STMicroelectronics annonce l’introduction d’une génération de composants de puissance basse consommation conçus pour réduire l’impact environnemental d’équipements tels que les systèmes informatiques ou de télécommunications, les onduleurs solaires, l’automatisation industrielle et autres applications automobiles. Selon ST, ses MOSFET STripFET VII DeepGATE assurent le meilleur rendement en conduction de tous les modèles à 80 et 100 V actuellement disponibles sur le marché, tout en affichant une efficacité en commutation accrue. De plus, ces composants permettent de simplifier la conception, ainsi que de réduire les dimensions et le coût des équipements tout en contribuant à atteindre les objectifs de consommation et de rendement en intégrant un nombre de composants réduit sur des boîtiers plus compacts …

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• La technologie STripFET VII DeepGATE fait appel à une structure de grille MOSFET perfectionnée, qui abaisse la résistance à l’état passant (Ron) des composants et réduit la capacité interne et la charge de grille, avec à la clé une commutation plus rapide et plus efficace.
• Ces composants se caractérisent par une forte résistance en avalanche qui leur permet de résister à des événements potentiellement dangereux et en fait un choix idéal pour les environnements automobiles.
• Plus de 15 composants de la famille STripFET VII DeepGATE sont immédiatement disponibles sous forme d’échantillons ou en série, parmi lesquels la référence STP270N8F7 à 80 V et plusieurs références à 100 V en boîtiers TO-220, DPAK, PowerFLAT 5x6, et H2PAK à 2 ou 6 contacts.
• Le prix pour 1.000 unités est compris entre 1,70 dollar pour les références STD100N10F7 et STL100N10F7 (100 V) et 3,80 dollars pour le modèle STH310N10F7-2.

Référence : STripFET VII DeepGATE
Fournisseur : STMicroelectronics

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