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br> Le conseil d’administration de Samsung Electronics vient d’approuver un projet d’investissement de 2,3 milliards de dollars dans la construction d’une unité de production de mémoires flash NAND à Xi’an, en Chine ; l’usine sera capable de faire appel à un procédé de fabrication en technologie 10 nm.

Samsung ne précise pas le calendrier de la construction et de la mise en service de cette usine chinoise, mais indique que le montant de 2,3 milliards de dollars fait partie d’un budget total de 7 milliards de dollars à investir sur plusieurs années.

Au quatrième trimestre 2011, le marché mondial des mémoires flash NAND a chuté de 8,6% par rapport au troisième trimestre 2011, à 4,888 milliards de dollars, selon DramExchange ; le Coréen Samsung a conservé son rang de premier fournisseur mondial avec une part de marché de 34,6%, devant le Japonais Toshiba (29,7%), puis le Coréen Hynix (13,7%), l’Américain Micron (13,3%) et Intel (8,8%).