International Rectifier lance les AUIRFN8459 et AUIRFN8458, des MOSFET de puissance COOLiRFET 40 V qualifiés pour l’automobile et délivrant une résistance à l’état passant (Rds(on)) à l’état de l’art pour les applications automobiles nécessitant un courant élevé dans un encombrement réduit, telles que la commande moteur des pompes et le contrôle des actionneurs …

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• Les AUIRFN8459 et AUIRFN8458 sont les premiers membres d’une famille de double MOSFET de puissance pour le secteur automobile, en boîtier PQFN de 5x6 mm, et bénéficiant de la technologie en tranchées 40 V COOLiRFET la plus avancée d’IR. L’AUIRFN8459 présente une Rds(on) extrêmement faible de 5,9 mOhms par canal, tout en supportant des courants élevés jusqu’à 50 A.
• Les composants double COOLiRFET™ 40 V en PQFN 5x6 mm AUIRFN8459 et AUIRFN8458 présentent un encombrement réduit de plus de 50% par rapport aux boîtiers DPAK (TO-252) traditionnels ; combiné à une résistance et une inductance de boîtier et une Rds(on) très faibles, cela les positionne très favorablement pour les applications automobiles 12 V conventionnelles comme le contrôle moteur qui requièrent un rendement et une densité de puissance supérieurs dans un espace réduit.
• Ces nouveaux composants double COOLiRFET™ en boîtier PQFN mesurant 5x6 mm présentent également une faible empreinte thermique vers le circuit imprimé et de meilleures performances thermiques qu’un boîtier SO-8, et délivrent ainsi davantage de rendement et de densité de puissance pour un coût global du système inférieur.
• Les MOSFET automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques combinés à une inspection visuelle des tranches entièrement automatisée dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20% après un millier de cycles de test en température.

Référence : AUIRFN8459 et AUIRFN8458
Fournisseur : International Rectifier

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Integrated Device Technology présente une famille de puces générateur de temps et de fréquence IEEE 1588 pour réduire les coûts, tout en répondant aux besoins de synchronisation des réseaux LTE-Advanced, sans-fil et hétérogènes …

• L'architecture et les capacités de ces dispositifs sont entièrement documentées et accessibles, pour permettre aux concepteurs de logiciels IEEE 1588 de mettre en œuvre leurs propres algorithmes de restauration d'horloge, et d'apporter de la valeur ajoutée à leurs clients, grâce à une personnalisation et un support rapide.
• Cette famille comprend des dispositifs SMD (Synchronization Management Device, ou dispositif de gestion de synchronisation) et des synchroniseurs de port, pour IEEE 1588 et Ethernet synchrone (SyncE). Les SMD contrôlent la génération de temps et de fréquence IEEE 1588 et la synchronisation SyncE. Les synchroniseurs de port assurent la sélection entre les différents signaux SMD redondants, et fournissent des horloges précises, avec un très faible niveau de "jitter", aux ports réseau du système.
• Les SMD IDT 82P33810, 82P33814 et 82P33831 réduisent le coût des horloges IEEE 1588, en remplaçant les très stables mais coûteux oscillateurs OCXO (Oven-Controlled Crystal Oscillator), par des oscillateurs TCXO (Temperature-Compensated Crystal Oscillator) stabilisés grâce à l'information fréquence de la couche physique SyncE. Le processus de stabilisation du TCXO est automatique et complètement transparent pour le logiciel de restauration d'horloge IEEE 1588.
• Les synchroniseurs de port IDT 82P33724 et 82P33741 fournissent des canaux de synchronisation indépendants pour IEEE 1588 et SyncE ; un troisième canal de synchronisation indépendant sert à la conversion de fréquence à usage général. La commutation "hitless" est supportée entre les références IEEE 1588 redondantes, et les références SyncE redondantes.

Fournisseur : IDT

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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer la disponibilité de plusieurs circuits intégrés de commande de moteur, qui répondent à la demande en matière de compacité et de silence de fonctionnement, dans les secteurs tels que l'électroménager et la bureautique …

• Le TB67S269FTG est un driver de moteur pas-à-pas bipolaire, qui offre une tension élevée de 50V et un courant de 2A. Des entraînements motorisés rapides et relativement puissants sont nécessaires dans les imprimantes, les équipements bureautiques, les DAB (distributeurs automatiques de billets), les machines de jeu et les appareils ménagers. Le TB67S269FTG réduit l'échauffement et améliore le rendement, en augmentant la vitesse de commutation et en adoptant la technologie de commande moteur, ADMD, de Toshiba. Par ailleurs, il offre une très faible résistance à l'état passant, de 0,8 Ohm ou moins.
• Le TB67S269FTG adopte une technologie de commande moteur haute-résolution par 1/32 de pas (maximum), pour limiter les vibrations et le bruit. Il se présente en petit boîtier QFN48 de 7 x 7 x 0.5 mm, ce qui favorise la miniaturisation et la réduction des coûts. Sécurité et fiabilité sont améliorées grâce à l'intégration de circuits de coupure thermique et de coupure en cas de surintensité.
• Développé pour piloter les moteurs de ventilateur présents dans certains appareils ménagers, comme les réfrigérateurs, les TB67B001FTG, TB67B008FTG et TB67B008FNG sont des CI drivers Hall sans capteur, pour moteurs triphasés sans balais. Ces nouveaux dispositifs fonctionnent dans la plage de 4 à 22V, avec un courant de sortie maximum de 3A.
• Plusieurs boîtiers sont disponibles : VQFN36 (36 broches) de 5 x 5 x 0.9 mm (TB67B001FTG), WQFN24 (24 broches) de 4 x 4 x 0.75 mm (TB67B008FTG), et SSOP24 (24 broches) de 8.3 x 7.6 x 1.6 mm (TB67B008FNG).

Référence : TB67S269FTG, TB67B001FTG, TB67B008FTG et TB67B008FNG
Fournisseur : Toshiba

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Samsung Electronics vient de lancer sa nouvelle puce de communication en champ proche (NFC), S3FWRN5. Elle a pour avantage d’offrir des performances accrues en radiofréquence (RF) ainsi qu'un encombrement réduit. La puce S3FWRN5 a par rapport à la S3FNRN3, sa prédécesseur, une portée RF deux fois supérieure, aussi bien en mode lecteur qu'en mode émulation de carte. Samsung a commencé à produire en série la puce NFC e-Flash 45 nm dès le deuxième semestre 2014 …

• La nouvelle puce NFC présente des dimensions de seulement 2,4 mm x 2,4 mm, les plus petites du monde pour une puce NFC autonome selon le Coréen. Pour les fabricants de téléphones intelligents, la compatibilité broche à broche permet également l'application pratique en tant que puce NFC autonome ou système en boîtier (SiP) NFC avec élément de sécurité intégré (eSE).

• Étant la seule puce NFC e-Flash gravée en 45 nm, la S3FWRN5 autorise des mises à jour faciles et en toute sécurité du micrologiciel, sans refonte de l'architecture. La partie e-Flash peut être modifiée en toute sécurité par des mises à jour du micrologiciel lorsqu'il est nécessaire d'ajouter de nouvelles fonctions à la puce. Ceci permet aux fabricants d’appareils mobiles de réduire la durée du développement par rapport à des solutions basées sur mémoire morte (ROM).
• La S3FWRN5 est également pourvue de la technologie LPS (low power sensing) de Samsung, un nouvel algorithme optimisé pour détecter les signaux en consommant le moins possible. Cette technologie minimise la consommation d'énergie de la puce NFC lorsqu'elle émet des signaux continus pour reconnaître d'autres dispositifs NFC ou des étiquettes NFC. En adoptant la technologie LPS, la consommation énergétique de la puce a pu être réduite d'environ 25% par rapport au produit NFC le plus récent de Samsung.
• Cette nouvelle solution NFC a obtenu plusieurs certifications NFC dans le monde entier de la part d’organismes reconnus, notamment Europay, MasterCard et Visa (EMV), China UnionPay, China Mobile Communication Corporation (CMCC) et le Forum NFC. Elle est universellement compatible dans le monde entier avec les lecteurs NFC sans contact et les étiquettes NFC.

Référence : S3FWRN5
Fournisseur : Samsung Electronics

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Analog Devices annonce ce qu’il considère comme étant le convertisseur analogique/numérique 16 bits hautes températures le plus rapide de l’industrie. Ce convertisseur à approximations successives (SAR) est en effet plus de deux fois plus rapide que les modèles actuellement disponibles et assure un fonctionnement sans erreur jusqu’à 175 degrés Celsius (°C) …

• Avec des fréquences d’échantillonnage pouvant atteindre 600 kéch/s, le convertisseur analogique/numérique PulSAR AD7981 convient idéalement à des applications telles que la mesure sonique et de vibrations large bande, ainsi que la détection de température et de pression à basse consommation dans une bande passante plus étroite.
• Le convertisseur AD7981 maximise l’autonomie de la batterie dans des environnements difficiles en adaptant la consommation de façon linéaire par rapport à la fréquence d’échantillonnage, consommant seulement 4,65 mW à la fréquence maximale de 600 kéch/s (70 µW à 10 kéch/s).
• Ce convertisseur A/N affiche des performances typiques de ±0,7 LSB en linéarité non intégrale (INL) et un rapport signal/bruit de 91 dB, avec à la clé une dynamique élevée doublée d’une exactitude et d’une précision maximales. Cette combinaison permet de gérer des critères de performances critiques pour les applications de mesure haute précision utilisées dans des environnements difficiles où la température est très élevée, tels que les plateformes de forage pétrolier et gazier à de grandes profondeurs, les applications industrielles ou avioniques.

Référence : PulSAR AD7981
Fournisseur : Analog Devices

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Toshiba Electronics Europe (TEE) vient de lancer la plus petite classe de mémoires Flash NAND embarquées au monde, grâce à des puces NAND produites en technologie 15 nm. Ces nouvelles mémoires sont conformes aux toutes dernières spécifications e.MMC, et sont destinées à un large éventail d'applications comme les smartphones, les tablettes et autres dispositifs "wearables" (à porter sur soi). Les premières livraisons d'échantillons de dispositifs 16 Go ont lieu dès maintenant, et des versions 8 Go, 32 Go, 64 Go et 128 Go vont suivre …

• Les puces NAND e.MMC sont fabriquées en technologie de pointe Toshiba 15 nm, et intègrent un contrôleur gérant les fonctions de contrôle de base des applications NAND. Grâce à l'utilisation de ces puces NAND 15 nm, la taille des boîtiers est réduite d'environ 26] par rapport aux produits Toshiba comparables]. Les boîtiers FBGA 153 billes, conviennent bien aux smartphones, aux tablettes PC, et aux appareils "wearables", pour lesquels la miniaturisation et le gain de poids sont des critères décisifs.
• Les puces NAND e.MMC 16 Go sont disponibles en plusieurs tailles de boîtiers : 11,5 x 13,0 x 0,8 mm (THGBMFG7C2LBAIL), 11,0 x 10,0 x 1,0 mm (THGBMFG7C2LBAIW) ou 11,5 x 13,0 x 0,8 mm (THGBMFG7C1LBAIL). Les dispositifs 8 Go, 32 Go et 64 Go sont également disponibles en formats 11,5 x 14,0 mm, et 11,0 x 10,0 mm.
• Avec son système, le dispositif 128 Go (THGBMFT0CBLBAIS) ne mesure que 11,5 x 13,0 x 1,4 mm, et peut enregistrer jusqu'à 16,3 heures de vidéo HD ou 39,7 heures de vidéo SD.
• Ces dispositifs sont également plus rapides en lecture/écriture grâce à une meilleure optimisation des performances de la puce elle-même et du contrôleur. La vitesse de lecture est jusqu'à 8% plus rapide (maximum), tandis que la vitesse d'écriture est approximativement 20% plus rapide (maximum).

Référence : NAND e.MMC
Fournisseur : Toshiba

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