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br> Le Léti et IBM ont annoncé la signature d’un accord de cinq ans pour collaborer en R&D dans le domaine des semiconducteurs et des technologies nanoélectroniques ; l’accord vise notamment le développement de matériaux avancés, de circuits et de procédés de fabrication en technologie 22 nm et moins, le Léti apportant son expertise dans les technologies SOI, la lithographie par faisceaux d’électrons et la caractérisation et la modélisation à l’échelle nanométrique.

Cet accord renforce les liens entre IBM et l’écosystème Grenoble-Crolles et fait suite à la décision de STMicroelectronics de rejoindre l’Alliance IBM en 2007. Le Léti, dont 75% de son budget de 205 M€ en 2008 a été couvert par les revenus de ses contrats de recherche, devient ainsi officiellement membre associé de l’Alliance IBM.

Parallèlement, l’Alliance IBM, qui comprend également Chartered Semiconductor Manufacturing, Globalfoundries, Infineon Technologies, Samsung Electronics et STMicroelectronics, vient d’annoncer avoir défini un procédé CMOS 28 nm basse consommation, dont un kit d’évaluation est disponible depuis mars. Ce procédé pourrait entrer en production pilote dans la seconde moitié de 2010.