Le Coréen Samsung Electronics vient d’inaugurer son usine de Xi’an en Chine, dédiée à la production de mémoires flash à architecture NAND suivant la technologie avancée 3D V-NAND. L’usine de 230 000 m2 est sortie de terre 20 mois après le début de la pose de la première pierre en septembre 2012 …

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Selon Samsung, la Chine absorbe environ la moitié de la consommation mondiale de flash NAND du fait de la présence sur son sol des usines des principaux fabricants mondiaux de produits de technologies de l’information.

D’ici la fin de l’année, le complexe industriel de Xi’an sera complété par des unités d’assemblage et de test des mémoires fabriquées sur place.