Selon IDC, le marché mondial des PC (hors tablettes) ne devrait finalement pas retrouver la croissance cette année, affichant un recul de 1,3%, à 345,8 millions d’unités, après le plongeon de 3,7% en 2012. Au quatrième trimestre 2012, les ventes mondiales de PC avaient même chuté de 8,3% par rapport aux trois derniers de 2011, un décrochage d’une ampleur inégalée. Les mêmes causes produisent les mêmes effets : la conjoncture n’est pas favorable ; Windows 8 n’est pas assez attractif pour relancer les achats et l’innovation est trop faible pour lutter contre l’attraction des consommateurs pour les tablettes. En particulier, la trop grande absence d’écrans tactiles pour les PC portables ultrafins pénalise les ventes …

publicité

Dans ce contexte, même le marché du PC pour les pays émergeants décroche : en 2012, il a avait ainsi reculé pour la première fois de 1,4%, à 205,9 millions d’unités et il ne devrait progresser que de 0,6% cette année, à 207,1 millions de pièces.

Pour les marchés matures (Europe de l’Ouest, Etats-Unis, Canada, Japon), 2013 devrait être la troisième année de suite de baisse des volumes (-4%, à 138,7 millions de pièces, après -6,9% en 2012).

Globalement, par type de produits, les ventes de PC de bureau devraient reculer de 4,3% cette année, à 142,1 millions d’unités, tandis que les ventes de PC portables devraient progresser de 0,9%, à 203,8 millions de pièces.

Le marché américain des semiconducteurs démarre sur les chapeaux de roues, enregistrant le plus fort mois de janvier depuis une décennie. Selon le WSTS, le marché américain a ainsi bondi de 10,5% par rapport à janvier 2011, tandis que les ventes en Asie-Pacifique ont progressé de 7,8%. Malheureusement, il n’en a pas été de même en Europe et au Japon où les ventes de janvier, exprimées en dollars, ont décroché respectivement de 4,9% et de 12,3 % par rapport à janvier 2011 …

Par rapport à décembre 2012, les ventes de semiconducteurs en Europe ont toutefois progressé de 0,4%. Janvier étant traditionnellement un mois faible par rapport à décembre du fait de la saisonnalité des ventes, faut-il y voir un palier atteint par le marché européen au cours des derniers mois ? Les statistiques des prochains mois le diront.

Pour les autres régions du monde, en revanche, la saisonnalité des ventes a été respectée avec des reculs séquentiels respectifs de 3,5%, 5,5% et 2,5% sur le continent américain, au Japon et en Asie-Pacifique.

Globalement, les ventes mondiales de semiconducteurs en janvier ont ainsi représenté 24,05 milliards de dollars, en hausse de 3,8% par rapport à janvier 2012 et en baisse de 2,8% par rapport à décembre 2012. Pour l’instant, les statistiques mensuelles de l’ESIA, exprimées en euros, n’ont pas encore été publiées.

STMicroelectronics enrichit sa gamme de capteurs MEMS avec un magnétomètre triaxial indépendant. Annoncé sous la référence LIS3MDL, ce circuit affiche des performances élevées dans un boîtier très compact (2 x 2 x 1 mm). En raison de ses dimensions réduites et de ses performances, ce capteur convient idéalement aux téléphones mobiles, aux tablettes et aux appareils de navigation personnels, ainsi qu'aux applications de navigation en environnement intérieur, où il permet de calculer les données de navigation à l'estime en l'absence de signaux satellite …

• Ce magnétomètre peut également être associé à d’autres capteurs discrets de ST, tels qu'un accéléromètre ou un gyroscope MEMS triaxial, pour constituer des capteurs comptant jusqu'à neuf degrés de liberté.
• Grâce au logiciel de fusion des données iNEMO Engine Sensor Fusion de ST, les concepteurs peuvent améliorer les fonctions de détection et de géolocalisation en intégrant des capteurs miniatures pour assurer une détection sur plusieurs degrés de liberté (multi-DoF).

Référence : LIS3MDL
Fournisseur : STMicroelectronics

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

Toshiba Electronics Europe (TEE) annonce un photocoupleur qui occupe une place réduite sur le circuit imprimé et affiche une faible consommation dans les conceptions à IGBT et MOSFET nécessitant une isolation galvanique. Parmi les applications visées figurent les équipements d'automatisation industrielle, les commandes de moteur, l'électroménager numérique et les micro-onduleurs pour le photovoltaïque …

• Le coupleur de commande de grille TLP152 est conçu pour piloter directement des IGBT et des MOSFET de puissance sans autres composants additionnels.
• Un boîtier SO6 miniature réduit l'espace occupé sur la carte de 50% comparé aux dispositifs en boîtier SDIP couramment utilisés. Le boîtier SO6 de Toshiba fournit une isolation de 3750Vrms au minimum, compatible avec les exigences d'isolation renforcées des standards internationaux de sécurité.
• Le TLP152 est compatible avec une vaste gamme de tensions d'entrée de 10 V à 30 V qui évite de recourir à un circuit supplémentaire de conversion de puissance. Le courant d'alimentation maximal est de 3 mA. Une sortie buffer logique de type totem pole peut fournir un courant de pointe de +/-2,5 A.

Référence : TLP152
Fournisseur : Toshiba

| DATASHEET | PLUS D'INFOS | PRODUITS SIMILAIRES |

Israël Investissement, groupe d’investisseurs israéliens (personnes privées, sociétés, groupe de décideurs financiers,...) recherche activement sociétés françaises innovantes à reprendre et/ou intéressées dans partenariats et prises de parts dans les domaines suivants : électronique, industries, technologies numériques, télécoms, industries innovantes, matériaux, bio technologies, biomasse, chimie, nanotechnologies, autres …

Faire offres avec fourniture de dossiers, il sera répondu avec AR à chaque demande.
Le service secrétariat-France
Mail : israsources@gmail.com

L’Américain GT Advanced Technologies et Soitec annoncent la signature d'un accord de développement et de licence qui doit permettre à GT Advanced Technologies de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures de gallium (HVPE). Cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes et dans d'autres applications industrielles, telles que dans l'électronique de puissance …

La grande vitesse de croissance cristalline du GaN et l'amélioration des propriétés du matériau rendues possibles par cette technologie d'HVPE devraient entraîner une baisse considérable des coûts de ces films tout en boostant les performances des DEL ainsi produites en particulier par rapport à la filière MOCVD (épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur à base de précurseurs organométalliques) plus traditionnelle. Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées.

GT développera, fabriquera et commercialisera cet équipement d'HVPE en y incorporant les éléments technologiques particuliers et originaux développés par Soitec Phoenix Labs (filiale de Soitec), et notamment un système d'injection de la source de gallium, qui devrait notamment abaisser le coût des précurseurs ainsi fournis au réacteur d'HVPE. Cet équipement d'HVPE permettra de produire à grande échelle des couches de nitrure de gallium (GaN) sur saphir. La disponibilité commerciale de cet équipement est prévue au deuxième semestre 2014.