STMicroelectronics et CMP (Circuits Multi-Projets) annoncent que la technologie CMOS H9A dans le nœud de 130 nm de STMicroelectronics, qui permet de réaliser un large éventail de produits analogiques et numériques, est à présent mise à la disposition des universités, des laboratoires de recherche et des entreprises de conception aux fins de prototypage par le biais des services de courtage de CMP. La diffusion des tranches de silicium aura lieu sur le site ST de Rousset, dans les Bouches-du-Rhône. Le coût de la technologie H9A CMOS a été fixé à 2200 euros par mm² …

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Le service multi-projets sur tranches silicium de CMP permet aux entreprises de réaliser des circuits intégrés avancés en petites quantités, typiquement entre quelques douzaines et quelques milliers d'unités.
ST met cette technologie de fabrication à la disposition de tierces parties en tant que service de fonderie pour une plate-forme analogique bien établie et pour de nouveaux développement dans les applications telles que les systèmes de capture d'énergie, d'intelligence autonome et de domotique.

L'introduction de la technologie CMOS H9A de ST (et sa version dérivée H9A_EH) dans le catalogue de CMP capitalise sur la collaboration qui a permis à des universités et des entreprises de conception d'accéder aux générations précédentes de la technologie CMOS, parmi lesquelles les géométries CMOS de 28 nm, 45 nm (introduction en 2008), 65 nm (2006), 90 nm (2004) et 130 nm (2003) par l'intermédiaire du site ST de Crolles. Les clients de CMP peuvent également accéder à la technologie FD-SOI (silicium sur isolant - entièrement déplété) en géométries de 28 nm, SOI (silicium sur isolant) en 65 nm et SOI en 130 nm, ainsi qu'à la technologie SiGe (Silicium Germanium) en 130 nm de STMicroelectronics.

Plus de 200 universités et entreprises ont reçu les règles de dessin et les kits de conception des processus CMOS SOI et en silicium massif en 65 nm de ST. Depuis que CMP propose la technologie CMOS en silicium massif 28 nm de ST en 2011, plus de 100 universités et sociétés de microélectronique ont reçu les règles de dessin et les kits de conception correspondants, et plus de 30 circuits intégrés ont déjà été fabriqués. De même, depuis que CMP propose la technologie FD-SOI 28 nm de ST, plus de 30 universités et sociétés de microélectronique ont reçu les règles de dessin et les kits de conception correspondants.

Le gouvernement annonce la signature d'une nouvelle convention entre la DGCIS, la DGA et OSEO, future branche financement de la Banque Publique d’Investissement, sur la gestion des aides aux projets de R&D des pôles de compétitivité soutenus par le Fonds unique interministériel. Cette nouvelle convention vise à réduire de moitié les délais de paiement par OSEO des aides aux projets de R&D des pôles de compétitivité …

Le conventionnement et le paiement des avances à notification seront désormais effectués dans un délai maximum de 3 mois à compter de l'annonce par les ministres des projets retenus.

La nouvelle convention s’appliquera dès le seizième appel à projets du fonds unique interministériel, qui sera lancé au cours de ce mois.

A travers le Pacte pour la croissance, la compétitivité et l'emploi, le gouvernement s'est engagé à faciliter la montée en gamme des entreprises par l'innovation. « Pour ce faire, les dispositifs de soutien publics doivent s'adapter aux exigences du système de l'innovation et être réactifs, rapides et simples d'exécution », commentent les pouvoirs publics pour expliquer cette décision.

Implanté à Corbeil-Essonnes, le fondeur de spécialités Altis Semiconductor vient de finaliser la signature d’un contrat à long terme avec IBM Microelectronics, l’ancien copropriétaire d’Altis avec Infineon Technologies. L’entreprise francilienne devient ainsi le partenaire de fonderie d’IBM pour sa technologie SOI 180 nm, garnissant ainsi son plan de charge …

Altis commencera à produire des circuits en volume pour le compte d’IBM à partir du deuxième trimestre 2013 et augmentera les cadences de production pour IBM en 2014 et au-delà pour répondre aux prévisions de demande d’IBM Microelectronics.

Cet accord concerne la prochaine génération de produits grand public, comme par exemple, des jeux de circuits RF sur tranche SOI qui équiperont les terminaux mobiles les plus avancés, souligne le communiqué d’Altis.

Implanté à Corbeil-Essonnes, Altis Semiconductor propose des prestations de fonderie à partir de technologies RF, de mémoire non volatile intégrée et haute tension adaptées pour les marchés des applications mobiles, de la sécurité et pour l'automobile.

Citant des investisseurs institutionnels, le quotidien taïwanais DigiTimes croit savoir que Samsung ne produira que 50% de la future génération de processeurs A7 qui équiperont les futurs tablettes et smartphones d’Apple. Le fondeur taïwanais TSMC pourrait, quant à lui, prendre en charge 40% de la production et Intel pourrait hériter de 10% des commandes …

Les rumeurs se multiplient et se font ainsi de plus en plus précises sur les ambitions d’Intel en prestataire de services de fonderie. Rappelons que, selon la banque d’affaires JPMorgan, les services de fonderie pourraient représenter 6% de l’activité du numéro un mondial des semiconducteurs en 2017, soit plus de 3 milliards de dollars en se basant sur le CA d’Intel de 2012.

Quant à Apple, on mesure son intérêt à réduire sa dépendance vis-à-vis de Samsung. Déjà, selon DigiTimes, le groupe californien a coupé ses commandes auprès de Samsung concernant ses besoins en mémoires Drams et en écrans plats. Quant à TSMC, il pourrait commencer à produire des processeurs pour Apple à partir de 2014.

Le Japonais Renesas a annoncé officiellement hier son intention de se séparer de sa filiale Renesas Mobile, lourdement déficitaire depuis deux ans, ou d’explorer « des business models alternatifs » pour cette activité de circuits intégrés pour téléphones mobiles héritée en partie de Nokia. Cette décision concerne toutes les activités et toutes les entités géographiques mondiales de Renesas Mobile à l’exclusion des activités de circuits pour systèmes d’information pour l’automobile et de circuits mobiles pour applications industrielles que Renesas souhaite conserver …

Au cours des dernières années, Renesas a déjà mis en route des réformes structurelles importantes pour garantir sa compétitivité (réalignement de son porte-feuille de produits, réduction du nombre de ses unités de production et de son effectif mondial). Cependant, le groupe japonais reconnaît aujourd’hui qu’il a besoin d’aller plus loin, dans une conjoncture plus dégradée que prévu.

Renesas Mobile est née de la réunion des activités circuits multimédia pour téléphones mobiles et systèmes de navigation automobile de Renesas et de l’acquisition en 2010, pour 200 M$, de l’activité circuits modem sans fil de Nokia. Environ 1100 salariés de Nokia, qui développaient des technologies modem pour les standards GSM, HPSA et LTE, dont la vaste majorité employée en Finlande, en Inde, en Grande-Bretagne et au Danemark, étaient alors venus grossir les rangs de Renesas Mobile.

Le portefeuille de solutions de Renesas Mobile intègre des processeurs d’applications, des circuit modems cellulaires, des circuits RF et des solutions de gestion de puissance, ainsi que l’expertise logicielle associée pour développer des terminaux mobiles.

Selon la presse japonaise de ce matin, Renesas avait négocié une fusion de Renesas Mobile avec les activités circuits système-sur-une-puce de Fujitsu et de Panasonic. Mais Fujitsu et Panasonic ont signé un accord sans Renesas. Maintenant, Renesas chercherait à vendre sa filiale à une entreprise étrangère. En cas d’échec, le groupe pourrait liquider l’activité, rapporte la presse nipponne.



La vente de Renesas Mobile ne sera pas aisée, car les acquéreurs ne sont pas légion. Et d’autres entités sont déjà sur le marché, à l’instar de ST-Ericsson, dont le p-dg vient de démissionner. Or les acquéreurs potentiels (dont Samsung) approchés par ST et Ericsson ont décliné l’offre, croit savoir l’agence Bloomberg qui estime que l’on se dirige plutôt vers un démantèlement de la société commune. On se rend compte à travers ces deux entreprises mises en vente comment Nokia aura été à l’origine de ces gâchis.

De son côté, Texas Instruments avait annoncé à la mi-novembre une restructuration et un repositionnement stratégique pour sa division « sans fil » qui doit conduire à la suppression de 1700 emplois à travers le monde, repositionnant ses processeurs OMAP et ses solutions de connectivité sans fils sur les applications de l’embarqué, délaissant ainsi le marché historique de la division des téléphones mobiles et des smartphones, un secteur où les grands clients développent de plus en plus leurs propres circuits pour asseoir leur différentiation.

Le Belge Cissoid, spécialisé dans les semiconducteurs pour applications hautes températures, introduit CHT-Neptune, un switch de puissance haute tension en boîtier TO-257, adapté aux applications de conversion de puissance et contrôle moteur et garanti pour une gamme de fonctionnement jusqu’à +225°C. CHT-NEPTUNE est un MOSFET carbure de silicium haute température, spécifiquement conçu pour les applications en environnement hostile …

• Il est disponible en boitier métal hermétique et isolé TO-257 et présente en outre une faible résistance thermique jonction / boitier (1,1°C/W). Le produit est garanti pour un fonctionnement fiable sur la gamme -55°C to +225°C.
• Il offre une tension de claquage de 1200V et peut commuter des courant jusqu’à 10A à température maximale (Tj=225°C). Le MOSFET intègre une diode inverse qui peut être utilisée en diode de roue libre.
• Ce transistor peut être piloté par une tension de grille (VGS) typiquement de -2V / +20V. Le transistor présente une RDSON de 90 mOhms à 25°C et de 150 mOhms à 225°C avec VGS=20V.
• Ce nouveau produit offre en outre des pertes de commutation particulièrement faibles et indépendantes de la température, avec moins de 400µJ à 600V/10A.

Référence : CHT-Neptune
Fournisseur : Cissoid

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