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Processeurs d'application pour dispositifs à porter sur soi

Filière électronique>NP/MOS Micro>NP/Capteurs/Opto/Mems
08/04/2014 16:09:23 :

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient de lancer un processeur d'application conçu pour les dispositifs à porter sur soi, comme les moniteurs d'activité, les montres intelligentes, ou les dispositifs de type bracelet ou lunettes intelligentes. Le TZ1001MBG intègre la détection, le traitement de données et la transmission sans fil, dans un même module, réduisant ainsi l'empreinte sur carte, tout en contribuant à la miniaturisation des dispositifs à porter sur soi …
 
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• Le TZ 1001MBG dispose d'un accéléromètre pour mesurer le mouvement, d'un processeur pour traiter les données issues du capteur, de 8 Mbits de mémoire flash pour stocker les données, ainsi que d'un circuit radio et d'un contrôleur Bluetooth Low Energy (basse énergie) supportant les communications à faible puissance.
• Un cœur hautes-performances ARM Cortex-M4F à 48 MHz avec DSP et FPU (Floating Point Unit, ou unité de calcul à virgule flottante) permet de combiner les données de plusieurs capteurs, internes et externes, pour améliorer la précision (fusion de capteurs).
• Le produit intègre des CAN haute-résolution capables de convertir les signaux analogiques provenant de capteurs externes, comme des capteurs de pouls ou d'électrocardiogramme, en données numériques, pour les envoyer au processeur interne. Le transfert des données brutes et des données traitées aux équipements externes, comme les smartphones ou les tablettes, est assuré grâce au support des protocoles d'E/S suivants : USB, SPI, I2C, UART, CAN 12 bits, et CAN Delta-Sigma 24 bits.
• Le processeur d'application TZ1001MBG offre également une conception basse-consommation originale, qui permet son utilisation dans des dispositifs portables susceptibles de devoir tourner assez longtemps sur batterie. Les premiers échantillons seront livrés en mai, et la production en série devrait commencer en septembre 2014. Toshiba enrichit également sa gamme TZ1000, avec le TZ1011MBG, qui ajoute un gyroscope et un magnétomètre au module décrit ci-dessus.

Référence : TZ1001MBG ; TZ1011MBG
Fournisseur : Toshiba

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MOSFET de puissance 20-30 V

NP/Discrets
08/04/2014 16:10:06 :

International Rectifier étend sa famille StrongIRFET pour lui adjoindre des modèles 20-30 V destinés à des applications telles que l’informatique et les communications hautes performances. A la tête de cette famille se trouve le DirectFET 20 V IRL6283M qui présente une résistance à l’état passant Rds(on) ultra-faible …

• L’IRL6283M offre une Rds(on) typique de seulement 500 µOhms dans un boîtier fin DirectFET Medium Can de 30 mm², ce qui réduit les pertes en conduction de manière significative. Il convient aux applications d’ORing actif et de fusible électronique (eFuse).
• Ce nouveau composant peut fonctionner à partir de Bus 3,3 V, 5 V ou 12 V et offre à 20 A des pertes inférieures de 15% aux meilleures alternatives PQFN mesurant également 30 mm², permettant ainsi aux concepteurs de réduire le nombre de composants dans les applications à courant élevé.
• Comme pour le reste de la famille DirectFET, l’IRL6283M permet un refroidissement par le dessus pour de meilleures performances électriques et thermiques, et sa construction sans fils de liaison (wire bonding) renforce la fiabilité du montage.
• En outre, le boîtier DirectFET répond aux normes RoHS avec notamment une nomenclature entièrement sans plomb, et convient donc aux applications à longue durée de vie. Les boîtiers hautes performances concurrents peuvent, eux, avoir recours à des fixations au plomb couvertes par l’exemption 7(a) de la norme RoHS, exemption qui prendra fin en 2016.

Référence : DirectFET 20 V IRL6283M
Fournisseur : International Rectifier

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