usage général.

Fabricant : Silicon Labs
Référence : C8051F97x

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Processeurs pour applications industrielles

NP/MOS Micro
01-07-2014 12:46:48 :

Texas Instruments annonce la gamme de processeurs Sitara AM437x qui prennent en charge les protocoles industriels pour les systèmes d'automatisation et de commande industriels, et offrent de nouvelles fonctionnalités telles que deux caméras pour les terminaux de données équipés de lecteurs de codes à barres. Permettant aux clients de différencier leurs produits, les processeurs AM437x assurent un traitement en temps réel avec les unités programmables en temps réel (PRU) 4 cœurs disponibles …

• Ces unités déchargent l'ARM du traitement en temps réel pour qu'il gère des tâches déterministes telles que la commande des moteurs. En outre, elles sont suffisamment robustes pour prendre en charge des fonctions complexes telles que plusieurs protocoles de bus de terrain industriels.
• La combinaison du cœur ARM Cortex-A9 hautes performances avec l'intégration des périphériques et les PRU permet de développer des applications d'automatisation industrielle telles que des automates programmables, des passerelles domotiques et pour l'Internet des objets, ainsi que des interfaces homme-machine.
• Équipé d'un puissant cœur ARM Cortex-A9 cadencé à 1 GHz et d'autres sous-systèmes, ce SoC offre des performances système 40% supérieures à celles des processeurs Sitara de la génération précédente.
• Le périphérique de connectivité PRU-ICSS (unité programmable en temps réel et sous-système de communication industrielle) 4 cœurs de nouvelle génération prend en charge les protocoles industriels simultanés doubles tels qu'EtherCAT, EtherNet/IP, Profibus, PROFINET-RT/IRT, POWERLINK, Sercos III, CEI 61850, ainsi que les protocoles de rétroaction pour moteurs tels qu'EnDat ou des interfaces pour capteurs et des actionneurs tels que BiSS. Le coprocesseur PRU 4 cœurs intégré assure le traitement en temps réel déterministe, l'accès direct aux E/S et une latence extrêmement faible.

Référence : Sitara AM437x
Fournisseur : Texas Instruments

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