Le Coréen Samsung Electronics annonce qu’il a démarré la production de volume de mémoires Drams DDR3 de 4Gbits en technologie 20 nm. Par rapport à la technologie précédente en 25 nm, la consommation électrique des modules Drams faisant appel à cette technologie de nouvelle génération est réduite de 25% …

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Samsung estime également que l’adoption du 20 nm lui permis d’augmenter sa productivité de fabrication de 30% par rapport à la génération 25 nm et de plus du double par rapport aux technologies DDR3 30 nm.

Selon Gartner, le marché mondial des mémoires Drams devrait passer de 35,6 milliards de dollars en 2013, à 37,9 milliards en 2014.