Bouygues Telecom et SFR viennent de signer un accord de mutualisation d’une partie de leurs réseaux d’accès mobiles, à la suite des négociations annoncées en juillet 2013. Les deux opérateurs vont déployer sur une zone correspondant à 57% de la population (soit l’ensemble du territoire en dehors des 32 plus grosses agglomérations de plus de 200 000 habitants et des zones blanches) un nouveau réseau partagé. Cet accord permettra aux deux opérateurs d’améliorer leur couverture mobile et de réaliser des économies significatives, ce qui ne fait pas l’affaire de leurs fournisseurs …

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L’accord de mutualisation entre en vigueur dès sa signature et devrait aboutir à la finalisation du réseau cible fin 2017. Dans la pratique, les deux opérateurs exploitent actuellement plus de 18 000 antennes dans la zone de mutualisation. Ce parc devrait être réduit de 7000 antennes d’ici à 2017. A partir de 2017, cette mutualisation permettrait à Bouygues Telecom d’économiser 100 millions d’euros par an en frais de fonctionnement et en investissements, et SFR plus de 200 millions d’euros.

L’accord repose sur deux principes : d’une part, la création d’une société ad-hoc commune, qui gèrera le patrimoine des sites radio mis en commun ; d’autre part, la prestation de service de RAN-sharing que se rendront mutuellement les opérateurs en 2G, 3G et 4G sur le territoire partagé.

Chaque opérateur conservera une capacité d’innovation autonome ainsi qu’une indépendance commerciale et tarifaire, et continuera de proposer des services différenciés grâce à la maîtrise de son cœur de réseau et de ses fréquences.


Zones bleues et rouges : zones opérées par Bouygues Telecom - SFR
Zones grises : zones très denses non concernées par l'accord

Dans le cadre du sommet franco-britannique du 31 janvier 2014, le ministre de la Défense Jean-Yves Le Drian et son homologue britannique ont conclu différents accords permettant l’engagement d’importants programmes de défense conduits en coopération franco-britannique. En particulier, ils ont signé une lettre d’intention pour le lancement d’une nouvelle phase de travaux dans le domaine des drones de combat …

Ces travaux porteront sur les architectures des systèmes, sur certaines technologies-clés et sur la définition des moyens de simulation. La France et le Royaume-Uni s’engagent conjointement à hauteur de 120M£ (145M€) sur ce programme qui durera 2 ans. Ils confirment ainsi la phase préparatoire décidée en juillet 2012 et qui a impliqué Dassault-Aviation et BAE Systems comme chefs de file du projet, Thales et Selex ES pour l’électronique embarquée et les capteurs, ainsi que Safran et Rolls-Royce pour la propulsion.
Dassault Aviation s’est réjoui de cette décision officialisant le lancement d'études de faisabilité communes dans le domaine des drones de combat (UCAS - Unmanned Combat Air Systems), saluant « une avancée majeure en matière de coopération aéronautique militaire franco-britannique ». Cette décision valorise également les investissements nationaux réalisés ces dernières années, notamment dans le démonstrateur de drone de combat nEUROn.

Les deux ministres ont également signé un Memorandum of Understanding permettant le lancement de la phase de développement et de production du missile Anti navire léger (ANL). Le missile ANL apporte aux hélicoptères une capacité permettant de détruire les patrouilleurs et vedettes rapides, dans des situations de crise ou pour faire face aux actes de piraterie, de narcotrafic et de terrorisme en mer. Ce développement commun sera décisif pour engager la consolidation de l’industrie missilière franco-britannique sous l’égide de MBDA et de ses sous-traitants, assurent les deux partenaires.

Enfin, un Memorandum of Understanding a été signé, permettant de lancer le développement d’un prototype de drones de surface et sous-marins destinés à détecter et neutraliser les mines navales sur les fonds marins. Ce système s’inscrit dans le projet de coopération dans la guerre des mines « Maritime Mine Counter Measures (MMCM) ». Ce projet permettra le développement des savoir-faire industriels en matière de détection sous-marine et de robotique.

Selon le bilan définitif du WSTS, le marché mondial des semiconducteurs a atteint le niveau record de 305,6 milliards de dollars en 2013, en progression de 4,8% par rapport aux ventes de 291,6 milliards de 2012. A 26,6 milliards de dollars, décembre 2013 enregistre également un record pour un mois de décembre, permettant aux ventes du quatrième trimestre de progresser de 7,7% par rapport aux trois derniers mois de 2012. Exprimé en dollars, le marché européen a progressé, quant à lui, de 5,2% en 2013, à 34,88 milliards de dollars …

Le marché des circuits logiques a constitué la première famille de semiconducteurs en 2013, progressant de 5,2%, à 85,9 milliards de dollars. Il devance le marché des mémoires (67 milliards de dollars) et celui des microprocesseurs et microcontrôleurs (58,7 milliards). La plus forte croissance incombe sans surprise au marché des mémoires (+17,6%), grâce à la progression du marché des mémoires Drams (+33,3%) tirée par la hausse des prix et, dans une moindre mesure, par celui des mémoires flash NAND (+8,1%). Le marché des circuits analogiques a progressé pour sa part de 2,1%, à 40,1 milliards de dollars, tandis que celui des circuits optoélectroniques a crû de 5,3%, à 27,6 milliards.

Par régions, l’année 2013 a été celle du continent américain dont la consommation de semiconducteurs a bondi de 13,1%, à 61,5 milliards. Le marché américain continue sur sa lancée puisqu’au quatrième trimestre, déjouant la saisonnalité des ventes, il a progressé séquentiellement de 4,5% par rapport au troisième trimestre.

Exprimé en dollars, le marché européen progresse de 5,2%, à 34,88 milliards de dollars. Quant au marché de l’Asie-Pacifique, il progresse de 7%, à 174,41 milliards. Seule fausse note, liée en partie à la dépréciation du yen face au dollar, le marché japonais des semiconducteurs a reculé de 15,2%, pour passer derrière le marché européen (34,8 contre 34,88 milliards de dollars).

La profession veut croire que tous les indicateurs sont au vert pour amplifier cette croissance mondiale en 2014.

Les appareils portables d’instrumentation et les systèmes de communication (fixes et mobiles) nécessitent souvent un oscillateur de haute stabilité mais n’ont ni la place, ni l’alimentation nécessaire pour accommoder un OCXO. Le dernier TCXO qui sera lancé au salon Embedded World 2014 par IQD Frequency Products apporte une solution pratique et est conçu tout particulièrement pour ce type d’applications …

• Encapsulé dans un boîtier céramique standard de 7 x 5mm, le nouveau IQXT-200 offre une stabilité jusqu'à ±0,28ppm dans des fréquences allant de 10MHz à 50MHz.
• Fonctionnant sur la plage de température industrielle de -40 à 85 degrés C, les utilisateurs peuvent choisir une alimentation de 3,0V, 3,3V ou 5,0V avec une consommation en général de moins de 5mA. IQD propose une grande gamme de sorties comme par exemple HCMOS ou Clipped Sine Wave.
• Plusieurs versions permettent l’utilisation d’une source de tension externe afin de contrôler l’ajustement (de fréquence), ce qui convient à des applications où la fréquence de sortie doit être verrouillée. T
• Tous les modèles sont conformes à la norme RoHS, compatibles avec les procédés de soudage par refusion et conditionnés en bobine.

Référence : IQXT-200
Fournisseur : IQD

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L’Américain Kemet offre désormais à ses clients un accès à la gamme de technologies passives et électromécaniques proposée par le Japonais NEC Tokin. Kemet, qui a annoncé son alliance avec NEC Tokin en 2013 (voir notre article), a maintenant intégré toute la gamme de technologies du fabricant japonais à sa propre gamme de condensateurs. L'offre produit Kemet comprend désormais des supercondensateurs, des relais signal miniatures, des inductances en métal composite, des noyaux EMI, des filtres secteur AC, des suppresseurs souples et une gamme élargie de condensateurs tantale…

Les produits NEC Tokin seront disponibles par l'intermédiaire des canaux de distribution Kemet existant dans le monde entier.

Spécialisé notamment dans les matériaux pour les écrans plats, les semiconducteurs et l’optique, le Japonais JSR annonce la construction d’une unité de production de cellules de stockage d’énergie faisant appel à sa technologie Ultimo de condensateurs lithium-ion. L’investissement devrait atteindre 6 milliards de yens (60 M$), pour une capacité de production de 3 millions de cellules par an …

L’usine devrait être achevée en janvier 2015 et les premiers produits devraient être livrés aux clients à partir de juin 2015. Les applications visées concernent les marchés de la construction, des machines industrielles et de l’automobile.