Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) annonce la sortie du MB85R4M2T, une mémoire FRAM 4 Mbits. Intégrant une interface parallèle compatible SRAM, le MB85R4M2T est logé dans un package TSOP à 44 broches compatible avec la SRAM standard à basse consommation d'énergie. Ce produit représente le choix idéal pour remplacer une SRAM protégée par batterie dans de nombreuses applications comme l'automatisation industrielle, le matériel de bureau, les systèmes de sécurité et les appareils médicaux …

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• La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Grâce à sa capacité de stockage fiable, la FRAM constitue la solution idéale pour sauvegarder des données dans les environnements instables.
• La FRAM est non volatile et ne nécessite donc pas d'énergie pour conserver les données. En éliminant la batterie, la FRAM contribue ainsi à réduire les coûts des systèmes. Globalement, le dispositif FRAM joue un rôle prépondérant en réduisant la taille et la consommation d'énergie de l'application cible.
• Le MB85R4M2T possède une configuration de bits de 262 144 mots x 16 bits ainsi qu'une gamme flexible de tension de fonctionnement comprise entre 1,8 et 3,6 V.
• Fujitsu garantit 10 trillions de cycles de lecture/écriture et une rétention des données de 10 ans à 85 °C. La gamme de température du produit en fonctionnement industriel est comprise entre -40 °C et +85 °C.

Référence : MB85R4M2T
Fournisseur : Fujitsu Semiconductor Europe

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