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br> Fabricant de semiconducteurs de puissance, Dynex Power annonce qu’il va investir 12 millions de livres sterling dans sa filiale britannique Dynex Semconductor pour installer deux lignes de production d’IGBT sur tranches de 150 mm de diamètre, qui remplaceront les lignes de fabrication sur tranches de 100 mm de diamètre.

Rappelons qu’en septembre dernier, le Chinois Times Electric a pris 75% du capital de Dynex, dont l’activité est basée à Lincoln, en Angleterre.

La division puissance de Dynex Semiconductor à été crée dans les années 50 à Lincoln sous le nom de AEI Semiconductors. Depuis, Dynex a acquis certains produits de puissance et certaines compétences technologiques de sociétés telles que GEC, SGS-Thomson, Alsthom DRE et Marconi Electronics Devices (MEDL). Aujourd’hui, le siège social de Dynex Semiconductor, la production, les ventes, le marketing, la R&D sont regroupés dans l’usine de Lincoln. Cette usine a été rachetée à Mitel en janvier 2000. Elle inclut plus de 4000 m² de salles blanches.