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Intel et Micron introduisent un procédé de flash NAND en technologie 20 nm

Semiconducteurs>Production>Etats Unis>Stratégie
15/04/2011 14:32:45 :
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br> Intel et Micron vient d’introduire un procédé de fabrication de mémoires flash NAND en technologie 20 nm, permettant des réaliser des composants de stockage 8 Go de 118 mm2, soit une surface inférieure de 30% à 40% par rapport aux composants de même capacité en technologie 25 nm.

Ces flash sont destinées notamment aux fabricants de smartphones et de tablettes électroniques. Ces mémoires seront fabriquées par IM Flash Technologies (IMFT), la société commune de production entre Intel et Micron. Le procédé 20 nm permet à l’usine d’augmenter sa capacité de production (en Go) d’environ 50% par rapport à la technologie actuelle. L’échantillonnage des puces 20 nm a démarré avec une production de volume attendue pour la second semestre 2011.
ÉDITION du 15/04/2011
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