En janvier, les commandes en équipements pour la fabrication des semiconducteurs ont enregistré un léger rebond par rapport à décembre pour les machines japonaises. Leur niveau reste toutefois très inférieur à celui de janvier 2012. Les facturations ont progressé un peu plus vite, faisant retomber le boo-to-bill à 1,18 …

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Selon la SEAJ (Semiconductor Equipment Association of Japan), les commandes en équipements pour SC japonais ont représenté 74,316 milliards de yens en janvier (794 M$), en hausse de 2,8% par rapport à décembre 2012, mais restent inférieures de 25,2% par rapport à janvier 2012. Les facturations ont, pour leur part, progressé de 6,8% en un mois, à 62,978 milliards de yens (673 M$) et ont été inférieures de 32,5% à celles de janvier 2012. Le book-to-bill japonais est ainsi redescendu à 1,18 en janvier, contre 1,23 en décembre, 0,89 en novembre, 0,70 en octobre, 0,65 en septembre et 0,74 en août 2012.

Le fabricant américain de circuits analogiques et mixtes et de gestion de puissance Intersil vient d’annoncer un plan de restructuration qui passe par une réduction de son effectif mondial de 18% et vise une réduction de ses coûts annuels de 30 M$ …

Ce plan de restructuration devrait être pratiquement achevé à la fin du premier trimestre 2013. Les réductions des coûts doivent être obtenues par la réduction de l’effectif et une plus grande sélection dans la concentration des efforts de développement de nouveaux produits, indique le communiqué de l’entreprise.

En 2012, Intersil a réalisé un chiffre d’affaires de 607,9 millions de dollars, en baisse de 20% par rapport à 2011. Le fabricant a enregistré une perte nette annuelle de 37,6 M$, contre un bénéfice de 67,2 M$ lors de l’exercice précédent. Pour le trimestre en cours, Intersil vise un CA de 131 M$ à 138 M$, contre 137,5 M$ au quatrième trimestre 2012.

Le fabricant allemand de semiconducteurs Infineon Technologies déclare avoir franchi une étape décisive en ayant fabriqué ses premiers semiconducteurs de puissance sur tranche de 300 mm de diamètre amincie. Cette prouesse lui offre l’avantage concurrentiel de pouvoir réaliser plus de 2,5 fois de circuits de plus par tranche par rapport à un procédé sur tranches de 200 mm. La technologie a été qualifiée sur son site de Villach en Autriche et doit être transférée à Dresde, pour une production de volume …

Le procédé CoolMOS sur tranche 300 mm amincie (jusqu’à 40 µm d’épaisseur) a été développé à Villach, en Autriche. Le transfert de la technologie à Dresde (sur une ancienne ligne rachetée à Qimonda) se déroule comme prévu et la qualification du process pour une production de volume devrait être achevée en mars. Infineon aura investi d’ici à 2014 environ 250 millions d’euros dans cette technologie.

Pour la neuvième année de suite, l’Allemand Infineon Technologies avait conservé en 2011 son rang de premier fournisseur mondial de semiconducteurs de puissance, avec une part de 11,9% d’un marché qui a représenté 17,6 milliards de dollars en 2011, selon une étude publiée par IMS Research.

Avec une croissance de ses ventes de 21% sur ce secteur, Infineon avait ainsi progressé beaucoup plus vite que l’ensemble du marché des semiconducteurs de puissance (+8,3%). Le fabricant allemand précédait les Japonais Mitsubishi (8,3% du marché mondial) et Toshiba (6,6%).

STMicroelectronics annonce avoir franchi une nouvelle étape majeure dans les essais de sa plate-forme technologique FD-SOI en technologie de 28 nm : des cœurs de processeurs d'application fabriqués sur le site de Crolles ont pu fonctionner à la fréquence opérationnelle de 3 GHz avec une efficacité énergétique supérieure à d'autres filières à une fréquence donnée. Pour ST, le fait qu'un processeur d'application puisse atteindre la fréquence de cadencement de 3 GHz présage l'adoption de la filière FD-SOI dans des produits portables, appareils-photo numériques, consoles de jeu et circuits ASIC pour un large éventail d'applications …

Depuis une cinquantaine d'années, la Loi de Moore, selon laquelle le nombre de transistors incorporés sur un circuit intégré double tous les deux ans environ, a poussé l'industrie électronique à réduire la taille des transistors. Aujourd'hui, alors que ces transistors se dirigent vers des géométries nanométriques, la physique remet en question les avantages de vitesse élevée et de faible consommation traditionnellement offerts par la technologie CMOS planar fabriquée à l'aide de tranches de silicium massif. La technologie FD-SOI marque ainsi une percée importante dans la poursuite de la miniaturisation des circuits électroniques.

Confirmant la simplicité de cette technologie, ST assure que le portage de bibliothèques et de blocs de propriété intellectuelle physiques du CMOS massif en traits de 28 nm vers la filière FD-SOI de 28 nm s'effectue sans difficulté, de même que la conception de systèmes sur puce numériques avec des outils et des méthodes de CAO classiques en technologie FD-SOI, qui est identique au CMOS massif grâce à l'absence d'effet mémoire MOS (Metal Oxyde Semiconductor).

« Comme nous l'avons envisagé, la technologie FD-SOI a démontré sa capacité à allier vitesse, simplicité et faible dégagement de chaleur. Nous avions tablé sur une fréquence de cadencement atteignant 3 GHz, et l'approche de conception adoptée correspond tout à fait à ce que faisions avec la technologie CMOS massif. De plus, grâce aux avantages des canaux entièrement déplétés et de la technique de polarisation « back-bias », les exigences de basse consommation répondent également à nos attentes », a déclaré Jean-Marc Chery, Vice-président exécutif, Chief Manufacturing & Technology Officer et directeur général du secteur numérique de ST.

Rappelons que l’unité de production sur tranches de 300 mm de diamètre de Crolles est la seule usine du groupe à implémenter la technologie FD-SOI. Actuellement, l’usine est prête pour être équipée d’une capacité de production de 300 à 500 tranches par semaine en technologie FD-SOI, qui sera portée à 1000 tranches par semaine à la fin de l’année. En 2014, ST disposera ainsi en interne d’une capacité interne de 1000 tranches par semaine en FD-SOI, sans compter la fonderie. En juin dernier, ST avait passé un accord avec Globalfoundries dans ce domaine. Cette année, ST va investir dans le développement d’une technologie FD-SOI 14 nm, en vue de la livraison des premiers échantillons à la mi-2014. D’ici 2 à 3 ans, la technologie FD-SOI devrait représenter 1/3 de la production à Crolles.

Le marché mondial des processeurs embarqués devrait progresser de 23% entre 2012 et 2016, pour représenter alors 47,3 milliards de dollars, selon une étude d’IDC citée par l’agence Bloomberg. En nombre d’unités, ce marché devrait passer de 2,54 milliards de pièces l’an dernier, à 3,65 millions d’unités en 2016 …

La technologie du Britannique ARM domine très largement le marché des processeurs embarqués, des circuits fabriqués par d’autres sous licence ARM (tels Texas Instruments, Freescale, Qualcomm, ST, etc.). Selon IDC, la part de marché en volume du Britannique via ses clients devrait même augmenter, passant de 60% en 2012, à 68% en 2016. Les processeurs embarqués équipent bon nombre d’applications dans l’automobile, les compteurs intelligents, l’industriel, et tous types d’équipements hors informatique que l’on veut doter de fonctions de traitement de données et de connectivité.

Intel, qui domine outrageusement le marché des processeurs pour PC, n’a pas réussi pour l’instant à entamer l’hégémonie du Britannique ARM dans l’embarqué. La part de marché de l’Américain dans les processeurs embarqués n’a pas dépassé 2% en volume en 2012 et ne devrait pas être supérieure à 5% en 2016. En valeur toutefois, à en croire Bloomberg(*), la technologie d’Intel aurait drainé 20% des revenus tirés des processeurs embarqués l’an passé, contre 30% pour les conceptions à partir de la technologie d’ARM et 50% réparties entre les autres différents fabricants finaux de processeurs embarqués.

(*) A l’heure où nous publions cet article, le communiqué de presse d’IDC n’était pas encore disponible sur son site.

Inside Secure annonce le lancement de son module NFC sécurisé ComboPulse, une solution intégrée (SiP "System in Package") prête à l’emploi qui facilite et réduit les coûts de déploiement NFC dans de nombreux produits électroniques, tels que les tablettes, les lecteurs médias personnels, les téléphones mobiles d’entrée de gamme et autres appareils mobiles intelligents. Le ComboPulse permet ainsi de sécuriser un nombre toujours plus élevé de transactions, que ce soit pour les paiements mobiles, l’achat de billets de transport ou encore le contrôle d’accès. …

• Intégrant la puce « booster » PicoPulse NFC radio, un élément sécurisé VaultSEcure Java Card, une antenne et tous les composants passifs sur un module réduit DFN8, ComboPulse SiP ne nécessite aucun autre composant, antenne externe ni paramétrage pour offrir aux terminaux mobiles une solution d’émulation de carte NFC et des fonctions peer-to-peer, le tout pour une partie seulement du coût des solutions NFC habituelles.

• Avec sa fonctionnalité d'émulation de carte NFC, ComboPulse SiP peut être utilisé comme une carte à puce sans contact qui communique avec les lecteurs sans contact mais également avec d'autres types de terminaux pour régler les achats, valider les billets et les coupons, cumuler les points de fidélité, réaliser des opérations bancaires et d’autres transactions sécurisées.

• Le mode peer-to-peer du système ComboPulse simplifie les appariements Bluetooth et Wi-Fi entre deux appareils électroniques, facilite l’échange de contenus ou d’informations avec tout dispositif conforme au Forum NFC, mais également avec de nombreux téléviseurs, caméras et appareils photos, systèmes de sécurité et de domotique.

Référence : ComboPulse
Fournisseur : Inside Secure

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