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Semiconducteurs : 312 article(s).
Circuit de commande de DEL

NP/CIanalogiques
13-02-2014 14:02:03 :

International Rectifier lance le circuit de commande-contrôle IRS2983 pour les topologies à étage unique Flyback et Buck-Boost utilisées dans les alimentations et les pilotes de DEL. L’[bIRS2983 met en œuvre une régulation côté primaire qui réduit le nombre de composants nécessaires et simplifie la conception en éliminant le circuit d’isolation optique et les autres composants requis pour la rétroaction isolée pour charge fixe. Le circuit comporte également un bloc de démarrage rapide, réduisant drastiquement le délai d’allumage du système …
 
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• Le composant présente un facteur de puissance élevé et une faible distorsion harmonique totale (THD), et fonctionne avec une large gamme d’entrée convenant à de nombreuses applications d’éclairage à DEL.
• Un ensemble complet de fonctions de protection contre les surtensions en mode hoquet, contre les pics de courant cycle à cycle ou encore contre les circuits ouverts et les courts-circuits est également intégré. Le circuit gère aussi la fonction variateur avec des TRIAC.
• L’IRS2983 d’IR aide à simplifier la conception et à réduire la nomenclature de composants, et peut également être configuré pour fonctionner avec des variateurs de lumière à TRIAC.
• Disponible en boîtier SO-8, l’IRS2983 tire profit du procédé de fabrication de circuits haute tension avancé d’IR pour offrir une meilleure protection contre le stress électrique tout en intégrant un démarrage à faible consommation, un courant de fuite réduit, une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) et une grande immunité au verrouillage et au bruit.

Référence : IRS2983
Fournisseur : International Rectifier

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Microcontrôleur ultra-basse consommation pour applications industrielles, grand public et de santé

NP/MOS Micro
12-02-2014 15:44:16 :

STMicroelectronics annonce une nouvelle gamme de microcontrôleurs 32 bits d'usage général, qui permettra d'allonger de façon significative l'autonomie des batteries dans un large éventail d'applications grand public, de santé et industrielles. Architecturé autour d'un cœur de processeur ARM Cortex M0+ cadencé à 32 MHz, le nouveau microcontrôleur ultra-basse consommation STM32L0 embarque un convertisseur analogique-numérique 12 bits qui établit un nouveau standard de basse consommation et une interface USB 2.0 Full Speed sans quartz. Par exemple, un bracelet de remise en forme architecturé autour d'un microcontrôleur STM32L0 et alimenté par une pile-bouton non rechargeable pourrait fonctionner pendant deux ans avant de changer la batterie …

• Grâce à l'association du convertisseur analogique-numérique qui ne consomme que 40 µA à la fréquence de conversion de 100 000 échantillons par seconde (kéch/s) - et seulement 200 µA à 1,14 Méch/s - et du rendement énergétique du cœur de processeur et des périphériques ultra-basse consommation, des applications telles que les bracelets de remise en forme ou les détecteurs de fumée domestiques alimentés par des piles non rechargeables nécessiteront des remplacements moins fréquents. Les microcontrôleurs STM32L0 conviennent aussi aux applications de détection industrielles (distribuées) alimentées par batterie ou par récupération d'énergie.
• La série STM32L0 est déclinée en trois gammes : Access, USB et USB/LCD. Les nouveaux dispositifs de tous les modèles partagent les caractéristiques suivantes : une consommation d'énergie dans différents modes 139 µA/MHz @ 32 MHz à plein débit ; 87 µA/MHz avec un mode optimisé, et 400 nA en mode Stop avec rétention complète de la RAM et délai de réveil de 3,5 ms.
• La série comprend également jusqu'à 64 ko de mémoire flash, 8 ko de SRAM et 2 ko de mémoire EEPROM embarquée. Une fonction de suréchantillonnage matériel intégrée assure par ailleurs une conversion analogique/numérique sur 16 bits. L
• Proposés en boîtiers UQFN32 (5x5 mm), LQFP32 (7x7 mm), LQFP48 (7x7 mm), LQFP64 (10x10 mm) et BGA64 (5x5 mm), ces nouveaux microcontrôleurs sont immédiatement disponibles sous forme d'échantillons au prix unitaire de 0,85 dollar par 1 000 pièces ; la production en volume est prévue au deuxième trimestre 2014.

Référence : STM32L0
Fournisseur : STMicroelectronics

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MOSFET en boîtiers à forte dissipation pour accélérer le rechargement des batteries

NP/Discrets
11-02-2014 15:48:47 :

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer deux MOSFET ultra-compacts en boîtiers très dissipatifs, spécifiquement développés pour répondre aux besoins de recharge à courant élevé des tout derniers appareils portables. Les MOSFET SSM6K781G canal-N et SSM6J771G canal-P, se présentent tous deux en boîtier WCSP6C miniature de 1,5 x 1,0 mm offrant une dissipation thermique (PD) nominale de 1,2W …

• Le boîtier WCSP6C est le meilleur choix pour les applications ne disposant que d'un espace sur carte minimum, dans la mesure où le rapport [encombrement/puissance dissipable] de ce type de boîtier est bien supérieur à celui d'un boîtier moulé conventionnel. Ceci fait de ces MOSFET des candidats adaptés à la commutation de puissance dans les circuits de charge des téléphones portables, tablettes et autres appareils portables compacts, qui nécessitent des courants élevés pour réduire les temps de charge.
• Ces nouveaux dispositifs Toshiba combinent une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) et une très faible capacité, ce qui permet leur utilisation dans les circuits de charge et les convertisseurs DC-DC.
• Les valeurs nominales de RDS(ON) sont typiquement de 14 mOhm (VGSS = 4,5V) pour le SSM6K781G canal-N, et de 26 mOhm (VGSS = -4,5V) pour la version SSM6J771G canal-P.
• Le MOSFET SSM6K781G offre un courant DC maximum de 7A nominal, tandis que le SSM6J771G peut accepter jusqu'à -5A, ce qui rend ce dernier particulièrement adapté aux applications de recharge à double cellule, grâce à sa tension de grille maximum VGSS = +/-12V.

Référence : SSM6K781G et SSM6J771G
Fournisseur : Toshiba

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Convertisseur numérique/analogique 16 bits monovoie

NP/CIanalogiques
07-02-2014 16:06:30 :

Analog Devices présente le convertisseur numérique/analogique AD5683R. Le convertisseur 16 bits monovoie nanoDAC+ vient enrichir le portefeuille de produits nanoDAC d’Analog Devices : il apporte une valeur ajoutée sans compromis avec une précision relative de ±2 bits de poids faible (linéarité intégrale de ±2 LSB), une référence de tension interne de 2,5 V ayant une dérive de 2 ppm/°C et un conditionnement de faible encombrement en boîtier LFCSP. Ceci en fait une solution adaptée à un large éventail de marchés, tels que les infrastructures de communications, le contrôle de processus industriels, la santé et l’instrumentation …

• Décliné en versions 10, 12, 14 et 16 bits, le convertisseur N/A AD5683R est une solution polyvalente, entièrement évolutive et qui bénéficiant d’un brochage compatible.

Principales caractéristiques :
• Linéarité intégrale (INL) de ±2 LSB maximum, ce qui convient idéalement aux applications en boucle ouverte ;
• La tension de référence 2,5 V avec une dérive de 2 ppm/°C économise l’espace occupé sur la carte et élimine les exigences d’étalonnage par rapport à la température ;
• L’erreur totale non ajustée (TUE) de 2 mV évite tout étalonnage/ajustement initial.

Référence : AD5683R
Fournisseur : Analog Devices

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Circuits de distribution d'horloge LVDS basse consommation

NP/CIanalogiques
04-02-2014 11:38:04 :

Integrated Device Technology annonce l'introduction d'une famille de circuits de distribution (buffers) d'horloge LVDS 1,8V, offrant des performances AC, semblables à celles de dispositifs 3,3V. Ces buffers basse tension vont permettre à leurs utilisateurs de réduire la consommation jusqu'à 60%, et de diminuer la dissipation thermique, sans sacrifier la précision, ni le taux d'erreurs de bits, ni les fonctionnalités …

• Les IDT 8P34S sont une famille de buffers d'horloge, dotés d'une entrée pour un signal d'horloge ou de données, qu'ils dupliquent ("fan out" en anglais) pour fournir un signal d'horloge ou de données de haute qualité, à plusieurs composants au sein du système.
• La faible tension d'alimentation (1,8V) de ces dispositifs permet de réduire la consommation sans nuire aux performances, et ainsi d'obtenir des cartes plus denses, une consommation inférieure, et des coûts de refroidissement moindres.
• La famille 8P34S propose jusqu'à 12 sorties, et offre une compatibilité broche-à-broche avec les versions à tension d'alimentation supérieure. Ainsi ces composants conviennent aux conceptions complexes, à faible bruit et fréquence d'horloge élevée, que l'on trouve dans les applications de communication filaire et sans fil, d'informatique avancée, ou de gestion de réseau.
• Les membres de la famille IDT 8P34S disposent de 2 à 12 sorties différentielles LVDS, génèrent un bruit de phase RMS (efficace) additif aussi bas que 39 fs (femtosecondes), et supportent des fréquences jusqu'à 1,2 GHz.

Référence : 8P34S
Fournisseur : IDT

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MOSFET rapides à rendement élevé en boîtiers CMS, jusqu'à 250V

NP/Discrets
29-01-2014 16:07:07 :

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer des extensions à sa famille de MOSFET à rendement ultra-élevé UMOS VIII-H. Les 32 nouveaux dispositifs permettront aux concepteurs d'économiser de la place et de réduire les pertes, dans le cas d'applications de redressement synchrone ou de commutation au primaire ou au secondaire, et plus généralement dans le cas de circuits nécessitant des dispositifs de tension nominale allant de 60V à 250V …

• Ces MOSFET offrent des tensions nominales de 60V, 80V, 100V, 150V, 200V ou 250V, et sont tous disponibles en boîtier CMS plat, TSON ou SOP. Les empreintes sur carte sont respectivement de seulement 3 x 3 mm et 5 x 6 mm.
• Les valeurs de résistance à l'état passant (RDS(ON)) de cette famille sont les meilleures dans leurs catégories. Par exemple, le TPH4R50ANH 100V (RDS(ON) maximum de 4,5 mΩ à VGS = 10V) et le TPH2900ENH 200V (RDS(ON) maximum de 29 mΩ à VGS = 10V) associent les valeurs de RDS(ON) les plus basses, à une charge de grille (Qg) et à une capacité d'entrée (Ciss) très basses.
• Les nouveaux transistors MOSFET UMOS VIII-H Toshiba s'appuient sur le processus de production de semiconducteurs de huitième génération, UMOS, de la société. Ce processus offre des améliorations significatives au niveau des caractéristiques RDS(ON) et Ciss, qui permettent d'optimiser le rendement et les vitesses de commutation, tout en réduisant le bruit rayonné à un niveau minimum.
• Les applications cible de ces MOSFET CMS 60 à 250V sont notamment la conversion AC/DC et DC/DC dans les systèmes industriels, les appareils ménagers numériques, l'équipement informatique et les consoles de jeu. Les dispositifs 80 à 150V seront particulièrement bien adaptés aux alimentations de nombreux systèmes de télécommunications.

Référence : UMOS VIII-H
Fournisseur : Toshiba

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