Malgré la poursuite de la crise économique, les résultats en matière d’innovation s’améliorent d’année en année dans l’Union européenne, mais le clivage entre les États membres ne cesse de s’accentuer. Telle est la conclusion de l’édition 2013 du tableau de bord de l’Union de l’innovation (tous secteurs confondus), un classement des États membres de l’UE publié par la Commission européenne. Comme pour le classement précédent, la France, dont les ressources humaines sont le point fort et l’investissement des entreprises le point faible, reste figée à la 11e place. Elle se situe loin derrière les meilleurs que sont la Suède, l’Allemagne, le Danemark et la Finlande, qui ont encore amélioré leurs résultats …

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L’Estonie, la Lituanie et la Lettonie sont les pays qui affichent les plus grandes améliorations depuis l’an dernier.

« La croissance de l’innovation dans l’Union européenne est portée par les PME et par la commercialisation des innovations, ainsi que par d’excellents systèmes de recherche. Toutefois, la baisse des investissements des entreprises et des investissements de capital risque qui a été observée entre 2008 et 2012 a produit des effets négatifs du point de vue des résultats en matière d’innovation », commente le document de la Commission.
« Notre dernier rapport sur l’état de l’Union de l’innovation, montre que nous avons réalisé des progrès en 2012 pour ce qui est de certains points fondamentaux tels que le brevet unitaire et de nouvelles règles pour les fonds de capital-risque, mais qu’il faut redoubler d’efforts pour éviter une fracture dans le domaine de l’innovation en Europe », souligne Mme Máire Geoghegan-Quinn, commissaire à la recherche, à l’innovation et à la science.

Le tableau de bord de l’Union de l’innovation 2013 classe les États membres dans les quatre groupes de pays suivants:
• les champions de l’innovation: la Suède, l’Allemagne, le Danemark et la Finlande, dont les résultats se situent nettement au-dessus de la moyenne de l’UE;
• les suiveurs de l’innovation: les Pays-Bas, le Luxembourg, la Belgique, le Royaume-Uni, l’Autriche, l’Irlande, la France, la Slovénie, Chypre et l’Estonie, dont les résultats sont supérieurs à la moyenne de l’UE;
• les innovateurs modérés: l’Italie, l’Espagne, le Portugal, la République tchèque, la Grèce, la Slovaquie, la Hongrie, Malte et la Lituanie, dont les résultats sont inférieurs à la moyenne de l’UE;
• les innovateurs modestes: la Pologne, la Lettonie, la Roumanie et la Bulgarie, dont les résultats sont nettement inférieurs à la moyenne de l’UE.

La comparaison avec d’autres pays européens montre que la Suisse occupe toujours la position de champion toutes catégories, dépassant de loin tous les pays de l’Union européenne. Les résultats de cette année indiquent aussi, une fois de plus, que la Corée du Sud, les États Unis et le Japon ont de meilleurs résultats que l’Union européenne.
L’avance de la Corée du Sud sur l’Europe s’accentue, mais, depuis 2008, l’Union européenne a été en mesure de réduire de près de moitié son retard par rapport aux États-Unis et au Japon. L’UE accuse toujours un retard considérable par rapport aux pays qui occupent les premières places au niveau mondial, notamment pour ce qui est des dépenses de R&D des entreprises, des copublications public-privé et des brevets, ainsi que de l’enseignement supérieur. En revanche, elle continue à afficher de meilleurs résultats que l’Australie, le Canada, le Brésil, la Russie, l’Inde, la Chine et l’Afrique du Sud. L’avantage de l’UE s’amenuise par rapport à la Chine, reste stable par rapport aux autres pays BRICS et s’accroît par rapport à l’Australie et au Canada.

Document intégral du tableau de bord de l’Union de l’innovation 2013

Safran vient de finaliser l’acquisition des activités de systèmes électriques de Goodrich (Goodrich Electrical Power Systems - GEPS), un fournisseur aéronautique de premier rang de systèmes électriques embarqués. Le montant en numéraire de la transaction s’élève à environ 300 millions d’euros …

GEPS apporte de nouvelles compétences à l’offre existante de Safran, en particulier le savoir-faire et l’expérience en termes de génération électrique qui constituent le cœur des systèmes électriques. Grâce à la complémentarité de GEPS et de Safran dans ces domaines, l’opération donne naissance à un leader mondial des systèmes électriques aéronautiques doté d’une gamme complète de produits.

GEPS rentrera dans le périmètre de consolidation de Safran à compter du 1er avril 2013, au sein des activités « équipements aéronautiques », et devrait apporter au groupe un chiffre d’affaires additionnel d’environ 120 millions d’euros pour 9 mois en 2013, dont la moitié dans les services (pièces de rechange, maintenance et réparation).

GEPS emploie près de 560 personnes sur deux sites, à Pitstone Green au Royaume-Uni, son site principal et siège social (environ 460 personnes), et à Twinsburg dans l’Ohio aux États-Unis (environ 100 personnes).

Ondeo Systems, filiale de Lyonnaise des Eaux (groupe Suez Environnement) spécialisée dans la télérelève des compteurs de fluides (eau, gaz, etc), s’associe à SFR Business Team, le numéro un français des services de télécommunications « Machine to Machine » (M2M) pour développer une solution de télécomptage « universelle » adaptée à l’évolution des besoins des villes et de leurs habitants. Ce partenariat vise à accompagner la croissance exponentielle du marché de la télérelève estimé, pour le domaine de l’eau, à 20 milliards de dollars d’ici à 2020 …

Ce partenariat concerne principalement deux axes de recherche et d’innovation technologique :
- Le développement d’une solution de télérelève « universelle » permettant le transport et la gestion de tout type de données de la ville et de ses habitants, par exemple grâce à l’utilisation d’un boîtier numérique ;
- La mise en œuvre d’un réseau de télécommunications M2M unique, dit « monocouche », assurant la transmission directe et automatique des données à un système central, par exemple d’un compteur intelligent à un système de facturation.

« Le développement de passerelles universelles et la mutualisation des infrastructures, en supprimant les « doubles réseaux », auront pour effet de minimiser le coût et l’impact environnemental de la télérelève pour les collectivités », soulignent les deux partenaires.
Pour déployer ces solutions à l’échelle internationale, les deux partenaires s’appuieront sur le groupe Vodafone, 1er opérateur mobile mondial, et membre du réseau d’opérateurs internationaux de SFR Business Team, « Network Team ».

Dans le domaine de la télérelève, Ondeo Systems se distingue aujourd’hui par sa solution basée sur une fréquence radio longue portée 169 MHz , interopérable (eau/gaz) et facile à déployer, grâce à l’absence d’équipements intermédiaires ou répéteurs. Celle-ci comptabilise déjà 1,5 million de compteurs télérelevés vendus en Europe.

« A plus long terme, ce partenariat évoluera vers le co-développement de nouveaux services pour une gestion maîtrisée de l’ensemble des flux et des données environnementales (pollution, géolocalisation, etc) liés à l’émergence des smart cities », commente Pierre Andrade, directeur général adjoint de Lyonnaise des Eaux.

S’appuyant sur une technologie de rupture à base de microfils GaN sur silicium issue du Léti, la start-up grenobloise Aledia vient fabriquer ses premières diodes électroluminescentes (ou DEL) sur tranches de silicium de 200 mm de diamètre. Avec ces puces 3D, Aledia estime être en mesure de diviser par quatre le coût de production des DEL comparé aux DEL planaires conventionnelles. Créée en 2011, la start-up a levé 10 millions d’euros, lors d’un premier tour de table en 2012, lui permettant de réaliser cette innovation …

Pour continuer à développer de nouvelles applications, notamment dans le domaine de l’éclairage, les DEL doivent être disponibles à un prix nettement moins élevé qu’actuellement, souligne l’entreprise, qui rappelle que le marché mondial des DEL a représenté 13,7 milliards d’euros en 2012, selon Strategies Unlimited. Avec ces DEL fabriquées sur des tranches de silicium de 200 mm de diamètre et ses faibles coûts de production, la technologie microfils d’Aledia constitue une véritable rupture en termes de coût de production. Egalement compatible avec la fabrication dans les fonderies de silicium CMOS existantes, cette technologie pourrait ainsi bénéficier d’une grande capacité de production à faible coût et sans investissement additionnel.

« Depuis notre tour de table de l’année dernière, avec l’équipe en place, mes deux co-fondateurs Xavier Hugon, Directeur Opérationnel, et Philippe Gilet, Directeur Technique, nous avons développé notre procédé de fabrication de microfils et l’avons transféré sur des tranches en silicium de grande taille soit 200 mm de diamètre par rapport au standard de l’industrie des DEL encore de 50 à 100 mm », commente Giorgio Anania, co-fondateur et p-dg d’Aledia. « Désormais, nous optimisons les performances de ces produits et préparons leur lancement sur le marché. »

Plus de 6 ans de R&D ont ainsi été nécessaires au laboratoire du Léti du CEA, à Grenoble, pour concevoir la technologie 3D de microfils GaN sur silicium. Cette innovation en cours de commercialisation a été pilotée notamment via les équipes de développement d’Aledia. Ce dernier a aujourd’hui une licence mondiale exclusive sur les brevets du CEA existants et à venir, portant sur cette technologie et ses applications dans le domaine de l’éclairage. Des brevets qui viennent s’ajouter à ceux déposés directement par l’entreprise depuis sa création en 2011.

Implantée à Grenoble, Aledia, start-up co-fondée en 2011 par Giorgio Anania et deux chercheurs du Léti, conçoit et fabrique des DEL s’appuyant sur des technologies à base de microfils GaN sur silicium autour d’une équipe de 30 ingénieurs et développeurs. Lors de son premier tour de table, Aledia a convaincu des investisseurs tels Sofinnova Partners, Demeter Partners, Braemar Energy Ventures et CEA Investissement.

AVX introduit une série de condensateurs céramiques multicouches (MLCC) hyperfréquence dont les électrodes sont en argent (Ag) quasiment pur, ce qui améliore la performance et diminue le prix. Ses applications idéales sont les amplificateurs de puissance RF, les amplificateurs faible bruit, les réseaux de filtrage et les systèmes IRM …

• Avec une conductivité plus élevée que les condensateurs RF à métal non précieux, la série UQ affiche une ESR ultra basse, un facteur Q élevé, une résonance propre élevée et des valeurs de capacité de 0,1 pF à 1000 pF.
• Sans plomb et conforme RoHS, les MLC RF haute performance de la série UQ d’AVX offrent sept valeurs de tension allant de 50 à 500 V, et huit tolérances de capacité allant de ±0,1 à ±20% pF.
• La série UQ d’AVX est spécifiée pour une plage de température de -55°C à +125°C. Elle suit ou excède les exigences des normes EIA-198, MIL-PRF-5568 et MIL-PRF-123.

Référence : série UQ
Fournisseur : AVX

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Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) lance, sous les références MB85RS1MT et MB85RS2MT, deux FRAM avec des densités de mémoire respectives de 1 Mbits et 2 Mbits. Ces nouvelles mémoires ferroélectriques seront disponibles en petites quantités à partir de la fin du mois de mars 2013. En garantissant 10 000 milliards de cycles de lecture-écriture, soit dix fois plus que les puces actuelles, ces mémoires FRAM sont idéales pour des applications telles que les compteurs intelligents, les machines industrielles et les appareils médicaux …

• Par rapport à des produits EEPROM de densité identique, les MB85RS1MT et MB85RS2MT réduisent la consommation de 92% pour les opérations d'écriture.
• Ces mémoires FRAM peuvent également offrir d'importantes réductions au niveau des coûts des composants, de l'encombrement et de la consommation électrique en remplaçant toutes les technologies requises pour le système – composées généralement d'EEPROM, de SRAM et d'une batterie – par une puce unique.
• Comme format de mémoire, FRAM propose un accès aléatoire et non volatil. Avec sa grande vitesse d'écriture, FRAM peut immédiatement stocker en toute sécurité des données lors de pannes de courant, garantissant de la sorte l'intégrité du système.

Fabricant : Fujitsu
Référence : MB85RS1MT, MB85RS2MT

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