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Semiconducteurs : 312 article(s).
Processeurs d'application pour dispositifs à porter sur soi

Filière électronique>NP/MOS Micro>NP/Capteurs/Opto/Mems
08-04-2014 16:09:23 :

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient de lancer un processeur d'application conçu pour les dispositifs à porter sur soi, comme les moniteurs d'activité, les montres intelligentes, ou les dispositifs de type bracelet ou lunettes intelligentes. Le TZ1001MBG intègre la détection, le traitement de données et la transmission sans fil, dans un même module, réduisant ainsi l'empreinte sur carte, tout en contribuant à la miniaturisation des dispositifs à porter sur soi …
 
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• Le TZ 1001MBG dispose d'un accéléromètre pour mesurer le mouvement, d'un processeur pour traiter les données issues du capteur, de 8 Mbits de mémoire flash pour stocker les données, ainsi que d'un circuit radio et d'un contrôleur Bluetooth Low Energy (basse énergie) supportant les communications à faible puissance.
• Un cœur hautes-performances ARM Cortex-M4F à 48 MHz avec DSP et FPU (Floating Point Unit, ou unité de calcul à virgule flottante) permet de combiner les données de plusieurs capteurs, internes et externes, pour améliorer la précision (fusion de capteurs).
• Le produit intègre des CAN haute-résolution capables de convertir les signaux analogiques provenant de capteurs externes, comme des capteurs de pouls ou d'électrocardiogramme, en données numériques, pour les envoyer au processeur interne. Le transfert des données brutes et des données traitées aux équipements externes, comme les smartphones ou les tablettes, est assuré grâce au support des protocoles d'E/S suivants : USB, SPI, I2C, UART, CAN 12 bits, et CAN Delta-Sigma 24 bits.
• Le processeur d'application TZ1001MBG offre également une conception basse-consommation originale, qui permet son utilisation dans des dispositifs portables susceptibles de devoir tourner assez longtemps sur batterie. Les premiers échantillons seront livrés en mai, et la production en série devrait commencer en septembre 2014. Toshiba enrichit également sa gamme TZ1000, avec le TZ1011MBG, qui ajoute un gyroscope et un magnétomètre au module décrit ci-dessus.

Référence : TZ1001MBG ; TZ1011MBG
Fournisseur : Toshiba

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Circuit intégré transpondeur optique Ethernet 11,3 Gbits/s

NP/CIanalogiques
04-04-2014 13:01:28 :

Maxim Integrated Products introduit le MAX3956, un CI transpondeur optique SFP+ 10GBASE-LR permettant aux concepteurs de développer des modules optiques sans compromis entre performances élevées et faible consommation pour leurs applications …

• Il offre une marge de masque de transmission meilleure que 50% (signaux 1k, zéro détections à masque) avec une dissipation totale <0,8W pour l'ensemble du module SFP+. Cette dissipation minime réduit les coûts d'exploitation (OPEX), et améliore la fiabilité thermique dans les data centers (centre de traitement de données).
• Le dispositif intègre des moniteurs analogiques haute-précision pour la supervision de diagnostics numériques (DDM), avec notamment des capteurs de température, de tension VCC, et RSSI, pour permettre une conception compacte, et réduire les coûts de nomenclature (BOM).
• En intégrant des moniteurs analogiques et un convertisseur analogique-numérique (CAN) 12 bits, le MAX3956 permet l'utilisation d'un microcontrôleur externe "tout numérique" à bas coût.

Référence : MAX3956
Fournisseur : Maxim

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MOSFET de puissance 100 V pour alimentations télécoms

NP/Discrets
01-04-2014 14:59:42 :

Le dernier MOSFET de puissance FastIRFET 100V IRFH7185TRPbF d’International Rectifier offre des performances de pointe aux alimentations DC-DC utilisées dans les applications télécoms. Il exploite la nouvelle technologie de fabrication 100V FastIRFET pour présenter un facteur de mérite Rds(on)*Qg à l’état de l’art, ce qui améliore le rendement et la densité de puissance ainsi que la fiabilité du système …

• L’IRFH7185TRPbF combine une résistance à l’état passant Rds(on) extrêmement faible et une charge de grille réduite, afin de délivrer des performances élevées, que la charge soit faible ou importante.
• Sa nouvelle structure FastIRFET 100V améliore de 20% la densité de courant d’avalanche, ce qui en fait une solution robuste pour les alimentations télécoms DC-DC.
• Les composants FastIRFET d’IR fonctionnent avec tout contrôleur ou pilote pour une conception plus souple, tout en atteignant un courant, un rendement et une fréquence de fonctionnement supérieurs et cela dans un encombrement réduit.
• L’IRFH7185TRPbF est conforme au standard industriel de sensibilité à l’humidité MSL1, et est encapsulé dans un boîtier PQFN standard de 5x6 mm constitué de matériaux sans plomb, respectueux de l’environnement et conformes RoHS.

Référence : IRFH7185TRPbF
Fournisseur : International Rectifier

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Circuits de commande d’IGBT

NP/Discrets
27-03-2014 13:14:57 :

Le Suisse CT-Concept Technologie, une société du groupe Power Integrations spécialisée en technologies de commande d’IGBT, a livré ses premiers produits à jeu de circuits SCALE-2+. La technologie de commande de grille SCALE-2+ met en œuvre un arrêt progressif ou « soft shutdown » (SSD) en cas de court-circuit, sans nécessiter de composants additionnels. Elle est particulièrement bénéfique dans les applications à basse inductance parasite, qui n’ont pas besoin de la fonction de limitation active Advanced Active Clamping développée par Concept pour contrôler la mise hors tension d’IGBT ou de MOSFET dans des conditions difficiles …

• Les cœurs ASIC de commande d’IGBT SCALE-2 de Concept apportent des avantages de coût, performance, taille et fiabilité. La génération SCALE-2+ renforce l’intégration de la solution car elle incorpore un mécanisme de déclenchement qui limite la tension collecteur-émetteur des IGBT ou la tension source-drain des MOSFET en cas de court-circuit.
• Le premier produit à jeu de circuit SCALE-2+ livré par Concept est le circuit 2SC0106T2A0-12, une commande de grille d’IGBT / MOSFET haute performance à deux canaux pour IGBT 1200 V de 37 kW à 110 kW.
• Le 2SC0106T2A0-12 est idéal pour les servocommandes utilisées dans les applications industrielles, d’alimentations ininterruptibles et d’onduleurs solaires. Il respecte les standards CEI 61800-5-1 et CEI 60664-1 pour une isolation renforcée.

Référence : 2SC0106T2A0-12
Fournisseur : CT-Concept Technologie

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Circuit de commande de moteurs DC à balais pour équipements industriels

NP/CIanalogiques
25-03-2014 13:59:31 :

Toshiba Electronics Europe (TEE)vient de lancer un circuit intégré de commande monocanal de moteur DC à balais, pour les équipements industriels, les terminaux bancaires, les appareils ménagers et les équipements bureautiques. Le TB67H303HG est le premier CI monolithique du marché à proposer 10A de courant de sortie avec une tension de maintien de 50V …

• Conditionné dans un boîtier HZIP25 autorisant une forte dissipation thermique, le TB67H303HG peut supporter un courant de sortie de 10A, sans surchauffer. Cela évite aux concepteurs spécifiant ce CI d'utiliser plusieurs dispositifs semiconducteur discrets, ce qui contribue à la simplification et à la réduction de la taille des applications.
• Le TB67H303HG adopte le tout dernier processus analogique haute tension Toshiba, qui réduit la résistance à l'état passant à 0,2 ohm ou moins, soit moins 80% par rapport à son prédécesseur.
• Deux modes de pilotage sont disponibles : mode PWM standard direct, ou mode PWM à courant constant récemment adopté. Ces deux modes supportent les fonctions : Forward (Rotation normale), Reverse (Rotation inverse), Short Brake (Freinage court) et Stop, lorsque l'on utilise le circuit avec un seul moteur à balais...
• Le CI intègre aussi des fonctions de détection d'anomalies, notamment des circuits de coupure thermique, de détection de surintensité, et de verrouillage en cas de tension insuffisante (UVLO pour Under Voltage Lock Out). Ces fonctions améliorent la sécurité du pilote moteur à courant élevé.

Référence : TB67H303HG
Fournisseur : Toshiba

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IGBT 1400 V pour les applications à induction et découpage soft

NP/Discrets
21-03-2014 13:09:22 :

International Rectifier vient de lancer un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) en tranchées 1400 V robuste, fiable et ultrarapide, optimisé pour les applications à découpage soft comme les tables de cuisine à induction et les fours à micro-ondes …

• Encapsulé avec une diode à très faible tension inverse, l’IRG7PK35UD1PbF exploite la technologie de tranchées sur substrat fin de septième génération d’IR, pour délivrer une tension VCE(ON) extrêmement faible et une commutation ultrarapide.
• Ceci permet de réduire au minimum les pertes en conduction et en découpage, ce qui améliore le rendement du système dans les applications de chauffage à induction.
• L’extension de la gamme de tension du composant jusqu’à 1400 V permet de concevoir des convertisseurs à résonnance parallèle à sortie unique délivrant une puissance supérieure, et offre davantage de marge de sécurité pour les systèmes les plus robustes.
• L’IRG7PK35UD1PbF étend à 1400 V la famille d’IGBT d’IR pour les applications de découpage soft, augmentant ainsi la gamme de puissance des systèmes de chauffage par induction.

Référence : IRG7PK35UD1PbF
Fournisseur : International Rectifier

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