Analog Devices annonce l’introduction de deux générateurs de formes d’ondes à 180 Méga-échantillons par seconde (Méch/s) : le convertisseur numérique/analogique AD9106 12 bits quatre voies et le convertisseur numérique/analogique AD9102 14 bits monovoie. Ces deux convertisseurs numérique/analogique intègrent une mémoire RAM statique (SRAM) embarquée et une fonction de synthèse numérique directe (DDS) pour assurer la génération de formes d’ondes complexes. Ils génèrent les formes d’ondes complexes multivoies à haut débit et dans une large plage dynamique que requièrent des applications telles que l’attaque de transducteurs à ultrasons, les appareils d’instrumentation médicale et d’instrumentation portable, les générateurs de signaux et les générateurs de formes d’ondes arbitraires…

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• Mémoire embarquée à 4.096 mots
• Synthèse numérique directe (DDS) embarquée avec mot d’accord sur 24 bits
• Consommation de mode veille : < 5 mW @ 3,3 V
• Tension d’alimentation : 1,8 à 3,3 V

Référence : AD9106 et AD9102
Fournisseur : Analog Devices

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Toshiba Electronics Europe annonce un jeu de circuits intégrés émetteur et récepteur haute efficacité pour la recharge de téléphones mobiles et d'autres dispositifs portables alimentés par batterie utilisant la technologie de positionnement libre sur une surface précise de rechargement (free positioning). Le jeu de circuits intégrés est totalement compatible avec la spécification de l'interface Qi du Wireless Power Consortium (WPC), pour les formats A4, A8, A12 et A14…

• Il se compose de l'émetteur de puissance TB6865FG et du récepteur TB6860WBG, et se présente avec une architecture de contrôle à double bobinage pour une recharge à moindre coût de la batterie.
• La position d'un équipement mobile est détectée par le circuit TB6865FG et un seul des deux bobinages est alimenté pour la recharge, préservant ainsi l'efficacité de recharge tout en autorisant une liberté de positionnement sur la zone de recharge.
• Les utilisateurs peuvent placer un téléphone dit Qi-capable sur une surface de recharge compatible Qi et atteindre une efficacité supérieure de 74% sur la majeure partie de la zone de recharge.
• Le circuit TB6865FG est présenté dans un boîtier LQFP100 de 14 mm x 14 mm tandis que le circuit TB6860WBG est commercialisé dans un boîtier WCSP39 mesurant 4,29 mm x 2,69 mm.

Référence : TB6865FG et TB6860WBG
Fournisseur : Toshiba Electronics Europe

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STMicroelectronics lance une nouvelle génération de composants basse consommation et haute précision qui permettent d'améliorer l'efficacité énergétique et d'accélérer le fonctionnement d'équipements tels que les détecteurs de gaz, les appareils médicaux, les systèmes de sécurité et les commandes industrielles. Référencé TS881, ce circuit, adapté aux circuits de mesure et de détection frontaux, inaugure une génération de comparateurs dont le fonctionnement sous une tension d'alimentation de seulement 1,1 V dans une plage de température étendue se traduit par une durée de fonctionnement accrue avec des batteries de dimensions réduites…

• Courant de fonctionnement typique : 210 nA @ 25°C
• Temps de propagation typique : 2 µs
• Plage de température : - 40 à + 125°C
• Plage de tension de fonctionnement : 1,1 à 5 V (tension de 1,1 V garantie dans toute la plage de température)
• Tolérances aux décharges électrostatiques (ESD) : 8 kV HBM (modèle corps humain)

Référence : TS881
Fournisseur : STMicroelectronics

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Intel présente sa nouvelle famille de processeurs Intel Atom S1200, qui fournit pour la toute première fois une solution tout-en-un (System-on-Chip - SoC) à faible consommation, avec le support du 64-bits pour propulser à la fois des microserveurs de haute-densité et une nouvelle catégorie d'équipements de communication et de stockage à haute efficacité énergétique. L'Intel Atom S1200 est le premier produit SoC basse-consommation à offrir une enveloppe thermique de 6 watts seulement…

• Le SoC dispose deux cœurs physiques pour un total de 4 cœurs logiques, grâce à la technologie Intel Hyper-Threading (Intel HT).
• Ce SoC propose également un support 64-bit, un contrôleur mémoire supportant jusqu'à 8Go de mémoire DDR3, la technologie de virtualisation Intel VT, 8 lignes PCI Express 2.0, l'Error-Correcting Code (ECC) pour plus de fiabilité, et d’autres interfaces d’E/S intégrées des chipsets Intel.
• Cette famille de produits sera constituée de trois produits, offrant tous quatre threads, et proposant des fréquences allant de 1,6 GHz à 2,0 GHz.

Référence : Atom S1200
Fournisseur : Intel

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Analog Devices commercialise deux régulateurs continu-continu 20 V référencés ADP2384 (4 A) et ADP2386 (6 A) qui se caractérisent par un rendement de conversion très élevé (supérieur à 95%) et un format compact. Les régulateurs ADP2384-86 présentent une large plage de tension d’entrée comprise entre 4,5 et 20 V, pour une plage de tension de sortie comprise entre seulement 0,6 et 18 V, avec une précision en tension de 1%. La protection par limitation des pics d’intensité haute précision permet d’utiliser des inductances de dimensions réduites, ce qui minimise l’espace occupé sur la carte. Les régulateurs ADP2384-86 disposent d’une entrée Precision Enable (« activation de précision ») et d’une sortie Power Good (« puissance correcte ») qui autorisent une séquence de démarrage simple et fiable…

• Rendement maximum jusqu’à 95% avec rendement optimisé à faibles charges ;
• Large plage de tension d’entrée : 4,5 à 20 V ;
• Tension de sortie ajustable entre 0,6 et 18 V (90% de la tension d’entrée) ;
• Les régulateurs ADP2384 et ADP2386 disposent de brochages compatibles ;
• Une solution aux dimensions réduites : 168 mm2 (14 mm ×12 mm)

Référence : ADP2384 et ADP2386
Fournisseur : Analog Devices

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Fujitsu Semiconductor Europe lance, sous la référence MB85RC16, une mémoire ferroélectrique 16 Kbits ultra faible consommation avec une interface I2C. Fujitsu a jusqu'à présent livré le MB85RC16 en boîtier SOP-8 standard. Le boîtier SON-8 plastique LCC (Leadless Chip Carrier) aux dimensions de 3x2 mm réduit l'espace d'installation de 80 pour cent par rapport aux ensembles SOP-8. La combinaison d'un faible encombrement et d'une très faible consommation fait du MB85RC16 une solution de mémoire non volatile idéale pour les applications portables dans les secteurs médicaux et industriels ainsi que pour les applications récupératrices d'énergie…

• Avec un courant actif de 70 µA (typique à 1 MHz) et un courant de veille de 0,1 µA, cela représente une économie de courant maximum de 98 pour cent en comparaison avec une EEPROM standard.
• Sa faible consommation et ses caractéristiques d'accès rapide permettent une consignation des données en temps réel requise pour les équipements de mesure médicaux portables.

Référence : MB85RC16
Fournisseur : Fujitsu Semiconductor Europe

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