Simultanément, Intel et Samsung Electronics viennent d’annoncer que leur plate-forme technologique pour la réalisation de prestations de fonderie en technologie 14 nm était disponible auprès des clients. Ces écosystèmes autour de la production en fonderie des circuits les plus avancés s’appuient sur des accords avec les trois leaders des outils de conception de circuits intégrés : Cadence, Mentor et Synopsys …

publicité

Après leur collaboration pour la plate-forme de conception en technologie 22 nm 3-D Tri-Gate d’Intel, les trois ténors de la CAO viennent ainsi de renouveler leur collaboration avec Intel pour la technologie 14 nm 3-D Tri-Gate. Intel indique que les circuits intégrés fabriqués en fonderie à partir de cette technologie viseront les applications mobiles et les infrastructures cloud.

De son côté, Samsung a signé les mêmes types d’accord de coopération avec Cadence, Mentor et Synopsys, pour proposer à ses clients de fonderie sa technologie de systèmes sur une puce (SoC) 14 nm FinFET. Pour cette technologie, Samsung vise également les applications mobiles et les infrastructures IT. Au passage, cette annonce confirme que Samsung a bien décidé de mener de front les deux technologies FinFET et FD-SOI (suite à son accord avec STMicroelectronics] pour les circuits les plus avancés.

L’Américain Exar, un fournisseur de composants analogiques et signaux mixtes hautes performances et de solutions de gestion des données, vient de finaliser le rachat du Taïwanais Integrated Memory Logic (IML), un fournisseur de circuits analogiques et mixtes pour les afficheurs à écran plat. Le 29 mai dernier, 92% des actions en circulation avaient été apportées à l’Américain. La transaction représente 223 millions de dollars, soit 94 M$ net de la trésorerie acquise …

Fondé en 1996, IML développe des circuits analogiques dédiés des circuits de gestion de puissance et des circuits mixtes pour les marchés de l’affichage, des systèmes mobiles et de l’éclairage à DEL. Ses clients sont principalement en Corée, à Taïwan, au Japon et en Chine continentale. Cette acquisition renforce la stratégie d’Exar en tant que fournisseur de circuits analogiques et mixtes diversifié.

En début d’année, Exar avait annoncé le rachat son compatriote Stretch, une entreprise fabless spécialisée dans les processeurs configurables par logiciels pour le marché de la vidéosurveillance, et, en juillet 2013, son compatriote Cadeka Microcircuits, un spécialiste des circuits intégrés analogiques pour applications industrielles et de haute fiabilité.

La santé est l’un des piliers du marché du wearable. Pour accélérer l’innovation dans ce domaine, le Coréen Samsung Electronics vient de lancer un fonds d’investissements de 50 millions de dollars, à l’intention des start-up et des entrepreneurs dans le domaine de la santé numérique personnelle. L’iniatiative Santé numérique de Samsung vise à attirer les développeurs de capteurs, d’algorithmes, de collecte et d’analyse de données autour de sa plateforme ouverte …

Ces innovations devront en effet faire appel à la plateforme matérielle ouverte et à l’architecture logicielle ouverte du Coréen …

Selon le Coréen, 1,2 milliard d’individus devraient être agés de plus de 60 ans à l’horizon 2025. L’analyse des pulsations cardiaques, de la respiration et de la pression sanguine sont ainsi des exemples de mesures qui pourrait être effectuées par des dispositifs de type wearable que le Coréen ne manquera pas de commercialiser au cours des prochaines années.

Plus de détail sur l’initiative ICI.

Le Britannique ARM, spécialisé dans les blocs d’IP de semiconducteurs et notamment les cœurs de microprocesseur basse consommation, annonce l’établissement à Taïwan de son premier centre de conception de cœurs de microprocesseurs en Asie. Implanté dans le parc scientifique de Hsinchu, ce centre de R&D sera focalisé sur la conception, la vérification et la fourniture de processeurs ARM Cotex-M dédiés aux marchés de l’Internet des objets, du prêt-à-porter numérique (wearables) et des applications embarquées. Parallèlement, ARM acquiert l’Irlandais Dualog Technologies, spécialisé dans les outils pour optimiser l’intégration et l’assemblage des blocs d’IP …

Installé au cœur de l’écosystème taïwanais des semiconducteurs, le centre de conception ouvrira ses portes avant la fin de l’année.

Parallèlement, ARM annonce l’acquisition de Duolog Technologies, une entreprise irlandaise implantée à Dublin et spécialisée dans les outils pour optimiser l’intégration et l’assemblage des blocs d’IP. Cette acquisition permettra aux partenaires d’ARM de prendre en charge la complexité croissante de l’intégration de systèmes-sur-une-puce. La plateforme de configuration Socrates de Duolog est utilisée notamment par sept des dix premiers fabricants de semiconducteurs pour réduire le temps de conception de leurs systèmes-sur une-puce (SoC).

En 2013, ARM avait dépassé la barre du milliard de dollars de chiffre d’affaires annuel, grâce à des ventes annuelles (issues des cessions de licence et de royalties) en progression de 22%, à 1117,7 millions de dollars. En 2013, les clients du Britannique ont ainsi livrés plus de 10 milliards de puces ARM (dont 2,9 milliards au dernier trimestre), portant à plus de 50 milliards le nombre de circuits ARM délivrés depuis 1993. Fin décembre, le Britannique ARM employait 2833 personnes à travers le monde. Son effectif atteignait ainsi 1185 en Grande-Bretagne, 669 aux Etats-Unis, 355 personnes sur le Continent Européen, 395 en Inde et 229 en Asie-Pacifique.

L’Américain Microchip, spécialisé dans les microcontrôleurs, les circuits analogiques et mixtes et les solutions à base de blocs d’IP de mémoire flash, vient de signer un accord définitif pour le rachat en numéraire du Taïwanais ISSC Technologies, un fournisseur de circuits Bluetooth basse consommation et de solutions sans fil avancées pour le marché de l’Internet des objets. Il s’agit de la première acquisition majeure pour Microchip en dehors des Etats-Unis …

Fondé en 1999, ISSC Technologies a réalisé un chiffre d’affaires de 69,2 M$ en 2013, avec une marge d’exploitation de 18,9%. Outre son implantation à Taïwan, ISSC a des centres de développement en Chine et en Californie.

Le montant de l’acquisition en numéraire est d’environ 328,5 millions de dollars, soit une valeur d’entreprise de 294,3 M$ nette de la trésorerie reprise.

Microchip a clos son exercice 2014 fin mars sur un chiffre d’affaires annuel de 1,931 milliard de dollars, en hausse de 22,1% par rapport à l’exercice précédent. Son bénéfice net a bondi de 210,3%, à 395,3 M$, contre 127,4 M$ lors de l’exercice 2013. Rappelons que début avril, Microchip avait finalisé le rachat de son compatriote Supertex, un spécialiste des circuits analogiques et mixtes haute tension. Le montant de l’acquisition en numéraire est de 394 millions de dollars, soit une valeur d’entreprise de 246 M$ nette de la trésorerie reprise.

STMicroelectronics est-il en passe de gagner son pari ? Imposer sa technologie FD-SOI, à ses yeux plus simple et moins coûteuse à développer que la technologie FinFET choisie notamment par Intel et TSMC pour les technologies les plus avancées ? En tout, le groupe franco-italien frappe un grand coup en signant avec Samsung un accord de fonderie et de licence qui assure la disponibilité multi-sources en production de volume de la technologie FD-SOI SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015. Cet accord devrait convaincre les fournisseurs de logiciels de CAO et de blocs de propriété intellectuelle d’enrichir le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm …

Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST. La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie, un facteur décisif pour les applications de l’Internet des objets notamment.

Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28 nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST. Il complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm. En outre, les clients pourront bénéficier de l'expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. Néanmoins, Samsung ne fait pas le choix exclusif du FD-SOI et développe en parallèle la technologie FinFET.

« Capitalisant sur les solides relations nouées par ST et Samsung dans le cadre de l'International Semiconductor Development Alliance (ISDA), cet accord renforce davantage notre coopération en l'étendant à la technologie FD-SOI en 28 nm, tout en élargissant l'écosystème et en augmentant la capacité de production pour ST, mais également pour l'ensemble de l'industrie électronique », a déclaré Jean-Marc Chery, directeur général (COO) de STMicroelectronics. « Nous prévoyons l'élargissement de l'écosystème FD-SOI en 28 nm avec les principaux fournisseurs d'outils de CAO électronique et de propriété intellectuelle (IP), ce qui enrichira le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm », ajoute-t-il.

« Le 28 nm est une technologie de fabrication très efficace dont la durée de vie sera longue en utilisant des moyens de production bien établis. En ajoutant le FD-SOI à notre portefeuille de technologies, Samsung propose une gamme complète de solutions de fabrication en 28 nm qui contribueront au succès de nos clients. C'est une solution idéale pour les clients qui souhaitent accroître les performances et le rendement énergétique en 28 nm sans être obligés de migrer vers le 20 nm », commente pour sa part, Dr Seh-Woong Jeong, vice-président exécutif System LSI Business de Samsung Electronics.

Selon Handel Jones, fondateur et p-dg d'International Business Strategies (IBS), « le nœud 28 nm aura une durée de vie considérable. Nous tablons sur environ 4,3 millions de tranches à l'horizon 2017, et le FD-SOI pourrait bien capter au moins 25 % de ce marché ».

La technologie FD-SOI résulte d'une activité de recherche et développement de longue date mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d'autres partenaires. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge la Loi de Moore en permettant de faire évoluer la technologie planaire traditionnellement utilisée pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement à d'autres filières de fabrication tel le FinFET, la technologie FD-SOI bénéficie de la continuité des flux de conception existants, et est prise en charge par un large éventail de logiciels de CAO électronique et d'équipements de production déjà installés. Outre l'exploitation des flux de conception et du matériel de production existants, cette technologie est censée réduire de façon significative la complexité des processus de production.

STMicroelectronics a fait le choix (risqué au départ) de s’engager dans la technologie FD-SOI dès 2008 pour se préparer à la rupture technologique qui interviendra au nœud technologique 14 nm avec des transistors 2D. En début d’année, à l’occasion de présentation des résultats annuels de ST, Jean-Marc Chery nous avait indiqué que d’ici fin 2015, ST disposera à Crolles d’une capacité de production de 1000 à 1500 tranches de 300 mm par semaine en technologie FD-SOI (voir notre article).

ST avait déjà signé un accord de transfert de licence de la technologie FD-SOI avec Globalfoundries, mais le fondeur n’a pas annoncé à ce jour qu’il comptait introduire cette technologie production.