En juillet, l’équipementier automobile Continental a finalisé la cession de son site d’assemblage de cartes électroniques de Rambouillet au fonds d’investissement néerlandais Varova Management. Depuis le premier juillet, le sous-traitant opère sous le nom de Viapaq, une entreprise d’assemblage et de service de haute technologie qui fabrique en moyenne et grande quantité des circuits imprimés complexes. Viapaq couvre toute la chaîne d’approvisionnement : du développement du produit à l’optimisation des services logistiques en passant par le SAV …

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Continental continuera d’être un partenaire important pour l’entreprise et supportera Varona, pour faire de Viapaq, un sous-traitant d’assemblage indépendant pour les marchés de l’automobile, de l’éclairage, du médical et des autres industries high-tech.

Viapaq, qui emploie environ 85 personnes, dispose de 3500 m2 de surface de production, avec 3 lignes CMS et 4 lignes d’assemblage de composants traversants, ainsi que 1600 m2 dédiés à la logistique. L’entreprise exposera au Midest en novembre prochain.

Rappelons que ce site de Rambouillet est opérationnel depuis plus de 60 ans. La fabrication de produits électroniques a démarré en 1954 pour Philips et s’est concentrée essentiellement sur l’industrie automobile dans les années 70. En 2006, Continental a repris l’usine avant de la céder le premier juillet 2014.

Le gouvernement israélien a approuvé officiellement la semaine dernière un projet d’investissement de 6 milliards de dollars de la part d’Intel dans le pays, accordant au passage une aide de 300 millions de dollars au numéro un mondial des semiconducteurs pour adapter son usine de Kiryat Gat à la production de microprocesseurs en technologies les plus avancées …

Outre une subvention de 300 M$ versée sur cinq ans, le gouvernement israélien a garanti à Intel un taux d’imposition de 5% sur ses bénéfices jusqu’en 2023.

En contrepartie de cette bienveillance, Intel va embaucher directement 1000 personnes de plus sur le site, dans le cadre de son « business plan », contribuant également à la création de 2500 emplois indirects. L’Américain s’est également engagé à augmenter ses achats de produits au niveau local (550 M$) et à contribuer à la formation des étudiants et à la R&D dans le pays.
Le communiqué du gouvernement ne précise pas quelles technologies avancées seront mises en place sur le site, mais on peut imaginer que le site produira des microprocesseurs en technologie de classe 10 nm, contre 22 nm actuellement.

Certains analystes financiers conseillaient cet été Intel de racheter le Taïwanais Microtek pour s’imposer enfin sur le marché des semiconducteurs pour mobiles et briser la domination de Qualcomm. Le numéro un mondial des semiconducteurs ne les a pas écouté, mais emprunte une voie plus étroite en collaborant et en entrant au capital des deux entreprises fabless chinoises Spreadtrum Communications et RDA Microelectronics. Ces deux étoiles montantes des puces pour terminaux mobiles développeront des jeux de circuits pour communications mobiles sous architecture Intel …

En pratique, Intel prendra indirectement 20% du capital de Spreadtrum Communications et RDA Microelectronics en investissant 1,5 milliard de dollars dans la holding Tsinghua Unigroup, une société d’état, qui a racheté successivement les deux entreprises chinoises afin de contrôler ces acteurs de poids pour la fourniture de semiconducteurs pour téléphones mobiles, garant de l’indépendance de la Chine dans ce secteur stratégique. Tsinghua Unigroup, filiale de la société d’état Tsinghua Holdings créée par l’université chinoise de Tsinghua, a en effet finalisé à la mi-juillet l’acquisition de RDA Microelectronics, une entreprise chinoise fabless spécialisée dans les circuits RF et les systèmes sur une puce pour le sans fil destinés à des applications dans la téléphonie, la connectivité sans fil et le broadcast. Le montant de l’acquisition de RDA a atteint 907 M$. Tsinghua avait précédemment racheté la société fabless chinoise Spreadtrum Communications, spécialisée dans les circuits pour communications mobiles aux standards 2G, 3G et 4G, pour 1,7 milliard de dollars.

L’Etat chinois ne fait ainsi pas mystère de vouloir développer sa propre industrie du semiconducteur. Cette alliance avec Intel constitue donc pour les autorités chinoises du pain béni pour crédibiliser cette ambition.

Pour Intel, il s’agit somme toute, à son échelle, d’une opération peu onéreuse pour s’attacher enfin les services de vrais spécialistes de puces pour mobiles. Jusqu’ici, les tentatives d’Intel d’entrer seul avec ses propres puces sur le marché des smartphones n’ont pas eu le succès escompté. L’accord capitalistique avec les entreprises chinoises se double en effet d’une coopération technologique : Spreadtrum, qui jusqu’ici faisait appel à l’architecture ARM, va également développer des circuits intégrés pour mobiles de type système sur une puce à architecture Intel. Ces circuits seront disponibles dans la seconde moitié de 2015 et seront commercialisés à la fois par Spreadtrum et par Intel. Côté marchés, les débouchés seront mondiaux, même si dans un premier temps le marché chinois (le plus vaste du monde pour les smartphones et les utilisateurs d’Interner, dixit le p-dg d’Intel) sera suffisant pour tester la compétitivité de cette alliance.

En dehors des mobiles, en se rapprochant de l’industrie chinoise étatique du semiconducteur, Intel peut aussi espérer pouvoir développer ses activités de fonderie et devenir ainsi une alternative crédible au Taïwanais TSMC.

Les récentes opérations pour développer une industrie chinoise du semiconducteur (source DigiTimes)

Selon une étude Digitimes Research, 35% de la production mondiale d’écrans LCD de petite et moyenne diagonale, -des écrans utilisés notamment dans les smartphones-, devrait être réalisée en Chine en 2017, contre 15,5% en 2011. Concernant les LCD de grande taille, la part de la production chinoise (y compris les fabricants étrangers sur le sol chinois) devrait passer de 5,3% en 2011 à 25,5% en 2017 …

Concernant les seuls fabricants chinois de LCD, Digitimes Resarch estime qu’ils devraient représenter 17,4% de la production d’écrans LCD en 2017, contre 11,4% en 2013. BOE Technology devrait être le plus important d’entre eux, totalisant 38% des revenus des fabricants chinois de LCD (voir article dans cette édition).

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d'annoncer un outil de conception en ligne permettant aux ingénieurs d'analyser les performances des composants destinés aux étages de puissance des systèmes embarqués, et d'améliorer l'efficacité et le rendement énergétique global de ces systèmes. Le simulateur web Toshiba Semiconductors permet aux utilisateurs de simuler le comportement de transistors MOSFET, sous différentes conditions de tension et de température, et d'analyser leurs signaux de commutation dans le cas d'applications de conversion AC/DC ou DC/DC, en utilisant différentes topologies telles que "full-bridge", "fly-back" ou convertisseur survolteur synchrone …

• L'outil est composé de trois éléments interactifs : les Datasheets, le Concepteur d'applications et le Générateur de notes. Les deux premiers éléments couvrent les MOSFET, tandis que le dernier, couvre les LDO et les commutateurs de charge.
• Grâce aux datasheets interactives de MOSFET, le concepteur peut choisir parmi une liste de composants, puis analyser les composants sélectionnés, par rapport à un ensemble personnalisable de courbes théoriques, et de circuits test à caractéristiques dynamiques.
• Grâce au Concepteur d'applications interactif, on peut choisir un dispositif MOSFET pour différentes topologies, en fonctions de besoins spécifiques. Ses performances dans le cadre de l'application considérée peuvent alors être évaluées en utilisant la simulation directe et les outils d'analyse.
• Le Générateur de notes de conception interactif propose des fonctionnalités semblables pour les régulateurs LDO et les commutateurs de charge.

Référence : simulateur web
Fournisseur : Toshiba

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International Rectifier vient de lancer la famille IRGP66xx d’IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) 600 V ultra-rapides à grille en tranchée et coupure de champ. Ces nouveaux composants durcis, fiables et à performances élevées, présentent des pertes en conduction et en commutation extrêmement faibles et sont optimisés pour les applications de soudure …

• Tirant parti d’une technologie de tranchées sur substrat fin pour réduire les pertes en conduction et en découpage, ces nouveaux composants sont encapsulés avec une diode à recouvrement doux à faible Qrr, et supportent une commutation ultra-rapide (8 à 30 kHz) et des courts-circuits de 5 µs.
• Ces IGBT 600 V offrent également une faible tension VCE(ON) et un coefficient de température positif simplifiant leur mise en parallèle.
• La famille d’IGBT IR66xx est aussi caractérisée par une fréquence de découpage élevée, une température de jonction maximale de 175 °C et de faibles émissions électromagnétiques (EMI), d’où une fiabilité accrue, un rendement système supérieur et des performances plus robustes en régime transitoire.

Référence : IRGP66xx
Fournisseur : International Rectifier

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