Selon IC Insights, les ventes mondiales de composants optoélectroniques, de capteurs/actuateurs et de discrets (un secteur baptisé O-S-D pour Optoelectronics, Sensors/Actuators, and Discretes) ont représenté 58,6 milliards de dollars en 2013, en progression de seulement 1% par rapport à 2012. Mais cette atonie est liée à la chute de 18% du yen face au dollar. A parité yen/dollar constante, ce marché aurait en fait progressé de 8% l’an passé, à 62,59 milliards, du fait de la présence de nombreux fabricants japonais en tête de classement …

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Parmi les 30 premiers fournisseurs de composants O-S-D, 26 sont des fabricants de circuits optoélectroniques (dont 16 des fabricants de diodes électroluminescentes pour l’éclairage à DEL), 16 sont des fabricants de capteurs & actuateurs (y compris sous forme de mems) et 18 sont des fabricants de semiconducteurs discrets.

L’an passé, le marché des composants optoélectroniques a progressé de 5%, à 29,2 milliards de dollars, celui des capteurs et actuateurs est resté stable à 8,7 milliards de dollars, tandis que le marché des discrets a reculé de 5%, à 20,7 milliards de dollars.

En 2013, les 30 premiers fournisseurs de composants O-S-D ont représenté 66% de ce segment du marché des semiconducteurs.

Pour répondre aux défis de la conception de dispositifs toujours plus petits et plus minces, Global Connector Technology (GCT) lance une gamme de connecteurs USB3.0 à montage centré inversé, adaptés à une intégration dans des dispositifs tels que tablettes, ordinateurs portables et autres appareils portatifs …

• Dans les applications à profil bas, où une hauteur au-dessus et sous la carte de circuit imprimé est essentielle, GCT propose des connecteurs USB3.0 à montage centré sur le bas. Ces connecteurs USB3.0 standard s'installent normalement sur le dessus de la carte de circuit imprimé et permettent un montage sur le bas de la carte. Les connecteurs sont donc sur une découpe de la carte de circuit imprimé, minimisant ainsi la hauteur.
• L'USB1115 avec face découpée convient parfaitement aux panneaux angulaires, avec une hauteur de seulement 5,4 mm.
• L'USB1110 est installé sous la carte de circuit imprimé, tandis que le substrat du connecteur se trouve au-dessus de la carte de circuit imprimé. Les deux connecteurs sont conditionnés en bande et rouleau et conviennent aux exigences des processus à forte température.
• Afin d'accélérer la conception, il est possible de télécharger des plans, des spécifications et des modèles en 3D à partir du site Internet du fabricant.

Référence : USB1115 et USB1110
Fournisseur : GCT

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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de MOSFET super-jonction haut-rendement compacts avec des dispositifs spécifiés jusqu'à 650V. Ces MOSFET 650V sont idéaux pour les applications susceptibles de devoir tourner dans des environnements où la tension réseau est fluctuante, ou bien où les températures peuvent être très basses. Le support de tensions plus élevées permet aussi davantage de souplesse au niveau conception, en augmentant les marges de sécurité …

• Ces MOSFET de puissance 650V sont basés sur le processus super- jonction DTMOS IV de quatrième génération de la société, et sont disponibles en sept boîtiers compacts différents. Ces dispositifs peuvent être fournis avec une diode FRD (Fast Recovery Diode, ou diode de recyclage rapide) intégrée, qui permet de réduire le nombre de composants et l'empreinte sur carte dans le cas d'applications à commutation haute-fréquence.
• Les applications ciblées par ces MOSFET 650V sont notamment les alimentations à découpage, les ballasts d'éclairage, les convertisseurs d'énergie photovoltaïques et d'autres développements nécessitant une combinaison de haute-fréquence, de rendement élevé, et de faible bruit EMI (parasites électromagnétiques).
• Grâce à leur technologie DTMOS IV, ces nouveaux MOSFET offrent à la fois une résistance à l'état passant extrêmement faible, et une taille de puce réduite, qui autorise de très petits boîtiers, sans perte de puissance. Un avantage majeur du processus "deep trench" (tranchée profonde en français) par rapport à un processus super-jonction standard, est un plus faible coefficient thermique, favorable à un meilleur RDS(ON) en fonction de la température.
• La nouvelle gamme de dispositifs 650V est disponible en boîtiers D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS et TO-247. La valeur maximum de RDS(ON) est de 1.2Ohm à seulement 0.055Ohm.

Référence : MOSFET 650V
Fournisseur : Toshiba

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Numéro trois mondial de la CAO électronique, l’Américain Mentor Graphics annonce l’acquisition, pour un montant non divulgué, de son compatriote Nimbic, un spécialiste des solutions de simulation électromagnétique 3D. Les outils de Nimbic viendront compléter les solutions de Mentor pour la CAO de cartes de circuits imprimés et de conception de boîtiers …

Les outils de simulation électromagnétique 3D de Nimbic sont utilisés pour l’analyse de l’intégrité du signal, de l’intégrité de puissance et l’analyse des interférences électromagnétiques (EMI) par un grand nombre de ténors de l’industrie électronique pour résoudre les problèmes de packaging entre la puce et la carte.

Pour son deuxième trimestre fiscal 2014 clos le 3 mai, Analog Devices, fabricant américain de semiconducteurs pour applications de traitement du signal, publie un chiffre d’affaires trimestriel de 695 M$, en hausse de 11% par rapport au trimestre précédent et de 5% par rapport au même trimestre de l’exercice précédent, pour un bénéfice net de 187,4 M$, contre 152,6 M$ trois mois plus tôt et 164,4 M$ il y a un an…

« Nous avons réalisé un très bon trimestre, supérieur à nos attentes. Notre croissance a été obtenue dans toutes les régions du monde et l’industriel, les infrastructures télécoms et l’automobile ont représenté 89% des ventes du trimestre. Nous nous attendons à une poursuite de cette tendance au troisième trimestre, avec une croissance séquentielle de nos ventes comprise entre 1% et 5% et une forte profitabilité », a commenté Vincent Roche, président et CEO d’Analog Devices.

L’Américain Ixys, un fabricant de semiconducteurs de puissance et des circuits mixtes dédiés, et le Japonais Torex Semiconductor, viennent de signer un accord de commercialisation réciproque de leurs produits dédiés aux applications grand public …

Torex pourra ainsi commercialiser au Japon les circuits intégrés orientés grand public, les MOSFETs et les IGBTs d’Ixys, tandis que son partenaire commercialisera en Europe et aux Etats-Unis, au travers de son canal de ventes directes et via son réseau de distributeurs, les circuits analogiques pour applications grand public du fabricant japonais. Ixys revendique une base de plus de 3000 clients à travers le monde. Fondé en 1995, le Japonais Torex Semiconductor est spécialisé dans les circuits CMOS de gestion de puissance pour les produits alimentés par batterie et les applications d’efficacité énergétique.