STMicroelectronics annonce l'introduction du premier MOSFET MDmesh V à super jonction qui bénéficie d'une nouvelle technologie de boîtier permettant d'augmenter le rendement du circuit d'alimentation dans des produits tels que l'électroménager, les téléviseurs, les ordinateurs, les télécommunications et les alimentations à découpage pour serveurs. Le boîtier TO247-4 à 4 contacts assure une connexion directe à la source, qui sert uniquement à commander les opérations de commutation, contrairement aux boîtiers classiques qui disposent d'une seule connexion pour piloter la commutation et l'alimentation …

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• Le contact supplémentaire augmente le rendement en commutation, ce qui réduit les pertes d'énergie et assure un fonctionnement à des fréquences plus élevées avec des alimentations plus compactes.
• ST a développé ce boîtier en collaboration avec Infineon qui présente également ses propres nouveaux produits à super jonction, proposant ainsi une seconde source aux utilisateurs.
• Le composant porte la référence STW57N65M5-4. Premier MOSFET MDmesh monté en boîtier TO247-4, il permettra d'augmenter le rendement énergétique dans les circuits à correction active du facteur de puissance (PFC) et pont complet ou dans les convertisseurs de puissance en demi-pont utilisés dans une large gamme de produits électroniques grand public et industriels.
• Le circuit STW57N65M5-4 est actuellement fabriqué en série, et commercialisé à partir de 10,00 dollars à partir de 1 000 pièces.

Référence : STW57N65M5-4
Fournisseur : STMicroelectronics

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AVX introduit un connecteur de bord de carte ouvert spécialement conçu pour fournir aux ingénieurs en éclairage une solution miniature de haute densité utilisable pour l'éclairage à bandes de DEL linéaires. Conçus sans parois d'extrémités pour réduire leur longueur, les connecteurs série 00-9159 d'AVX présentent une configuration double face pour augmenter la densité de broches, un doigt détrompeur central de renfort et d'alignement et une interface de contact étain-étain économique …

• Mesurant à peine 1 mm de longueur par nombre de contacts, la série 00-9159 est disponible avec 4, 6, 8, ou 10 positions de contact et une spécification de tension de 300 V alternatifs.
• Les connecteurs à 4 et 6 positions sont spécifiés pour 3 A et les connecteurs à 8 et 10 positions sont spécifiés pour 2,5 A.
• Acceptant les circuits imprimés standards d'épaisseur de 1,6 mm, les nouveaux connecteurs série 00-9159 d'AVX sont spécifiés pour des températures allant de -40 °C à +125 °C et présentent une spécification de longévité de 5 cycles.

Référence : 00-9159
Fournisseur : AVX

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Molex lance sa solution plus robuste de connectique pour cartes mères haute densité à fibre optique VITA 66.1 pour les applications telles que les systèmes embarqués aérospatiaux, militaires et civils haute densité. Respectant pleinement la spécification 66.1 ratifiée par l'ANSI, cette solution compacte promet aux ingénieurs systèmes VPX une simplicité de conception et une fonctionnalité optimales pour les environnements difficiles …

• Le système de connectique MT haute densité à fibre optique VITA 66.1 répond aux exigences définies par VITA 66.0 pour les interconnexions à fibre optique à branchement en aveugle utilisées avec les modules enfichables et les cartes mères VITA 46.
• Proposée avec 8, 12 ou 24 fibres en versions à ferrule MT VersaBeam (faisceau élargi) et monomode ou multimode standard pour une plus grande souplesse de conception, la connectique VITA 66.1 est dotée d'un solide boîtier en aluminium pouvant supporter des plages de températures extrêmes (-50 à +105 °C) ainsi que des contraintes de chocs et de vibrations plus élevées.
• Les boîtiers à base d'aluminium anodisé fournissent une solution robuste à utiliser dans l'espace réservé à la carte VPX tel qu'établi par la norme ou en tant que solution autonome hors architecture VPX.

Référence : VITA 66.1
Fournisseur : Molex

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La série IQXV-40 d’oscillateurs à quartz commandés par tension (VCXO) d’IQD Frequency Products satisfait à l’exigence du marché pour des styles de boîtiers plus petits, avec une faible gigue. Mesurant tout juste 3,2 x 2,5mm et logé dans un boîtier hermétiquement scellé avec couvercle métallique mis à la terre pour les rayonnements EMI de faible intensité, ce modèle offre une gigue de période de 100 ps pic-à-pic maximum…

• La série est disponible pour toute une gamme de tensions d’alimentation: IQXV-40 5,0V; IQXV-41 3,3V; IQXV-42 2,5V et IQXV-43 1,8V; il est possible de spécifier n’importe quelle fréquence au sein de la gamme 1,25 à 54MHz.
• Elle offre également l’avantage d’une exploitation sur une vaste plage de températures industrielle de -40 à 85 degrés C, tout en continuant à fournir une stabilité de fréquences jusqu’à ±20ppm.
• L’entraînement de fréquence est spécifié à ±50ppm minimum, sur une gamme d’entraînement de 2,5V ±2,5V.
• La série IQXV-40 est fournie en standard sur bandes et bobines.

Référence : IQXV-40
Fournisseur : IQD

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Samsung Electronics lance la fabrication de la première mémoire DRAM LPDDR3 (low power double data rate 3) mobile ultra-rapide de quatre gigabits, gravée en classe 20 nm. Comparé à une DRAM LPDDR3 gravée en 30 nm, les performances de cette nouvelle mémoire sont 30% supérieures et la consommation d'énergie 20% inférieure. Cette solution présente un grand intérêt pour les fonctions multimédia gourmandes en ressources des appareils mobiles de prochaine génération, notamment les téléphones intelligents et les tablettes …

• La LPDDR3 4 Gb atteint un taux de transmission des données de 2133 mégabits par seconde par broche, soit plus du double des performances de la mémoire DRAM (LPDDR2) mobile précédente avec une vitesse de transmission des données de 800 Mbit/s.

• La DRAM LPDDR3 mobile de classe 20 nm de Samsung permet l'affichage sans à-coups de vidéos full HD sur des téléphones intelligents dotés d'écrans de plus de 5".

• En adoptant la DRAM LPDDR3 mobile de 4 Gb de Samsung, les fabricants disposent de 4 puces intégrées dans un seul boîtier de 2 Go dont la hauteur ne dépasse pas 0,8 mm.

Référence : DRAM LPDDR3 mobile
Fournisseur : Samsung

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Le LTM8028 commercialisé par Linear Technology est un régulateur µModule (micromodule), ondulation de sortie de 1mV, conçu pour alimenter les convertisseurs de données et les émetteurs-récepteurs rapides. Le faible niveau d’ondulation de sortie minimise la gigue aléatoire dans les émetteurs-récepteurs rapides de transmission de données et conduit à un plus faible taux d’erreur de bit (BER). En alimentant un convertisseur analogique-numérique (CAN) avec le LTM8028, les tests ont montré une amélioration de 13dB dans la gamme dynamique exempte de parasites (SFDR) en comparaison avec un régulateur abaisseur typique …

• Le régulateur µModule comprend un commutateur abaisseur, synchrone, de 36V, alimentant un post-régulateur linéaire de 5A, dans un boîtier BGA, compact de 15mm x 15mm x 4,92mm.
• Afin de minimiser la consommation et la chute de tension dans le régulateur linéaire, ce régulateur ajuste automatiquement la tension de sortie du convertisseur synchrone interne.
• Gamme de tensions d’entrée : 6V à 36V ; broche à 3 états I/F pour déterminer la tension de sortie VOUT entre 0,8V et 1,8V par incrément de 50mV
• Précision de ±1,5% sur la gamme de températures ; possibilité de mise en parallèle jusqu’à 10A

Fabricant : Linear Technology
Référence : LTM8028

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